一种用于二氧化碳加氢的高熵金属氧化物及其制备方法

    公开(公告)号:CN118925734A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410999826.7

    申请日:2024-07-24

    摘要: 本发明属于高熵氧化物材料技术领域,公开了一种用于二氧化碳加氢的高熵金属氧化物及其制备方法,本发明高熵金属氧化物,其组分包括:CeO2、CuO、ZnO、Ga2O3和ZrO2,其中,元素Ce、Cu、Zn、Ga和Zr的摩尔比为(4±0.1):(1±0.1):(1±0.1):(1±0.1):(1±0.1)。制备方法包括:将络合剂、燃料以及金属盐配置成均匀的混合液;蒸发掉混合液中的多余水分,直至混合液转变为凝胶状;使凝胶状物质在空气气氛中进行燃烧反应,得到燃烧产物;将燃烧产物在空气气氛下进行煅烧处理,煅烧结束后得到用于二氧化碳加氢的高熵金属氧化物。本发明高熵金属氧化物具有高比表面积、多孔结构、热稳定性优异的特点。

    一种Zr2ON2材料的合成方法及其应用

    公开(公告)号:CN118771446A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411050218.8

    申请日:2024-08-01

    发明人: 章福祥 鲍云锋

    摘要: 本发明公开了一种Zr2ON2材料的合成方法及其应用,方法包括以下步骤:将氧化锆和活泼金属的氢化物进行研磨混合,得到混合物;在氨气氛围中,将混合物在700℃~850℃条件下进行氮化反应0.3h~30h,再经洗涤、干燥,得到Zr2ON2材料。本发明采用活泼金属的氢化物作为氮化助剂,与ZrO2进行共氮化,在较低温且较短时间里可完全氮化转相为Zr2ON2材料,其结晶度高且缺陷态密度较低,其应用于光催化染料降解、光催化水分解产氢反应或光催化水分解产氧反应均取得优异的光催化活性。

    一种固态电解质的制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118702143A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410707753.X

    申请日:2024-06-03

    发明人: 吴珊 王安

    摘要: 本发明涉及一种固态电解质的制备方法,包括如下步骤:将氯氧化锆、氯化锆、氯化锂混合,球磨,获得氯氧化锆锂前驱体;将所述氯氧化锆锂前驱体压制成片后,将所述片填埋于填料粉末中后,再烧结,冷却后,取出片状物,即得固态电解质。通过在氮化硼和氮化铝环境中烧结,不仅有助于降低烧结的温度,提升烧结效果,而且有助于提高最终所得固态电解质的离子电导率和空气稳定性。

    一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114014253B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202111293188.X

    申请日:2021-11-03

    摘要: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域,具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构;所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解,实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜,这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数(从单层到多层)及单晶衬底种类,能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。

    核壳结构前驱体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115710024B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202211307308.1

    申请日:2022-10-24

    摘要: 本申请涉及一种壳核结构前驱体及其制备方法和应用,其壳核结构前驱体包括内核和外壳;内核为类球形,外壳包覆于内核的表面,外壳包括若干片状单体,其中,部分片状单体附着于所述内核的表面。该核壳结构前驱体由于外壳呈包覆形态,能够减小前驱体颗粒之间相互粘结,有利于制备单晶正极材料时降低其阻抗,同时可以使得到的单晶正极材料的颗粒尺寸较均匀,有利于发挥其容量和倍率性能。外壳以片状单体的形貌包覆于内核时,包覆层较薄且较均匀,有利于保护内核的主体材料。该前驱体在与锂源进行烧结时,与锂源的接触较充分,利于锂源向前驱体内渗透,从而得到结晶良好、形貌圆润的单晶正极材料。

    一种质子导体材料及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118387918A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410127602.7

    申请日:2024-01-30

    摘要: 本发明涉及质子导体材料技术领域,具体涉及一种质子导体材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:将BaZrxCeyDyzO3‑δ粉体装填于第一管体内,并转入第二管体中,在第二管体与第一管体之间填充氧化剂,然后在800~1000℃,2~3GPa条件下进行烧结,制得BaZrxCeyDyzO3‑δ质子导体材料。发明在高温高压烧结过程中,在样品周围加入氧化铁粉末作为氧化剂,通过控制高温高压烧结过程中的反应气氛,抑制Ce4+被还原成Ce3+,使制备的Dy掺杂锆铈酸钡质子导体材料不出现电子传导,解决了现有高温高压烧结法会产生还原气氛的问题。

    合成碳酸锆盐交联剂专用原料碳酸锆及其制备方法

    公开(公告)号:CN118289805A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410393954.7

    申请日:2024-04-02

    IPC分类号: C01G25/00 D21H19/38 D21H21/16

    摘要: 本发明是一种合成碳酸锆盐交联剂专用原料碳酸锆及其制备方法。属于锆的化合物制备方法。提供了一种活性保持时间较长,固含量较高、粒径较大且分布均匀的碳酸锆盐交联剂专用原料碳酸锆产品。产品的主要技术指标达到ZrO2≥40wt%,粒径D50≥50μm,固含量≥65wt%。还提供了一种工艺流程简单、操作方便,生产成本较低的合成碳酸锆盐交联剂专用原料碳酸锆制备方法。在主要原料氧氯化锆和无水硫酸钠投料量完全相同的情况下,本发明的制备方法相比现有技术,产品碳酸锆的产量提高15%~20%。省去了酸化工艺步骤,节省了设备投资,降低了生产成本。减少了废水排放量。有益于环境保护。