MnZn系铁氧体
    1.
    发明公开
    MnZn系铁氧体 审中-公开

    公开(公告)号:CN118922393A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202380029249.2

    申请日:2023-03-16

    IPC分类号: C04B35/38 H01F1/34

    摘要: 本发明所述的MnZn系铁氧体以氧化物换算含有50mol%~53mol%的Fe2O3、8mol%~10mol%的ZnO、以及37mo1%~42mol%的MnO作为主要成分,并且以氧化物换算含有100ppm~300ppm的CaO、120ppm以下的SiO2、100ppm~500ppm的Nb2O5、0ppm~200ppm的ZrO2、2000ppm~4000ppm的Co3O4、以及0ppm~1500ppm的SnO2作为副成分。

    一种低应力敏感的锰锌铁氧体及其烧结方法

    公开(公告)号:CN118908709A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411157075.0

    申请日:2024-08-22

    摘要: 本发明提供一种低应力敏感的锰锌铁氧体及其烧结方法。所述烧结方法包括以下步骤:(1)将锰锌铁氧体粉料压制成型,得到待烧结坯件;(2)将所述待烧结坯件进行多级烧结,然后进行降温,得到所述低应力敏感的锰锌铁氧体;其中,所述多级烧结的过程由温度呈梯度增加的一级烧结、二级烧结、三级烧结和四级烧结组成。本发明通过采用温度呈梯度增加的一级烧结、二级烧结、三级烧结和四级烧结的多级烧结方式,制备得到了一种低应力敏感、宽频高阻抗高导的锰锌铁氧体,其在在受到相同应力的情况下较传统锰锌铁氧体的电感跌落的比例较小。

    MnZn系铁氧体用造粒粉及其制造方法、以及MnZn系铁氧体及其制造方法

    公开(公告)号:CN118830036A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202380013893.0

    申请日:2023-10-12

    摘要: 本发明提供一种能够制造MnZn系铁氧体的造粒粉,上述MnZn系铁氧体兼具:关于E型芯体的依据JIS C2560的烧结体(型号E42/15)的M强度,不仅平均值高而且不会出现强度显著低的样品的优异的机械特性;以及100℃、100kHz、200mT的损耗值为380kW/m3以下的良好的磁特性。在本发明的造粒粉中,在铁化合物、锌化合物、锰化合物的合计以Fe2O3、ZnO、MnO换算量计为100mol%时,上述铁化合物以Fe2O3换算量计为51.5~56.8mol%,上述锌化合物以ZnO换算量计为5.0~15.5mol%,并且上述锰化合物以MnO换算量计为余量,相对于上述铁化合物、上述锌化合物、上述锰化合物的合计量,硅化合物以SiO2换算量计为50~300质量ppm,钙化合物以CaO换算量计为100~1300质量ppm,并且铌化合物以Nb2O5换算量计为100~400质量ppm,上述造粒粉的转矩比为1.7以上。

    锰锌铁氧体及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118812254A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202310409604.0

    申请日:2023-04-17

    发明人: 廖忠明 邱兆国

    摘要: 一种锰锌铁氧体及其制备方法,所述方法包括:将锰锌铁氧体粉末与聚乙烯醇溶液进行混合获得混合物,并对所述混合物进行研磨;对研磨后的所述混合物进行压制成型处理,以得到压制成型产物;对所述压制成型产物进行烧结处理,以得到锰锌铁氧体;其中,所述烧结处理包括升温处理阶段,所述升温处理阶段包括:多个升温阶段,所述多个升温阶段中至少两个所述升温阶段具有不同的升温速率。本申请制备得到的锰锌铁氧体在高频下保持低损耗的同时,也能够具有高饱和磁通密度和低剩磁,即制备得到了具有大的磁感应强度变化量的锰锌铁氧体。

    一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法

    公开(公告)号:CN118239766A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410255321.X

    申请日:2024-03-06

    摘要: 一种高Tc高Bs高导锰锌铁氧体及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用全新的富铁少锌主配方设计,通过调控尖晶石次晶格间超交换作用,在满足高居里温度的同时,弥补了起始磁导率下降的缺陷;引入多种添加剂以发挥综合效应,通过Ti4+调控磁晶各向异性常数,提高磁导率,通过低熔点助熔添加剂促进大晶粒的生长,有利于高磁导率材料的形成,同时增大烧结体密度,从而提高饱和磁感应强度;提供了一种新的保温阶段烧结思路,同时优化全过程的烧结氧分压曲线,在生产成本变化不大的情况下,将材料综合性能提升到了一个更高的高度。本发明得到了在满足高居里温度情况下同时具有高磁导率和高饱和磁化强度的MnZn铁氧体。

    一种热敏陶瓷的生产工艺

    公开(公告)号:CN116813325B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202310339079.X

    申请日:2023-04-01

    发明人: 曹军

    摘要: 本申请涉及一种热敏陶瓷的生产工艺。包括以下制备步骤:1):将热敏陶瓷原料分别静置,密封保存,得到待用配料;2):分别称取待用配料,混合,得到混合料,将混合料与水,球磨,烘干,得到球磨料;3):将球磨料过筛,预烧,得到预烧料;4):将混合料与水,混合,球磨,得到二磨料;5):将二磨料静压成型,烧结,得到陶瓷芯锭;6):将陶瓷芯锭切割成陶瓷片,再将银浆涂布于陶瓷片的表面,固化,切割,得到热敏陶瓷:上述工艺中,通过两次的磨球使得热敏陶瓷的原料更细腻,且原料之间充分混合均匀,而通过预热处理,进一步提高其原料体系的相容性,提高制得的热敏陶瓷的致密性,使得热敏陶瓷获得较佳热敏效果。

    一种锰锌软磁铁氧体磁芯及其烧结方法和应用

    公开(公告)号:CN117819957A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311870278.X

    申请日:2023-12-29

    摘要: 本发明公开了一种锰锌软磁铁氧体磁芯及其烧结方法和应用。本发明锰锌软磁铁氧体磁芯的烧结方法包括粉料、压制成型和烧结,所述烧结处理包括以下步骤:S1.升温阶段:在氮气和氧气混合气体气氛中,将锰锌软磁铁氧体磁芯在其吸热峰特征温度下保温55~65min,然后升温至1100℃时开始致密化至1200℃,再继续升温至1245~1255℃;S2.保温阶段:在1245~1255℃条件下烧结成型;S3.降温阶段:温度降低至1195~1205℃时保温处理30~120min,继续降低至1155~1165℃时保温处理60~120min。该烧结方法不仅能够调控软磁铁氧体中Fe2+与Fe3+的比例来降低高温损耗,还可以改善晶粒生长均匀性、形成尺寸相对较小的晶粒,同时还可以减少气孔以及异相,从而降低锰锌软磁铁氧体磁芯在‑20~140℃、100~400KHz条件下的损耗。

    一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116891378A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310984451.2

    申请日:2023-08-07

    IPC分类号: C04B35/38 H01F1/34 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法,所述铁氧体材料包括主成分和辅助成分,所述主成分为48~49mol%的Fe2O3、以MnO计44~50mol%的Mn3O4和2~7mol%的ZnO;以及所述辅助成分为,基于所述主成分的总重量以Co计x wt%的钴氧化物,其中x的取值范围为主成分中MnO的mol%数值除以(35±4);所述铁氧体材料还掺杂选自SiO2、CaCO3、V2O5、Nb2O5、Bi2O3、MoO3中的至少三种,基于所述主成分的总重量,SiO2为50~120ppm、CaCO3为300~1000ppm、V2O5为0~200ppm、Nb2O5为100~400ppm、Bi2O3为0~400ppm、MoO3为0~400ppm。本发明所述抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料可以有效降低抗EMI磁心因偏置导致的电感跌落。

    一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116891376A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310984434.9

    申请日:2023-08-07

    IPC分类号: C04B35/38 C04B35/622 H01F1/34

    摘要: 本发明涉及一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法,所述铁氧体材料包括主成分和辅助成分,所述主成分为48~49mol%的Fe2O3、以MnO计39~45mol%的Mn3O4和7~12mol%的ZnO;以及所述辅助成分为,基于所述主成分的总重量以Co计x wt%的钴氧化物,其中x的取值范围为主成分中MnO的mol%数值除以(35±4);所述铁氧体材料还掺杂选自SiO2、CaCO3、V2O5、Nb2O5、Bi2O3、MoO3中的至少三种,基于所述主成分的总重量,SiO2为40~100ppm、CaCO3为200~800ppm、V2O5为0~300ppm、Nb2O5为50~400ppm、Bi2O3为0~500ppm、MoO3为0~500ppm。本发明所述抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料可以有效降低抗EMI磁心因偏置导致的电感跌落。