发明授权
CN100459150C 弹道半导体元件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 弹道半导体元件
- 专利标题（英）： Ballistic semiconductor device
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申请号： CN200480001374.X申请日： 2004-04-14
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公开(公告)号： CN100459150C公开(公告)日： 2009-02-04
- 发明人: 大塚信之 , 水野纮一 , 吉井重雄 , 铃木朝实良
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 110097/2003 2003.04.15 JP
- 国际申请： PCT/JP2004/005282 2004.04.14
- 国际公布： WO2004/093199 JA 2004.10.28
- 进入国家日期： 2005-05-25
- 主分类号： H01L29/68
- IPC分类号： H01L29/68 ; H01L29/70
摘要：
本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
公开/授权文献
- CN1706047A 弹道半导体元件 公开/授权日：2005-12-07
IPC分类:
