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公开(公告)号：CN115286388A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211039712.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01L35/14 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开一种简单合成三硫化二铋‑氧化石墨烯复合热电材料的方法，在硝酸铋溶液中加入适量氧化石墨烯（GO）在搅拌均匀，之后分别加入氨基硫脲溶液和尿素溶液进行水热反应，最后利用管式炉烧结得到Bi2S3‑GO复合热电材料。GO作为第二相存在于Bi2S3基体中会显著降低Bi2S3基体材料的热导率，提升其热电优值。本发明将简单的水热合成技术和管式烧结技术相结合，制备了一种热导率较低的复合热电材料。Bi2S3基热电材料具有无毒、价格低廉等特点，经过掺杂以后的Bi2S3‑GO复合纳米材料显示出优异的热电性能，在中温区热电材料领域展现出广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115259139A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210668830.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 江西理工大学
Abstract: 一种碲化铋纳米化及其与碳纳米管薄膜复合的方法，属于纳米热电材料技术领域。该方法采用电化学与超声波相结合方法，对成分为Bi0.5Sb1.5Te3的P型碲化铋块进行纳米化。将石墨纸作为电解池阳极与电源正极相连，Bi0.5Sb1.5Te3作为阴极与电源负极相连，碳纳米管薄膜（CNTF）置于两电极之间并用支架支撑。之后浸于氢氧化锂水溶液，开启电源，调节电压、电流，将整个结构放入超声机。通过锂离子在Bi0.5Sb1.5Te3片层间的嵌入使之晶格畸变、坍塌开裂，使Bi0.5Sb1.5Te3纳米颗粒从块体上剥离进入溶液。通过超声作用使Bi0.5Sb1.5Te3纳米颗粒依附于CNTF表面并紧密结合，通过清洗和干燥，得到Bi0.5Sb1.5Te3改性的CNTF。
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公开(公告)号：CN113421959B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110692841.3
申请日：2021-06-22
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法，所述n型碲化铋基室温热电材料的化学式为Bi2‑xSbxTe3，其中，x＝0‑1.3。所述n型Bi2‑xSbxTe3热电材料在室温附近具有较佳的热电优值，由于n型Bi2‑xSbxTe3与p型Bi2‑xSbxTe3的组成元素相同，所以两者不仅应用温区匹配，机械力学上更加匹配，进而能够大幅度提升热电器件的使用寿命与成品率。本发明提供的制备方法简单、成本低、可重复性好。
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公开(公告)号：CN110168758B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880005841.8
申请日：2018-01-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种半导体晶体，其包含下述式(I)所示的包合物，在所述半导体晶体的一侧端部与另一侧端部之间，至少1种元素的浓度存在差异。AxDyE46‑y(I)(式(I)中，A表示选自由Ba、Na、Sr和K组成的组中的至少1种元素，D表示选自由B、Ga和In组成的组中的至少1种元素，E表示选自由Si、Ge和Sn组成的组中的至少1种元素。x为7～8，y为14～20。)。
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公开(公告)号：CN114695634A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011612995.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 新奥科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及热电组件技术领域，具体公开了一种方钴矿热电组件及其制备方法与应用。本发明分别针对热电组件中N型及P型热电材料，开发了两种不同类型的防扩散层合金成分，使其线膨胀系数分别与N、P型热电材料相匹配，以降低界面的热应力，进而提高热电器件的可靠性与使用寿命。其中，针对N型热电材料的防扩散层组分为FeaCrbVc，针对P型热电材料的防扩散层的组分为Fea’Crb’Sic’；其中，a、b、c、a’、b’、c’代表各组分的质量百分比，a+b+c＝100，a’+b’+c’＝100；70≤a≤90，10≤b≤20，0＜c≤10；70≤a’≤90，10≤b’≤20，0＜c’≤10；a与a’、b与b’，c与c’可相同也可不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114678461A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210200954.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 绍兴文理学院
Abstract: 一种微型热电器件的制作方法，属于半导体器件技术领域。本发明将热电薄膜掩膜版和电极层掩膜版固定在单片基底上，利用分子束外延生长技术和电子束蒸发镀膜技术分别在单片基底上制备热电薄膜和电极层；利用掩膜沉积技术，分别在顶部陶瓷板的底端和底部陶瓷板的顶端制备焊接涂层；将多片单片基底并列堆叠放置在底部陶瓷板上，并通过焊接涂层将单片基底焊接在底部陶瓷板上；盖上顶部陶瓷板，通过焊接涂层将顶部陶瓷板和单片基底焊接在一起，从而完成微型热电器件的制作。本发明采用微型热电器件的面内结构来制作单片基底，相较于传统热电器件的π型结构，具有热电臂长、利于建立温差、微型化等特点。
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公开(公告)号：CN109219894B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201780033952.5
申请日：2017-02-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 足立真宽
IPC: H01L35/26 , B82Y30/00 , C01B33/06 , G01J1/02 , H01L21/205 , H01L35/14 , H01L35/32 , H01L35/34 , H02N11/00
Abstract: 本发明是为了在含有纳米粒子的热电材料中实现更好的热电特性。热电材料包含分散在具有带隙的第一材料和不同于第一材料的第二材料的混合体中的多个纳米粒子。第一材料含有Si和Ge。所述第二材料的原子浓度和Si对Ge的组成比满足下式(1)和(2)中的关系式，其中c表示所述热电材料中所述第二材料的原子浓度(单位为原子％)且r表示所述热电材料中Si对Ge的组成比：r≤0.62c‑0.25(1)；r≥0.05c‑0.06(2)。
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公开(公告)号：CN114408875A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111634635.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 广东省科学院化工研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法和应用。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片是以碲化铋为基底，二硒化钼纳米片为阻挡层的N型热电材料，具有塞贝克系数的绝对值较高、热电性能较好的优点。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法，包括将钼源、碲化铋、硒源和还原剂分散在水中进行水热反应，再分离出固体产物进行煅烧，即得碲化铋‑二硒化钼纳米片。该碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法简单和便捷的优势。碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法可适用于环保、热电和储能材料的领域。
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公开(公告)号：CN112113670B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010996100.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆；热电堆包括若干根热电偶，若干根热电偶依次电气串联，且中心对称均匀分布在圆形吸收区的四周，形成辐射状的热电堆，每根热电偶从下至上依次包括第二热电偶层、隔离层和第一热电偶层，热电堆通过水平的支撑层布设在牺牲层的上端，且圆形吸收区对应位于隔热空腔的上方，每根热电偶的一端和圆形吸收区连接，另一端位于隔热空腔上端口外侧对应的支撑层上。本发明通过热电偶的堆叠结构与热电堆的辐射分布，提高了传感器表面的利用率，同时也增强了冷端的热传导，因此提高了传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN113421959A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110692841.3
申请日：2021-06-22
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法，所述n型碲化铋基室温热电材料的化学式为Bi2‑xSbxTe3，其中，x＝0‑1.3。所述n型Bi2‑xSbxTe3热电材料在室温附近具有较佳的热电优值，由于n型Bi2‑xSbxTe3与p型Bi2‑xSbxTe3的组成元素相同，所以两者不仅应用温区匹配，机械力学上更加匹配，进而能够大幅度提升热电器件的使用寿命与成品率。本发明提供的制备方法简单、成本低、可重复性好。
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