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公开(公告)号：CN118957534A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411013976.2
申请日：2024-07-26
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于二维材料领域，公开了一种图案化衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用，该图案化衬底上的二硫化钼薄膜包括图案化起伏的衬底和原位生长在该衬底上的二硫化钼层；二硫化钼层包含有单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域；并且，在任意一个二硫化钼单晶晶域下方的衬底区域，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。本发明利用原位生长，在图案化衬底上得到了保形生长的二硫化钼薄膜，二硫化钼单晶晶域与图案化衬底之间为紧密接触，没有空隙及气泡，性能优于传统转移方式得到的图案化衬底上二硫化钼薄膜。基于该图案化衬底上二硫化钼薄膜构建的光电导型光电探测器在响应时间、明暗电流比、比探测率等方面具有更优的表现。
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公开(公告)号：CN118291947B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410424266.2
申请日：2024-04-09
申请人： 湖南德智新材料有限公司
摘要： 本发明涉及复合材料技术领域，提供了一种碳基材料表面复合涂层及其制备方法和应用，所述复合涂层包括结合在碳基材料表面的含n层梯度涂层的碳/碳化硅梯度涂层和碳化硅涂层；n＞1；沿碳基材料表面至碳化硅涂层的方向，每层碳/碳化硅梯度涂层中碳元素含量为2～40wt％，并依次降低，第1层梯度涂层和第n层梯度涂层的碳元素含量差不低于3wt％；沿碳基材料表面至碳化硅涂层的方向，每层碳/碳化硅梯度涂层的平均晶粒尺寸小于碳化硅涂层，且依次增加。本发明在石墨基和碳化硅涂层之间引入了碳/碳化硅梯度涂层，提高了两者之间的界面适配性，可以减少应力集中和裂纹的形成，提高产品的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118880297A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410958188.4
申请日：2024-07-17
申请人： 福建金石能源有限公司
摘要： 本发明涉及PECVD镀膜技术领域，公开了一种一站式PECVD沉积方法及其设备，该方法采用若干PECVD沉积腔同步、长节拍一站式完成异质结电池正背面钝化层或掺杂层或大型平板显示基板的多晶硅薄膜的工艺沉积和辅助动作，以堆栈方式一次完成各沉积腔载板的批传送。该设备包括一体化沉积模块和堆栈式输入、输出模块。一体化沉积模块用于实现太阳能电池或大型平板显示基板的多沉积腔同步、长节拍一站式工艺沉积和一次辅助动作，并与堆栈式输入、输出模块组合，实现载板的批传送。本发明满足大规模量产同时避免沉积过程被多站节拍分割成若干空间和时间片断，实现了沉积工艺的完整性和灵活性，有利于提升沉积质量与工艺升级空间，具有高效节能和低成本等特点。
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公开(公告)号：CN117888075B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410055444.9
申请日：2024-01-15
摘要： 本发明公开一种冷凝换热用沟槽微纳米结构油膜浸润表面及制备方法，属于多级结构超疏水表面制备与滴状冷凝传热高性能材料领域。该冷凝换热用沟槽微纳米结构油膜浸润表面为分层微/纳米混合结构表面，在微米级沟槽阵列结构的基础上制备出纳米级的子结构，然后在微/纳米超疏水结构表面上注入油膜。采用本发明制备的沟槽微纳米结构阵列油膜表面，在冷凝过程中，微纳米分层结构可以增强悬浮在注入油层顶部的液滴的去除。而且接触角更低，液滴成核速率更大，且在液滴周围生成的润湿脊有利于液滴的合并，缩短了液滴在重力诱导下脱离表面的时间，提高了表面刷新率，显著增强滴状冷凝传热。
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公开(公告)号：CN118851797A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410893297.2
申请日：2024-07-04
申请人： 湖南联合半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及陶瓷涂层领域，具体涉及一种碳化钽复合涂层及其制备方法和应用。所述碳化钽复合涂层包括由表及里的碳化钽涂层和碳化钽‑碳复合涂层；所述碳化钽‑碳复合涂层为多孔碳素涂层与含钽原料在孔内发生原位反应得到。本发明通过对石墨基体喷碳处理，使石墨表面粗糙化，在CVD沉积过程中五氯化钽原料不仅会与碳源反应沉积碳化钽涂层，且气源同时也会渗透进入碳涂层孔内与碳涂层在一定程度上发生原位反应，形成C‑TaC过渡层，不仅有效的缓解了热膨胀系数差异导致的失配问题，还一定程度上增强了涂层与基体的附着力。
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公开(公告)号：CN112760644B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110017035.6
申请日：2021-01-06
申请人： 松山湖材料实验室
IPC分类号： C23C28/00 , C23C16/26 , C23C16/02 , C25D3/38 , C22F1/08 , C22F1/02 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种复合板及其制备方法、均热板。复合板包括依次层叠设置的第一铜箔、石墨烯层以及第二铜箔；其中，所述第一铜箔为晶畴数小于或等于5个/平方厘米；所述第二铜箔为电镀铜。在晶畴数小于或等于5个/平方厘米的第一铜箔具有较佳的导热性，在第一铜箔上设置石墨烯层，然后在石墨烯层上设置电镀铜且厚度可调至1μm至1mm，电镀铜以及第一铜箔可以克服石墨烯层不能作为结构材料的问题，由分别位于石墨烯层两侧的晶畴数较小的第一铜箔以及电镀铜组成的复合板，具有较佳的导热系数和合适的强度。
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公开(公告)号：CN118841304A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310460236.2
申请日：2023-04-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509 , C23C16/458 , C23C16/02 , H01J37/08 , H01L21/673 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备，包括管式工艺腔室，用于容纳载片舟；在管式工艺腔室的轴向上的两端分别设置有进气口和抽气口；原位等离子体源，其设置于管式工艺腔室的排气口所在一侧，并与管式工艺腔室中的载片舟电连接，用于向载片舟加载射频功率，以对载片舟的各相邻的两个舟片之间的沉积物进行刻蚀；远程等离子体源，其设置于管式工艺腔室的进气口所在一侧，用于向管式工艺腔室内提供等离子体，以对载片舟的所有舟片中位于外侧的舟片以及舟脚上的沉积物进行刻蚀。本发明的方案无需拆卸载片舟，而且可以缩短清洗时间，降低清洗成本。
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公开(公告)号：CN115478258B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110603067.4
申请日：2021-05-31
申请人： 中国石油天然气集团有限公司 , 中国石油天然气集团公司管材研究所
IPC分类号： C23C16/36 , C23C16/02 , C23C16/448
摘要： 本发明公开了一种316L不锈钢表面的碳氮化钛涂层及其制备方法，该涂层具有等轴晶结构及微米级块状晶粒形貌，该结构可以有效改善碳氮化钛涂层与316L不锈钢基体之间的热膨胀系数失配，并降低涂层与基体之间界面应力以及涂层内应力的特点，具备等轴晶与微米级块状晶粒的碳氮化钛涂层材料可以实现高防腐、高耐磨及低应力的兼顾，该涂层与金属基体实现冶金结合，兼具高防腐、高耐磨、良好韧性与结合力等特点。本发明所述涂层可以有效改善地面管线用316L不锈钢材料的防腐蚀与耐磨损性能。
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公开(公告)号：CN117888076B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311843307.3
申请日：2023-12-28
申请人： 苏州海思利福生物医疗科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种热导检测器用热丝及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：对原料热丝进行刻蚀；在热丝表面及刻蚀孔洞沉积低维纳米材料。本发明将热导检测器用热丝刻蚀出微纳米空洞后沉积低维纳米材料生成复合纳米结构，在微观界面上均匀复合从而实现电导率在各方向各界面处的均匀性，从而保证整体热导器件的稳定性；增强金属在高温下的机械性能，如抗拉强度等，从而可以制备更细的复合热导丝，实现更灵敏的检测；使用该热丝的热导检测器具有更强的抗腐蚀能力，从而增加了使用寿命。
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公开(公告)号：CN116613245B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310677446.7
申请日：2023-06-09
申请人： 无锡松煜科技有限公司
摘要： 本发明提供一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，在微负压条件下，利用LPCVD工艺在硅片表面沉积隧穿氧化层；所述微负压条件为300~700torr。本发明采用微负压沉积隧穿氧化层工艺，使得LPCVD工艺的整个反应过程中，反应腔室的压力保持低于大气压状态，无热气流经过炉门及密封圈，改善了反应室的密封性，避免反应室内的气体泄漏或者炉管外的空气混入反应室内，确保隧穿氧化层和非晶硅薄层的沉积质量，从而提高看了TOPcon电池的转换效率；同时，使后续的沉积非晶硅层工序中抽真空至低压工艺保持稳定状态，降低返工率，从而提高TOPcon电池中LPCVD直通率。
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