公开(公告)号：CN118983354A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411465985.5

申请日：2024-10-21

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 刘成法 ,  周彬彬 ,  李征林 ,  吕东芸

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件。太阳能电池包括：衬底，衬底包括第一表面；钝化接触结构，钝化接触结构设于第一表面的部分表面；以及第一电极，第一电极设于钝化接触结构的背离衬底的一侧，并与钝化接触结构电连接；其中，部分的钝化接触结构的背离衬底的一侧表面设有标记部，标记部与第一电极在第一表面上的投影不重叠，且标记部配置为用于作为第一电极形成过程中的定位基准。本发明中的太阳能电池及其制作方法、光伏组件对标记部的位置抓取可靠性较高，同时，太阳能电池的制作良率较高。

公开(公告)号：CN118969900A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411020465.3

申请日：2024-07-29

申请人： 南通天盛新能源股份有限公司

发明人： 杨贵忠 ,  朱亚萌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本公开提出一种利用激光修复高效电池片和电池组件的方法，属于光伏电池组件技术领域。其中，利用激光修复高效电池片的方法包括：获取待修复的电池片，电池片包括硅片以及印刷在硅片表面且与硅片形成导电接触的导电栅线，该待修复的电池片的导电栅线为LECO技术烧结制得且导电栅线与硅片之间的接触性能下降；对待修复的电池片进行激光扫描，以得到修复后的电池片。本公开通过二次LECO技术能够使高温老化失效、焊接失效、EVA产醋酸老化失效的电池片和电池组件得到修复，修复率达83％以上，该方法简单易操作，修复率较高。

公开(公告)号：CN118969880A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411449320.5

申请日：2024-10-17

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 曾清华 ,  王玉华 ,  张宏 ,  张津燕

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的联合钝化背接触电池及制作和应用，第二半导体层还包含在第一本征非晶硅层外表面依次设置的氢化微晶碳化硅、P型微晶硅膜，形成P型发射极，且在沿远离硅片背面的方向上，P型微晶硅膜的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构大于3层；其中，氢化微晶碳化硅的晶化率为40%‑80%，氢化微晶碳化硅中以原子百分数计的氢含量为10%‑30%，氢化微晶碳化硅与P型微晶硅膜的晶化率之比为1：0.5‑1.2。本发明能够有利于促进光生载流子的快速分离，减少复合，提升电池的开路电压，有利于提升载流子的收集效率，有利于提升电池的填充因子，进而提升电池转换效率。

公开(公告)号：CN118969878A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411449318.8

申请日：2024-10-17

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 曾清华 ,  张宏 ,  王玉华 ,  张津燕

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和/或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层，P型微晶碳化硅层的厚度为3‑6nm。本发明采用特定结构的P型发射极，有利于提升电池的开路电压，提升薄膜导电性，提升电池的填充因子和转换效率。

公开(公告)号：CN118969871A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411448760.9

申请日：2024-10-17

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 张超华 ,  黄魏辉 ,  林振鹏 ,  郑建彪 ,  林旺立

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

摘要： 本发明的实施例提供了一种无主栅背接触电池、电池模组及制备方法，涉及背接触电池技术领域。该无主栅背接触电池包括电池片、多个用于收集第一极性的第一细栅线以及多个用于收集第二极性的第二细栅线，多个第一细栅线和多个第二细栅线沿电池片的宽度方向依次交替排布，第一细栅线和第二细栅线的长度基本一致，不需要设置折线，也不需要设置主栅，第一细栅线和第二细栅线均具有断开区域，断开区域用于和焊带配合，断开区域的宽度范围为1mm‑5mm，从而为焊带的安装预留出足够的公差，避免焊带和第一细栅线或第二细栅线接触从而出现短路现象。

公开(公告)号：CN118956264A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410898739.2

申请日：2024-07-05

申请人： 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司

发明人： 李武川 ,  吴兰峰 ,  周艳方

IPC分类号： C09D183/07 ,  H01L31/0224 ,  C09D183/05 ,  C09D7/62 ,  C09D5/25 ,  C09D7/63 ,  C09D7/65

摘要： 本发明涉及一种IBC电池，属于太阳能电池技术领域。所述IBC电池包括分布在IBC电池背面的正极主栅线、正极细副栅线、负极主栅线以及负极细副栅线，正极细副栅线末端以及负极细副栅线末端均涂覆有高硬度有机硅绝缘胶，所述高硬度有机硅绝缘胶的组成成分包括聚烷基乙烯基硅氧烷和玻璃纤维，且玻璃纤维与聚烷基乙烯基硅氧烷与质量比小于等于1:4。本发明通过向以聚烷基乙烯基硅氧烷为主体的有机硅绝缘胶中加入能与其发生交联反应的玻璃纤维，能够提高有机硅绝缘胶的交联度，进而提高有机硅绝缘胶的硬度，采用该有机硅绝缘胶对正极细副栅线末端以及负极细副栅线末端进行绝缘保护，能避免在焊带焊接及层压过程中有机硅绝缘胶因挤压发生厚度改变而导致短路。

公开(公告)号：CN118943232A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410994466.1

申请日：2024-07-24

申请人： 西安理工大学

发明人： 王曦 ,  张玉磊 ,  侯瑞 ,  蒲红斌 ,  张玉茜 ,  胡江帆 ,  纪轩 ,  刘乐晨

IPC分类号： H01L31/111 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管，包括材料为n+型4H‑SiC的衬底，n+型4H‑SiC衬底表面向上制作有n+缓冲层，n+缓冲层表面向上制作有p型缓冲层，p型缓冲层表面向上制作有p‑型长基区，p‑型长基区表面向下制作有p型基区、结终端扩展，结终端扩展位于p型基区两侧，p‑型长基区、p型基区表面向上制作有n短基区等，本发明还公开了具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管的制造方法。本发明解决了现有技术中存在的SiC光触发晶闸管光电增益不足与开通速度慢的问题。

公开(公告)号：CN118932449A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411430516.X

申请日：2024-10-14

申请人： 西安稀有金属材料研究院有限公司

发明人： 周波 ,  张于胜 ,  王亭力 ,  谢龙飞 ,  潘博炜 ,  任砾 ,  李傲翔

IPC分类号： C25D7/12 ,  H01L31/0224

摘要： 本公开实施例提供了一种金属栅线的电沉积方法及金属栅线，涉及光伏制造技术领域，该方法包括：将聚二甲基硅氧烷预聚体和固化剂的混合物浇注在原始模板上，除尽气泡后进行固化成形，并在冷却至室温后进行脱模，制得带有栅线结构的芯模；将芯模放入化学镀金属溶液中，在室温下搅拌反应，以在芯模表面沉积金属导电层；将表面沉积金属导电层的芯模进行紫外光照射，以使芯模表面的润湿性由疏水转变为超亲水；对超亲水的芯模与硅基底进行贴合处理，并浸入电镀液中作为阴极进行电沉积，形成金属栅线结构；对电沉积后的芯模进行低温热处理，实现芯模表面润湿性的超疏水转换；将金属栅线结构从超疏水的芯模中取出，以得到金属栅线。本公开能够提高稳定性。

公开(公告)号：CN118315470B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410414314.X

申请日：2024-04-08

申请人： 南京信息工程大学

发明人： 陶治 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀 ,  朱永炳

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管，属于光电晶体管技术领域；光电晶体管包括基底，基底上设置有栅极，栅极上包裹有绝缘层，绝缘层上设置有有源层，有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层；硒化铅薄膜的右端设置有源极，绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极；栅极采用电栅形式，利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型，内部形成卷积核，用算法测试验证卷积核，利用卷积神经网络模型构建样本校正，用算法测试验证，实现对光的寻址，提高了光电晶体管的准确性；且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

公开(公告)号：CN114744056B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202210340019.5

申请日：2022-04-01

申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司

发明人： 邱江南 ,  仲春华 ,  吕俊 ,  王建波 ,  明伟辉 ,  裴海洋

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本申请公开了一种太阳能电池及其加工方法，其中，方法包括：提供硅基体，所述硅基体其中一面具有栅线接触区域和非栅线接触区；在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构；在所述孔洞表面结构上顺次沉积第一氧化硅层和第一多晶硅层，所述第一多晶硅层通过原位掺杂的沉积方式形成，所述第一多晶硅层具有第一掺杂浓度；在非栅线接触区上顺次沉积第二氧化硅层和第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行掺杂，获得第二掺杂浓度的第二多晶硅层，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；在所述栅线接触区域形成栅线，所述栅线与所述第一多晶硅层欧姆接触。改方案解决了现有技术中通过二次扩散，容易造成二次扩散穿透氧化硅层，导致漏电的问题发生。