公开(公告)号：CN112186030B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010122193.3

申请日：2020-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/68

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN103503150A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180039693.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂埃 ,  梁擎擎 ,  梁玥 ,  王延锋

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  G06F9/45

Abstract: 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。

公开(公告)号：CN100459150C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480001374.X

申请日：2004-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  水野纮一 ,  吉井重雄 ,  铃木朝实良

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7376

Abstract: 本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。

公开(公告)号：CN1163488A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102374.3

申请日：1997-01-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森岛慎 ,  铃木和弘 ,  村上进 ,  小野濑保夫

IPC: H01L29/68

Abstract: 半导体器件，具有：包括主表面和相对表面的半导体衬底，至少一个部分暴露于衬底侧表面的p-n结，以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构，所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜之间界面附近感应的界面极化电荷Qr(库/厘米2)满足1.6×10-8≥｜Qr｜，所述第一钝化膜的电导率σ1和所述第二钝化膜的电导率σ2满足0.05≤σ2/σ1≤10。从而避免感应出电荷密度的界面极化以限制半导体器件的漏电源的增加或变化。

公开(公告)号：CN1005884B

公开(公告)日：1989-11-22

申请号：CN86100192

申请日：1986-01-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 马龙 ,  钱其璈

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/50 ,  H01L27/06

Abstract: 高跨导高Early电压的MOS晶体管——HGET，属于一族新型半导体集成器件。它能在常规的MOS工艺下制造出跨导为20～40m，Early电压为40～50V的器件。这种器件放大器的电压增益可达57db。它的等效电路是由两个MOS管和一个双极型晶体管复合构成，它的工艺简单，又能比普通的MOS器件的芯片面积小β倍，用于模拟电路中即能获得高增益，又因互补作用，能灵活满足不同电路的设计要求。

公开(公告)号：CN1004670B

公开(公告)日：1989-06-28

申请号：CN87102851

申请日：1987-04-17

Applicant: 芜锡微电子联合公司

Inventor： 王立模

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/68

Abstract: 栅控半导体四极管是一类新的基本电子电路四端子半导体器件。它们的输出电流-电压特性包括发散的入型负微分电阻输出特性曲线和平坦的输出特性曲线两类。它们的输出电流，跨导，以及负阻型输出曲线的负阻阻值，可在很大范围内调定，且最大跨导极高，结合其他很多优良特性，这类器件可用于简化电子电路和集成电路的结构或改进它们的电路性能，甚至开拓某些新的电路功能领域。

公开(公告)号：CN112400235A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980043394.X

申请日：2019-06-25

Applicant: P·奈瑟

Inventor： P·奈瑟

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/82 ,  H01L35/02 ,  H01M14/00

Abstract: 作用在第一导电材料内的移动电荷载体上的每单位质量的体积力配置为在第一材料的至少一部分内诱发电荷累积的至少一个区域。第一种材料中两个给定点之间电压的相关变化幅度是该材料相关电特性的函数。第二导电材料可以通过第一电触点电耦合到第一材料。第二材料的相关电特性可以配置为不同于第一材料的相关电特性。第一材料中两点之间的电压差可以不同于第二材料中两个等效点之间的电压差。电压差的差异可用于相对于所述电路的另一部分增加开路或闭合电路的一部分内的移动电荷载体的电压。例如，电压转换装置和方法可以用于将热能转换成电能。

公开(公告)号：CN109417092A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780041051.0

申请日：2017-05-01

Applicant: 莫纳什大学

Inventor： 迈克尔·西尔斯·富雷尔 ,  约翰·特里·赫勒斯泰特 ,  马克·托马斯·埃德蒙兹 ,  詹姆斯·李·理查德·杰西·科林斯 ,  刘畅

IPC: H01L29/68 ,  H01L51/05 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明涉及狄拉克半金属、调制狄拉克半金属中的电荷承载密度和/或带隙的方法、包括狄拉克半金属层的器件以及在衬底上形成狄拉克半金属层的方法。

公开(公告)号：CN105206509B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201510658228.4

申请日：2010-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L29/68 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉冲串，以渐进地将沉积材料转化成结晶材料。

公开(公告)号：CN1968017B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610145503.3

申请日：2006-11-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 东和幸 ,  佐藤义则

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/284 ,  H03K17/687 ,  H01L29/78 ,  H01L29/68

CPC classification number: H03K17/0828 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K17/28 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明公开一种用于电压驱动式开关元件的驱动装置和一种用于驱动电压驱动式开关元件的方法，所述装置和所述方法使储存在所述电压驱动式开关元件的栅极端子处的电荷以一放电率放电。控制所述放电率，以使所述电压驱动式开关元件的所述集电极端子和所述发射极端子之间的电压随时间的变化率接近预定变化率。在开始所述切断操作之后，使得用以获得预定变化率的所述集电极端子和所述发射极端子之间的电压随时间的变化率的控制延迟预定延迟时间。