-
公开(公告)号：CN118957743A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411040630.1
申请日：2024-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种原料位置可调的碳化硅晶体生长方法及设备。本发明依据PVT法碳化硅晶体生长基本原理和过程，在构建满足碳化硅晶体生长要求的热场温度梯度条件和工艺参数基础上，通过在晶体生长过程中调节原料位置，实现原料持续供应，为增加晶体厚度提供原料保障；与传统单纯控制装料坩埚下降延长碳化硅晶体生长空间相比较，通过本方案即能够满足碳化硅生长长度的需要，同样能够保证碳化硅原料的分层稳定、高效进行升华，保证了碳化硅晶体的质量。
-
公开(公告)号：CN118957742A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410995735.6
申请日：2024-07-24
申请人： 武汉金信新材料有限公司
发明人： 董世昌
IPC分类号： C30B23/00
摘要： 本发明涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种基于物理气相传输的智能长晶炉，包括：炉体；加热组件，用以按照预设的加热方式进行加热；保温结构，用以形成保温环境；坩埚体；导气组件，用以对所述第二腔体按照预设的导气方式进行导气；参数检测组件；长晶控制单元，用以根据所述参数检测组件的检测结果判断各加热方式是否具备启动条件以调整所述加热组件的加热方式，以及根据所述真空度检测组件检测到的所述第二腔体内部的真空度以及所述温度检测组件检测到的所述第二腔体内部预设测温位置的温度确定所述导气组件的导气方式。本发明能够提高晶锭均匀性，避免由于晶锭均匀性差导致的晶锭开裂问题。
-
公开(公告)号：CN118880447A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411355720.X
申请日：2024-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 韩江山
摘要： 本发明实施例提供了一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括：坩埚本体、坩埚盖、籽晶托、籽晶、导流罩以及碳化硅衬底片。其中，坩埚盖可拆卸地连接于坩埚本体的顶部，并与坩埚本体共同形成原料腔。籽晶托设置于坩埚盖的内侧壁。籽晶固定连接于籽晶托。导流罩设置于原料腔内，导流罩的顶端罩设于籽晶外，导流罩的底端具有导流口。碳化硅衬底片设置于导流罩的底端，用于封闭导流口，并能够随坩埚本体内温度升高而发生熔化并掉落，从而打开导流口。该碳化硅晶体生长装置能够避免预先升华的硅氛对籽晶上生长的碳化硅质量造成不良影响，保证了籽晶上生长的碳化硅晶体质量。
-
公开(公告)号：CN118854439A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410917443.0
申请日：2024-07-09
申请人： 眉山博雅新材料股份有限公司
IPC分类号： C30B23/00 , C30B19/10 , G16C20/70 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/044
摘要： 本说明书实施例提供一种长晶设备的参数控制方法、系统和存储介质。所述方法包括：确定对长晶设备的生长条件参数进行调整的目标时间，长晶设备用于生长目标晶体；在目标时间，获取目标晶体的红外光谱数据、反应室的当前环境数据和气流调节阀的当前开度数据；基于红外光谱数据、当前环境数据和当前开度数据确定生长条件参数的目标值，并基于目标值调整长晶设备的控制设备。
-
公开(公告)号：CN118851797A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410893297.2
申请日：2024-07-04
申请人： 湖南联合半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及陶瓷涂层领域，具体涉及一种碳化钽复合涂层及其制备方法和应用。所述碳化钽复合涂层包括由表及里的碳化钽涂层和碳化钽‑碳复合涂层；所述碳化钽‑碳复合涂层为多孔碳素涂层与含钽原料在孔内发生原位反应得到。本发明通过对石墨基体喷碳处理，使石墨表面粗糙化，在CVD沉积过程中五氯化钽原料不仅会与碳源反应沉积碳化钽涂层，且气源同时也会渗透进入碳涂层孔内与碳涂层在一定程度上发生原位反应，形成C‑TaC过渡层，不仅有效的缓解了热膨胀系数差异导致的失配问题，还一定程度上增强了涂层与基体的附着力。
-
-
公开(公告)号：CN118773730A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410864300.8
申请日：2024-06-30
申请人： 江苏集芯先进材料有限公司
发明人： 李远田
摘要： 本发明公开一种用于提高六英寸碳化硅单晶有效厚度的热场体系，包括外坩埚，所述外坩埚内部从下至上依次安装有内坩埚和导流筒，所述导流筒和所述内坩埚外侧壁均与所述外坩埚内侧壁紧密贴合，所述内坩埚和所述导流筒之间安装有所述导流板，所述导流板上部铺设有过滤层；所述外坩埚上部由石墨盖密封，所述外坩埚下部由石墨底盖密封，所述外坩埚外部四周包裹有石墨毡，所述石墨底盖上表面同轴设置有石墨纸卷筒，所述石墨纸卷筒的高度与所述内坩埚中的粉料高度一致。本发明能够提高粉料利用率，降低企业生产成本，提高碳化硅晶体的有效厚度。
-
公开(公告)号：CN118723995A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410667934.4
申请日：2024-05-28
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 一种长晶用碳化硅粉料的制备工艺及其使用的用于合成碳化硅粉料的坩埚，属于半导体材料制备技术领域，第一步，取粒径为10μm～80μm的碳粉与粒径为500μm～6000μm的硅粉，以摩尔比1:1进行混合得到第一混料；第二步，将第一步中的第一混料铺设在坩埚内表面上；第三步，将第二步中铺设有第一混料的坩埚放入合成炉中进行高温、低压烧结得到第二混料；第四步，将第三步中的第二混料取出进行破碎筛分后以若干个混料集合进行存储。解决了产出颗粒度为8～40目的粉料在整个粉料产出的占比低的问题。
-
公开(公告)号：CN118639318A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411072647.5
申请日：2024-08-06
申请人： 合肥高纳半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种电阻法碳化硅单晶生长设备，该电阻法碳化硅单晶生长设备包括支架，支架上设置有真空腔室，真空腔室内设置有石墨发热体，真空腔室上设置有加热组件，加热组件穿过真空腔室与石墨发热体连接，加热组件将石墨发热体竖直悬挂在真空腔室内部，加热组件通过电流使石墨发热体发热，以对真空腔室的内部进行加热。本发明提供的电阻法碳化硅单晶生长设备，通过电阻加热原理，能够实现较为均匀的加热效果，避免了温度不均匀导致的质量问题，相比其它加热方式，石墨发热体加热能够将电能高效转化为热能，减少能量损耗，提高能源利用效率，而且石墨发热体的加热功率和加热时间可以通过调节电流和电压等参数来控制，操作简单。
-
公开(公告)号：CN118621434A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118590.8
申请日：2024-08-15
申请人： 苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种多坩埚生长设备及使用方法，涉及晶体生长技术领域。该多坩埚生长设备包括至少两个坩埚、隔热托板以及旋转装置，隔热托板上设有至少两个安装孔，安装孔的数量和坩埚的数量一一对应，每个安装孔内均安装有坩埚，旋转装置和隔热托板连接，用于带动隔热托板旋转，从而同时带动至少两个坩埚旋转。相比于现有技术中坩埚吊装的连接方式而言，将坩埚安装在隔热托板上能够避免出现坩埚掉落的现象，而且现有技术中坩埚底部支撑的连接方式会导致坩埚底部始终有一个位置的受热不佳，从而影响晶体生长稳定性，将坩埚安装在隔热托板上使得坩埚的底部能够均匀受热，有利于坩埚的温度控制，确保晶体生长稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
2604 条记录 (耗时 0.023 秒)
