公开(公告)号：CN118811821A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410800466.3

申请日：2024-06-20

申请人： 昆明理工大学

发明人： 马文会 ,  陈正杰 ,  曲俊宇 ,  伍继君 ,  李绍元

IPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明涉及一种富钾钠生物质复合灰分添加剂强化工业硅中杂质硼去除的方法，属于工业硅精炼提纯技术领域。本发明将块状工业硅破碎、筛分得到硅粉；将富钾钠的生物质干燥、破碎得到生物质粉末；生物质粉末升温至600～900℃，在空气中焙烧60～120min，得到富钾钠生物质复合灰分添加剂；将硅粉和富钾钠生物质复合灰分添加剂混合均匀，装于高纯石墨坩埚中，然后置于感应炉内，在保护气氛围下，匀速升温至1450～1800℃并保温1～4h以去除杂质硼，随炉冷却至室温，去除熔渣得到高纯硅。本发明采用富钾钠生物质复合灰分添加剂强化精炼工业硅以去除杂质硼，可将硼含量降至3.12ppmw以下。

公开(公告)号：CN118771386A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410923570.1

申请日：2024-07-10

申请人： 陕西中泰材料科技有限公司

发明人： 陈飞鹏 ,  闫耀锋 ,  李强 ,  吴向阳 ,  王军

IPC分类号： C01B33/037 ,  F26B7/00 ,  F26B1/00 ,  F26B3/00

摘要： 本发明涉及一种高纯石英砂酸洗脱水方法。本发明包括以下步骤：1)沉淀池或澄清池处理：石英砂在经过酸洗和水洗后，酸洗废水进入污水池，将污水PH至控制在7‑7.5PH，再通过沉淀池或澄清池、沉淀杂质，再将沉淀物通过压滤机将杂质和水分离；2)初步脱水与固液分离：首先通过砂浆泵抽入筛分，将不合格石英砂分离开，合格产品通过浓缩，进入脱水设备，将石英砂中水份降至10％，排出成品库；3)深度脱水：经过初步脱水的石英砂采用烘干设备进行高温干燥，彻底去除孔隙内的水分。本发明可以高效、安全且环保地完成石英砂的脱水工序，同时最大程度地保持其高纯度特性。

公开(公告)号：CN118771349A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410753561.2

申请日：2024-06-12

申请人： 中化学华陆新材料有限公司

发明人： 李林桢 ,  职佳涛 ,  蔡维

IPC分类号： C01B32/05 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  C01B33/037 ,  C01B33/021 ,  B01J13/00

摘要： 本发明公开了一种生物质基碳气凝胶制备硅碳负极材料的方法，通过生物质水溶胶制备、硅粉包覆、冷却干燥、高温碳化、沥青包覆、沥青碳化等步骤，制备得到生物质基碳气凝胶制备硅碳负极材料。本发明使用生物质碳气凝胶为前驱体，在硅核表面生成高孔隙率的碳层，为硅核膨胀预留空间，极大程度的降低硅基负极材料脱嵌锂过程中的体积效应；同时，使用湿法对材料进行外层沥青包覆，提高其包覆的均匀性，降低材料总体的比表面积，减少锂离子的损耗，有效提高首轮库伦效率；隔绝电解液与硅核的直接接触，减少副反应的发生，提高电池循环稳定性。

公开(公告)号：CN118563411B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411050609.X

申请日：2024-08-01

申请人： 内蒙古上航新能源有限公司

发明人： 巢芳家 ,  刘建盛 ,  李子龙 ,  武文斌 ,  杨彪

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C01B33/037 ,  B03B9/00

摘要： 本发明公开了一种直拉N型单晶用硅料的铸锭生产方法，包括以下步骤S11：将原生多晶粉末硅料清洗处理；S12：将步骤S11得到的原生多晶粉末硅料、颗粒硅，装入喷涂好氮化硅涂层的石英坩埚中；S13：将步骤S12中的石英坩埚投入铸锭炉内采用DSS定向凝固法铸锭工艺提纯；S14：开方加工为直方体的毛方锭；S15：除杂和去头尾后得到次成品；S16：再经清洗和破碎处理为3~50mm规格的块料，即为N型单晶用硅料。本发明的制备方法简单，制备的N型单晶用硅料方锭的电阻率，头部＞3Ω·cm，尾部＞20Ω·cm，少子寿命均值≥15μs，可替代原生多晶硅料，作为直拉N型单晶用硅料使用。

公开(公告)号：CN118582974A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410752774.3

申请日：2024-06-12

申请人： 内蒙古沐邦新材料有限公司

发明人： 张忠华 ,  凌继贝 ,  杨平 ,  冯绍

IPC分类号： F27D21/00 ,  C01B33/037

摘要： 本发明公开了一种多晶硅提纯用漏硅防护安全装置，包括炉体，所述炉体上设有炉门、抽真空管和加料管，所述炉体内还连接设有加热坩埚和拉制结构；所述加热坩埚的底端沿其周长方向均匀设有多组监控模组一，炉体内沿其周长方向连接设有多组监控模组二，炉体还与监控模组一、监控模组二电性连接有声光报警器。本发明与现有技术相比的优点在于：提供一种可以有效对炉体内漏硅监控，可以有效的保护人员和财产安全的一种多晶硅提纯用漏硅防护安全装置。

公开(公告)号：CN118419937A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410577496.2

申请日：2024-05-10

申请人： 华南理工大学

发明人： 朱能武 ,  杨茹影 ,  卫晓蓉 ,  李飞

IPC分类号： C01B33/037 ,  B09B3/80 ,  B09B3/70 ,  B09B101/16

摘要： 本发明涉及一种利用低共熔溶剂‑过氧化氢体系从废晶硅太阳能电池中回收晶体硅的方法，主要包括以下步骤：将干燥后的氯化胆碱和草酸按摩尔比1:1混合，得到氯化胆碱‑草酸的DES混合物；将DES混合物、过氧化氢、水混合形成DES‑H2O2混合溶液，将经过预处理得到的晶硅电池片与之混合，使金属充分浸出；浸出步骤结束后，分离液相和固相，固相硅片与NaOH溶液混合，以去除硅片正面的减反射层，过滤后即回收得到表面光滑的高纯度硅片。本发明在不使用强酸的情况下，通过低温、短时间、高效浸出金属来获得高纯度硅片，而且DES具有可回收重复使用的潜力，对环境友好，该工艺具有非常好的产业化应用前景。

公开(公告)号：CN115784236B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202211639111.8

申请日：2022-12-20

申请人： 宁夏海盛实业有限公司

发明人： 胡海福 ,  孙新伟 ,  李海龙 ,  王洪颖

IPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明公开了一种工业硅杂质去除装置及其去除方法，涉及工业硅技术领域。本发明包括硅杂质除杂炉，硅杂质除杂炉上侧开设有进料口，硅杂质除杂炉内装设有粉碎装置，粉碎装置下侧装设有融化装置，融化装置下侧装设有与融化装置相对应的冷却炉和废料储存箱，冷却炉内装设有冷却模具，冷却模具内开设有多个硅锭槽，多个硅锭槽内均装设有顶板。本发明通过设置融化装置和冷却炉，能够使用融化装置先将低于硅融化点的杂质进行去除，再将硅融化，使得高于硅融化点的杂质残留在融化装置内，然后再将液体硅冷却成为固体，从而实现对硅进行提纯，通过设置冷却模具，能够对硅进行定型，减少对空间资源的浪费，方便对提纯后的固体硅进行运输。

公开(公告)号：CN118384828A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410391130.6

申请日：2024-04-02

申请人： 济宁东方芯电子科技有限公司

发明人： 耿开远

IPC分类号： B01J19/18 ,  B01J4/00 ,  B01D21/24 ,  C01B33/037

摘要： 本发明公开了一种芯片生产用硅初步生产设备，涉及生产设备技术领域。该一种芯片生产用硅初步生产设备，包括生产设备，所述生产设备上侧旋转连接有旋转轴，所述旋转轴一上侧固定连接有齿轮一，所述旋转轴齿轮一上侧旋转连接有发动机，所述齿轮一左侧齿轮啮合有运输装置。该一种芯片生产用硅初步生产设备，通过运输装置将原料送到生产设备中进行纯化，启动电机一将旋转环一、旋转环二转动，通过拉绳一、拉绳二将下侧拉力环拉动，使原料盒能够上下进行移动，通过旋转板使进料盒进行左右移动，旋转板将进料盒装满原料后移到进料口上方，通过拉绳三将压力块运送到进料盒上方，将运料盒压至倾斜，使原料通过进料口进入生产设备。

公开(公告)号：CN116425166B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310381362.9

申请日：2023-04-11

申请人： 浙江吉利控股集团有限公司 ,  浙江吉利动力总成有限公司

发明人： 邓晓龙 ,  王桢 ,  刘文强 ,  王鹏 ,  赵福成 ,  陈春辉 ,  费龙盼 ,  门方

IPC分类号： C01B33/037 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

摘要： 本申请提供了一种去除多孔硅表面氧化层的方法，所述方法包括：将还原性金属粉与所述多孔硅混合制得混合物1，将混合物1煅烧后在SiCl4气氛中制得混合物2，将所述混合物2清洗分离干燥，即可去除多孔硅表面氧化层；所述煅烧的煅烧温度为700℃至800℃；所述煅烧的时间为1.5h至2.5h。本申请提供的方法不生成硅酸镁，不影响材料克容量，不会破坏多孔硅结构，不引入新的杂质相，不使用盐酸氢氟酸等酸类。并且能够有效避免发生团聚烧结，损伤基体材料的情况，制备得到的硅材料表面均匀性好，性能稳定，工艺简单，操作方便，安全可靠，可大规模生产，易于后续加工使用。

公开(公告)号：CN114480865B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202011266128.4

申请日：2020-11-13

申请人： 内蒙古君成科技有限公司

发明人： 魏存弟 ,  徐少南 ,  程妍 ,  佐婧

IPC分类号： C22B9/02 ,  C22B21/06 ,  C22C1/02 ,  C22C21/02 ,  C01B33/037

摘要： 本发明公开了一种低温重熔离心分离分级提纯铝硅铁合金的方法，步骤为：(1)将铝硅铁合金投入中频炉内进行高温熔炼，得到铝硅铁合金熔融体；(2)将合金熔融体装入带加热装置的超重力离心装置内降温，控制冷却降温速度和时间，而后在超重力作用下，熔液通过多孔滤板后经冷却凝固得到一级铝硅铁合金块，熔渣为工业硅；(3)将一级铝硅铁合金块继续加热至低温，在超重力作用下，熔液通过多孔滤板后经冷却凝固得铝硅铁合金，熔渣为铝硅铁合金。本发明操作简单方便，生产效率高，无二次污染，易于控制，最终实现铝硅铁合金的分级提纯，得到多种满足市场需求的高附加值产品，适用大规模生产。