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公开(公告)号：CN104882157B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510274898.6
申请日：2015-05-26
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1693
摘要： 本发明公开了一种磁随机存储系统及其读取操作方法；提供一个K‑位数据STT‑MRAM存储器的系统结构和电路以及其读取操作方法。该方法和系统包括K个存储模块，一个字地址驱动器和一个列地址驱动器，K个信号放大器以及一个K‑位数据总线；本发明为K‑位数据STT‑MRAM存储系统设计一个高磁阻参考信号产生器(H)和一个低磁阻参考信号产生器(L)共同产生一个参考输出电流信号Ihf＝(Il+Ih)/2为K个信号放大器提供差分参考输入信号以减少电路面积和功耗，在读出数据被锁存在信号放大器中后，关闭K个存储模块以减少功耗。
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公开(公告)号：CN105957961A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610576297.5
申请日：2016-07-20
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种垂直各向异性磁性元件、制备方法及磁存储器；使用在磁性器件中的该磁性元件将联接半导体集成电路构成存储位单元。该磁性元件的垂直各向异性磁性固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁性自由层的结构。其中非磁性间隔层位于垂直各向异性磁性固定层和自由层之间。垂直各向异性磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能大于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其垂直各向异性磁性自由层可实现在垂直于平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
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公开(公告)号：CN105006244A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510242073.6
申请日：2015-05-13
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673
摘要： 本发明提供了一种信号放大器、磁存储器的读取电路及其操作方法，在磁存储器模块中包括，多个磁性存储单元，多个位线，多个字线，多个参考存储单元，至少一个参考线，和至少一个高速读取感测放大器。读取操作时，只有一个被字线和位线同时选中的存储单元提供数据信号，只有一个被同一字线选中的参考单元提供参考信号；信号放大器包括逻辑，放大以及锁存电路，数据信号和参考信号为信号放大器的输入，放大器为一级放大并锁存多功能电路，信号放大完成后自动锁存输出数据来减少信号放大和读取时间，同时，产生一个放大完成输出信号用以关闭相对应的存储模块来节省功耗。
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公开(公告)号：CN107221596A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710379588.X
申请日：2017-05-25
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
CPC分类号： H01L43/08 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件；磁性元件的双钉扎垂直各向异性磁固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁自由层的结构。其中垂直各向异性磁自由层位于双层非磁性间隔层之间。垂直各向异性磁自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能大于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其垂直各向异性磁自由层可实现在垂直于平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
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公开(公告)号：CN104882157A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510274898.6
申请日：2015-05-26
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1693
摘要： 本发明公开了一种磁随机存储系统及其读取操作方法；提供一个K-位数据STT-MRAM存储器的系统结构和电路以及其读取操作方法。该方法和系统包括K个存储模块，一个字地址驱动器和一个列地址驱动器，K个信号放大器以及一个K-位数据总线；本发明为K-位数据STT-MRAM存储系统设计一个高磁阻参考信号产生器(H)和一个低磁阻参考信号产生器(L)共同产生一个参考输出电流信号Ihf＝(Il+Ih)/2为K个信号放大器提供差分参考输入信号以减少电路面积和功耗，在读出数据被锁存在信号放大器中后，关闭K个存储模块以减少功耗。
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公开(公告)号：CN105006244B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510242073.6
申请日：2015-05-13
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673
摘要： 本发明提供了一种信号放大器、磁存储器的读取电路及其操作方法，在磁存储器模块中包括，多个磁性存储单元，多个位线，多个字线，多个参考存储单元，至少一个参考线，和至少一个高速读取感测放大器。读取操作时，只有一个被字线和位线同时选中的存储单元提供数据信号，只有一个被同一字线选中的参考单元提供参考信号；信号放大器包括逻辑，放大以及锁存电路，数据信号和参考信号为信号放大器的输入，放大器为一级放大并锁存多功能电路，信号放大完成后自动锁存输出数据来减少信号放大和读取时间，同时，产生一个放大完成输出信号用以关闭相对应的存储模块来节省功耗。
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公开(公告)号：CN105355780B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201510737115.3
申请日：2015-11-03
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能低于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其磁性自由层可实现在平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
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公开(公告)号：CN105957961B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610576297.5
申请日：2016-07-20
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种垂直各向异性磁性元件、制备方法及磁存储器；使用在磁性器件中的该磁性元件将联接半导体集成电路构成存储位单元。该磁性元件的垂直各向异性磁性固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁性自由层的结构。其中非磁性间隔层位于垂直各向异性磁性固定层和自由层之间。垂直各向异性磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能大于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其垂直各向异性磁性自由层可实现在垂直于平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
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公开(公告)号：CN105355780A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510737115.3
申请日：2015-11-03
申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司
CPC分类号： G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能低于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其磁性自由层可实现在平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
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