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公开(公告)号：CN118973369A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411457905.1
申请日：2024-10-18
申请人： 苏州矩阵光电有限公司
摘要： 本申请公开一种三维磁场检测芯片及传感器及磁场分量检测方法，三维磁场检测芯片包括基于同一晶圆片整体切割所得的霍尔晶圆阵列和覆盖在霍尔晶圆阵列上的聚磁体，霍尔晶圆阵列包括四个呈矩形阵列排布的磁感应部和电极部，对角设置的两个磁感应部的工作电流方向正交，第一对角设置的两个磁感应部之间的第一对角线与第二对角设置的两个磁感应部之间的第二对角线正交；聚磁体在霍尔晶圆阵列的正投影覆盖每个磁感应部的敏感中心区，聚磁体在第一对角设置两个磁感应部上的正投影的边界垂直于第一对角线，聚磁体在第二对角设置两个磁感应部上的正投影的边界垂直于第二对角线，该三维磁场检测芯片具有零偏移、低成本、低误差，小型化和抗干扰的能力。
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公开(公告)号：CN118962539A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411057643.X
申请日：2024-08-02
申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院
摘要： 该发明公开了一种霍尔传感器中用于消除霍尔失调电压的纹波消除环路，属于电路结构领域。本发明使用了一组高通滤波器和一个斩波器来对霍尔信号以及失调电压进行分离，大大降低了对后续低通滤波器的设计要求，在最大失调电压处理范围方面具有明显优势。本发明对霍尔器件的失调电压容错性更好，能够处理的失调电压范围是传统结构的两倍以上。
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公开(公告)号：CN118914939A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411197305.6
申请日：2024-08-28
申请人： 美新半导体(无锡)有限公司 , 美新半导体(绍兴)有限公司
摘要： 本发明提供一种三轴霍尔磁传感器，其包括：衬底；形成于衬底上的掺杂阱，其中所述掺杂阱包括沿第一方向延伸的第一掺杂条以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸且与第一掺杂条垂直相交的第二掺杂条；形成于第一掺杂条和第二掺杂条交接处的第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极一侧的第二电极和第三电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极另一侧的第四电极和第五电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极一侧的第六电极和第七电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极另一侧的第八电极和第九电极。这样，可以通过单个霍尔器件实现三轴磁场的探测。
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公开(公告)号：CN118884312A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411387835.7
申请日：2024-10-07
申请人： 苏州矩阵光电有限公司
摘要： 本申请公开一种磁场传感器及基于磁场传感器检测磁场分量的方法，该磁场传感器包括第一聚磁部、至少两个磁感应部和至少两个第二聚磁部，至少两个磁感应部设置在第一聚磁部的一侧表面的两端；至少两个第二聚磁部设置在匹配对应的磁感应部远离所述第一聚磁部的一侧表面；第二聚磁部在对应的磁感应部上的正投影，与第一聚磁部在对应的磁感应部上的正投影至少部分重合，且重合区域至少部分位于对应的磁感应部的敏感区内。本申请中磁场传感器具有高灵敏度和高隔离度，具有差分抗干扰的能力，可以同时探测两个轴（X轴和Z轴）向的磁场分量，并对第三轴的磁场进行抑制，并且该磁场传感器的厚度薄、体积小、结构简单。
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公开(公告)号：CN118859051A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410815611.5
申请日：2024-06-24
申请人： 广西电网有限责任公司电力科学研究院 , 西安交通大学
摘要： 本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法及装置，其包括面外磁场传感器，所述面外磁场传感器包括基片分为基底、种子层、非磁性材料层、磁性材料层、保护层，四者从下至上依次重叠排列；所述非磁性材料层用于使相邻的磁性材料层具有强初始垂直磁各向异性。本发明的有益效果为制备方法简单、成本低，所制备的多层膜结构的界面清晰、平整且附着力好，具有良好的初始垂直磁各向异性。体积小，利于集成，降低了Z轴体积。除此之外，该面外磁场探测器还通过铁磁层采用退火的方式降低垂直磁各向异性，提升了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110716161B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201911100974.6
申请日：2019-11-12
申请人： 湖北文理学院
发明人： 蔡兵
IPC分类号： G01R33/07 , G01R19/165
摘要： 本发明公开了一种基于开关电路的信号区间检测判断电路，所述信号发出模块的输出端分别与第一比较器、第二比较器反相端相连接，第一比较器同相端与第一信号调节电路相连接，第二比较器同相端与第二信号调节电路相连接；所述第一比较器输出端作为判断电路输出端，第一比较器输出端通过电阻R3与工作电压相连接，第一比较器输出端还与开关电路模块的信号输出端相连接；第二比较器输出端通过电阻R4与工作电压相连接，第二比较器输出端还与开关电路模块的信号控制端相连接；开关电路模块的信号输入端与接地电路相连接。本设计具有电路简单，成本低，功耗小等优点。
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公开(公告)号：CN118393408B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410855624.5
申请日：2024-06-28
申请人： 宁波中车时代传感技术有限公司
摘要： 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
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公开(公告)号：CN118625227A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310224163.7
申请日：2023-03-09
申请人： 广州视源电子科技股份有限公司 , 广州视睿电子科技有限公司
发明人： 姚卫
摘要： 本申请实施例提供了一种磁场变化检测电路、电路板及交互智能平板，涉及电子设备技术领域，该电路能够通过外界磁场的监测，并将细微的电压变化转换为明显的频率变化，形成输出频率与输入控制电压存在对应关系的振荡电路，使得磁场的变化更加容易地被检测到，实现有效且可靠的磁场变化检测；该电路应用于交互智能平板上时能够使得提放笔引起的细微电压变化转换为明显的频率变化，有效地提升了提放笔检测的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN118409253B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410873560.1
申请日：2024-07-02
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开一种反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统，涉及霍尔传感器领域，其中，反常霍尔效应传感器包括电极层及反常霍尔效应传感部件；电极层用于为反常霍尔效应传感部件供电；反常霍尔效应传感部件包括依次设置的基底、第一非磁性层、层间交换耦合组件、第二非磁性层及覆盖层；层间交换耦合组件包括依次设置的第一磁性层、间隔层及第二磁性层；或者，层间交换耦合组件包括依次设置的多个耦合组件，每个耦合组件均包括依次设置的磁性层及间隔层。本发明具有超高的灵敏度的同时兼顾低噪声和良好稳定性，有着较高的磁检测能力。
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公开(公告)号：CN111693194B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010174120.9
申请日：2020-03-13
申请人： 欧玛里斯特有限责任两合公司
发明人： B·霍夫曼
摘要： 本发明涉及一种力测量设备(1)，其测量原理基于测量两个部件(3、5)的相对位置，该相对位置会被弹性的回位力影响，设有测量装置(7)，其设置用于利用磁相互作用测量所述相对位置。尤其是提出，将这种力测量设备(1)例如用于防止执行装置的超调。本发明还涉及一种传动装置、一种执行装置以及力测量设备的应用。
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