高效玻璃基板通孔制备装置及生成多束贝塞尔光束的结构

    公开(公告)号:CN119489280A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411681535.X

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本公开提供了一种高效玻璃基板通孔制备装置及生成多束贝塞尔光束的结构,应用于激光加工技术领域,包括:先通过分束元件对激光器产生的高斯光束进行分束处理,得到多束高斯光束,然后通过光学整形元件对得到的多束高斯光束进行整形处理,得到多束贝塞尔光束,相较于使用单束贝塞尔光束进行玻璃基板通孔的制备,本公开能够产生多束贝塞尔光束,从而能够提升制备的效率;此外,本公开的用于制备玻璃基板通孔的多束贝塞尔光束的任一子光束,均由高斯光束直接转变而来,由于高斯光束具有对称性特点,形成的用于制备玻璃基板通孔的贝塞尔光束,聚焦形成的光斑更圆,从而能够制备高圆度的玻璃基板通孔。

    一种激光钻孔方法和系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119368947A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411698593.3

    申请日:2024-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种激光钻孔方法和系统,涉及激光钻孔技术领域。该激光钻孔方法包括使用脉冲激光器进行钻孔,通过调节所述脉冲激光器发出的脉冲串的波形以及对脉冲串光束整形,可在待加工的材料上形成孔径10‑100μm的微孔;所述脉冲激光器的脉冲串输出频率为1‑20kHz,波长为257‑1064nm;所述脉冲串包括至少两部分子脉冲波形,其中,按先后顺序,前一部分子脉冲波形中的子脉冲能量大于后一部分子脉冲波形中的子脉冲能量。本发明的钻孔方法先利用高能量脉冲串有效实现材料的去除,再利用低能量脉冲串降低对底面材料的损伤。本发明提供的激光钻孔系统,通过整形系统中对脉冲串光束整形实现不同光束的变换,可以实现不同孔径、高锥度的高质量钻孔。

    全自动激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪系统及检测方法

    公开(公告)号:CN119269617A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411789341.1

    申请日:2024-12-06

    Inventor: 胡勇刚 陈国荣

    Abstract: 本发明公开了一种全自动激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪系统及检测方法,包括由计算机控制系统控制的自动进样系统、激光剥蚀系统和电感耦合等离子体质谱仪,本发明通过设置有激光剥蚀系统,解决了传统分析采用高斯光束存在能量分布不均的问题造成采样不一致情况,以及目前激光剥蚀同一时间只能采用一束激光对样品一个位置进行剥蚀的问题,可以同时在一个样品不同部位进行采样然后进行分析,提高了分析结果的代表性,一个光束可以分成多个所需要的光束,可以同时对样品和标样进行激光剥蚀分析,通过设置有计算机控制系统和自动进样系统,以便于在进行测试时可以自动建立标准样品曲线,实现智能化操作以及全自动进样与全自动分析。

    基于飞秒激光高速扫描的曲面切削加工设备及加工方法

    公开(公告)号:CN119141005A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411606966.X

    申请日:2024-11-12

    Inventor: 韦超 李琳

    Abstract: 本发明提供了一种基于飞秒激光高速扫描的曲面切削加工设备及加工方法,属于激光加工技术领域,包括飞秒激光器、移动反射镜、多棱镜扫描振镜以及3D扫描振镜,其中,通过飞秒激光器产生高频脉冲激光束,每个脉冲被分割成脉冲串,且每个脉冲串中包含多个子脉冲;多棱镜扫描振镜,安装于第一Z轴滑台上,通过多棱镜扫描振镜在加工工件表面形成阶梯状台阶;3D扫描振镜,安装于第二Z轴滑台上,通过3D扫描振镜刻蚀由多棱镜扫描振镜加工而成的阶梯状台阶的边缘。本发明通过在时间域上将脉冲分割呈脉冲串,以此能够避免等离子体屏蔽云的积聚,解决热积累效应问题并提高工件的加工质量。

    一种用于飞秒激光器的精密加工扫描镜头

    公开(公告)号:CN119126332A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411077586.1

    申请日:2024-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种用于飞秒激光器的精密加工扫描镜头,包含沿入射方向依次设置的透镜一、透镜二、透镜三、透镜四、透镜五、透镜六、透镜七和透镜八;其中,透镜一为具有负屈光率的凹凸透镜,透镜二为具有正屈光率的凹凸透镜,透镜三为具有正屈光率的凸凹透镜,透镜四为具有负屈光率的凹凸透镜,透镜五为具有正屈光率的双凸透镜,透镜六为具有负屈光率的双凹透镜,透镜七为具有正屈光率的双凸透镜,透镜八为具有负屈光率的凸凹透镜。本发明用于飞秒激光器的精密加工镜头,可匹配D14的振镜,实现聚焦光斑小于3um,大大地提高了加工效率,且聚焦光斑为圆斑,不会椭圆化,热影响区域小,实现了高度精密的加工;可以用来加工各种金属、玻璃、钻石等材料。

    一种可调环形光斑建模方法及系统

    公开(公告)号:CN119115204A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411459803.3

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明属于但不限于激光焊接数值模拟技术领域,尤其涉及一种可调环形光斑建模方法及系统,包括:将中心光束和外环光束进行离散化,生成中心光束在点焦面的点,生成在一定范围内满足高斯分布的点,以此点为直母线上的一点,据此生成直母线;生成外环光束在环焦面的点,生成一定范围的符合高斯分布的点,将生成的点扩展到外环区域,根据变换后的坐标及外环光束和中心光束的合束面的半径,算出在合束面的与环焦面对应的坐标;根据每个生成的点,以此点到中心的距离为半径,生成一定圆形间隔的点;记录生成的点的位置与方向,并给每束离散的光赋予一定的能量。

    硬脆材料激光处理方法及改质系统

    公开(公告)号:CN118342093B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410581093.5

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本申请公开了一种硬脆材料激光处理方法,包括:构建相位全息图;基于相位全息图,利用光刻法,制造相应的衍射光学元件;利用衍射光学元件对经由其的激光进行整形,获取预设形状的整形光束;使用预设形状的整形光束对硬脆材料进行改质,获取呈预设形状的改质区;对改质区进行刻蚀,以实现对硬脆材料的切割。本申请基于相位全息图制造了衍射光学元件,利用该衍射光学元件对激光进行整形处理,形成了把一个光斑分成了若干个光斑在空间呈一定预设形状分布的整形光束,再利用该整形光束对硬脆材料进行加工改质处理,就能够实现切割和倒角的一体成型,相较于传统的机械加工方式来说,工序和成本大大减少,改质效率、良品率与产能显著提高。

    加工装置
    8.
    发明公开
    加工装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118785997A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202280092914.8

    申请日:2022-03-30

    Abstract: 本发明的加工装置具备:照射光学系统,能够将从第一光源射出的第一加工光、及从与第一光源不同的第二光源射出且峰值波长与第一加工光不同的第二加工光照射到物体;及材料供给部件,能够将造型材料供给到由第一加工光及第二加工光形成的熔融池;第二加工光的峰值波长比第一加工光的峰值波长短,且被照射第二加工光的第二区域比被照射第一加工光的第一区域宽。

    用于激光切割的反射式光场调控系统、激光头和激光器

    公开(公告)号:CN118720457A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202411091661.X

    申请日:2024-08-09

    Abstract: 本发明涉及一种用于激光切割的反射式光场调控系统、激光头和激光器,包括:激光光源,用于发出高斯光束;第一离轴抛物面反射镜,第一离轴抛物面反射镜设置在高斯光束的发射路径上,第一离轴抛物面反射镜用于对高斯光束进行反射和准直;第二离轴抛物面反射镜,第二离轴抛物面反射镜设置在高斯光束的反射路径上,且第二离轴抛物面反射镜的镜表面设置有光场调控相位单元,第二离轴抛物面反射镜用于对反射的高斯光束进行反射和聚焦,同时对光斑能量重新分配,以实现激光切割,从而能够实现保证切割速度与质量。

    一种晶圆切割方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118664109A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410879132.X

    申请日:2024-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆切割方法、装置、电子设备及存储介质。该晶圆切割方法包括:获取第一激光的光斑大小和第一激光的机械移动误差;其中,机械移动误差为产生第一激光的激光切割组件在移动过程中所产生的误差;其中,第一激光为切割第一衬底所需的激光;根据第一激光光斑大小和机械移动误差计算修正深度;根据修正深度对第一衬底的各切割道进行二次加工,以形成修正切割道;控制第一激光沿修正切割道对第一衬底进行切割;控制第二激光沿第二衬底的各切割道对第二衬底进行切割;其中,第二激光为切割第二衬底所需的激光。本发明实施例提供的晶圆切割方法有利于避免熔融颗粒的产生,提高芯片生产的良品率。

Patent Agency Ranking