公开(公告)号：CN118685857A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410798355.3

申请日：2024-06-20

申请人： 内蒙古沐邦新材料有限公司

发明人： 张忠华 ,  凌继贝 ,  杨平 ,  冯绍

IPC分类号： C30B28/00 ,  C30B29/06 ,  F27D19/00

摘要： 本发明公开了一种多晶提纯炉的炉压控制方法，包括在多晶提纯炉外设置滑阀泵，多晶提纯炉主阀接口与滑阀泵连接，还包括对多晶提纯炉设置惰性气体通入管，多晶提纯炉上还设有质量流量控制器；所述质量流量控制器监控多晶提纯炉内压力和惰性气体通入管的气体流量；滑阀泵启动通过主阀接口对多晶提纯炉抽真空，同时惰性气体通过惰性气体通入管送入多晶提纯炉，质量流量控制器监控多晶提纯炉内压力和惰性气体通入管的气体流量。本发明与现有技术相比的优点在于：提供一种解决和消除拉弧，方便炉压控制使用的一种多晶提纯炉的炉压控制方法。

公开(公告)号：CN110167909B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201780072982.7

申请日：2017-10-24

申请人： 心悦生医股份有限公司

发明人： 蔡果荃 ,  王景正 ,  谢天岚

IPC分类号： C07C63/08 ,  C30B28/00 ,  C30B29/00 ,  A61P25/18 ,  A61P25/28 ,  A61P25/26

摘要： 本发明提供了苯甲酸钠的多晶型物，其X射线衍射谱于反射角2θ包含分别位于约为5.9、30.2及31.2度之位置的复数个特征峰；或者，其X射线衍射谱于反射角2θ包含分别位于约为3.7、5.9及26.6度之位置的复数个特征峰。本发明也提供用以制备苯甲酸钠多晶型物的方法，以及其用于治疗神经精神疾病(例如精神分裂症、精神疾病、忧郁症或阿兹海默症)及/或降低罹患该疾病之风险的用途。

公开(公告)号：CN114634166A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210274495.1

申请日：2022-03-21

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 马衍伟 ,  孙乔 ,  王栋樑 ,  张现平 ,  徐中堂 ,  董持衡

IPC分类号： C01B19/00 ,  C30B28/00 ,  C30B29/46 ,  H01B12/00

摘要： 本发明属于超导多晶块材技术领域，提供了一种铁基(FeSexTe1‑x)超导多晶块材及其制备方法。本发明的制备方法中，使用与δ相晶体结构相同的容器作为与原料直接接触的反应容器，将冷却结晶过程中的均匀形核主导转变为异质形核主导，诱导冷却成相过程中具有强织构δ相的形成，进一步形成具有强织构的β超导相，在保持原有熔融法简单、低成本和周期短的情况下大幅度提升了FeSexTe1‑x超导多晶块材的超导性能。实施例的数据表明：本发明提供的FeSexTe1‑x超导多晶块材在5K、0T的条件下，临界电流密度为60000～104000A/cm2。

公开(公告)号：CN111647947A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010659461.5

申请日：2020-07-09

申请人： 中仁思源实业发展有限公司

发明人： 吕冰

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B28/00

摘要： 本发明涉及一种锑化镓多晶原料的合成装置及方法，该装置通过采用密闭的安瓿瓶，同时结合独特的石英坩埚结构和工艺设计，从而避免了高温下锑单质的大量挥发，成功获得了化学计量比接近1:1的锑化镓多晶原料，并且具有极好的工艺重复性。

公开(公告)号：CN110644046A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910936205.3

申请日：2019-09-29

申请人： 扬州荣德新能源科技有限公司

发明人： 邵长洲 ,  韩晓敏 ,  孙永付 ,  夏益民

IPC分类号： C30B28/00

摘要： 本发明涉及一种多晶炉台一台真空泵控制多台多晶炉运行改造方法，具体方法如下：（1）在操作前先将相邻多晶炉串联；（2）正常运行状态下真空泵上的V8阀是打开的，V9阀是关闭的；（3）进行并接操作时，先将计划继续运行的主真空泵的V9阀打开，挂好标牌；（4）将准备停的辅真空泵的V8阀关闭，挂好标牌；（5）打开辅真空泵V9阀，挂好标牌；（6）将计划停用的辅泵关闭；（7）当并接的多晶炉中有一台运行结束时，需将停炉的多晶炉分离，恢复正常运行状态；（8）关闭主泵和辅泵的V9阀，挂好标牌。本发明直接减少真空泵的使用数量，从根本上减少能耗，降低故障发生频率。

公开(公告)号：CN107338472B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710505203.X

申请日：2017-06-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 张忻 ,  冯琦 ,  刘洪亮 ,  肖怡新 ,  赵吉平

IPC分类号： C30B28/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应‑放电等离子烧结(SPS)‑活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs24Al28O64]4+·[2(1‑X)O2‑]·4Xe‑多晶块体，该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。

公开(公告)号：CN103189548A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180052574.8

申请日：2011-10-28

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： S·皮姆普特卡 ,  J·S·斯派克 ,  S·纳卡姆拉 ,  S-I·川端康成

IPC分类号： C30B28/00

CPC分类号： C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/24479

摘要： 在具有至少两个相互成锐角、直角或钝角（即大于0度且小于180度）的表面的起始晶种上III族氮化物晶体的氨热生长，从而所暴露的表面一起形成凹面。

公开(公告)号：CN1848365B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

公开(公告)号：CN101423220A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810202821.8

申请日：2008-11-17

申请人： 上海普罗新能源有限公司

发明人： 史珺 ,  水川 ,  佟晨 ,  宗卫峰

IPC分类号： C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C30B35/00 ,  F27B17/00

摘要： 一种多温区硅材料提纯与铸锭的方法及装置，将硅料中加入造渣剂后放入坩埚中，对硅料进行感应加热熔融、真空熔炼，并通入氧化性气体进行反应，随后对硅料进行降温定向凝固，并结晶成硅锭；本发明的装置包括坩埚系统、升降装置、感应加热器和电阻加热体，感应加热器设于电阻加热体上面，其分别构成感应加热区和电阻加热区，升降装置设于电阻加热区下面，并且可以在感应加热区和电阻加热区内上下移动，坩埚系统设于升降装置上，采用本发明的方法及装置提纯及铸锭的硅锭纯度高、提纯效率高，而且整个过程在一个炉体内完成，节约了时间和能源。

公开(公告)号：CN100999388A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610130711.6

申请日：2006-12-30

申请人： 南开大学

发明人： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  李学东 ,  孟志国 ,  李娟 ,  李鹤

IPC分类号： C03C17/22 ,  C04B41/51 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C08J7/06

摘要： 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃－600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。