公开(公告)号：CN85106854A

公开(公告)日：1987-02-25

申请号：CN85106854

申请日：1985-08-08

Applicant: 巴斯福股份有限公司

Inventor： 曼福里德·奥林格 ,  诺伯特·马勒 ,  彼得·鲁多利 ,  埃格恩·维特斯蒂英

IPC: C01G37/027 ,  H01F1/11

CPC classification number: C01G37/027 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/82 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/42 ,  G11B5/70636

Abstract: 铁磁性二氧化铬的制造方法，是将三价和六价铬，在高温、高压、有水存在下，同时添加锑化合物作改性剂，使其转变成二氧化铬。需要的话，还可加入别的添加剂，用量按重量计小于15％。加入的锑化合物以水溶性盐形式存在，其阴离子含有被浓铬酸氧化的一种或数种有机分子。

公开(公告)号：CN108242333A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711299649.8

申请日：2017-12-09

Applicant: 成都米尔顿科技有限公司

Inventor： 彭飞

IPC: H01F41/00 ,  C01G37/027

CPC classification number: H01F41/00 ,  C01G37/027

Abstract: 氧化铬磁粉的生产装置，主要包括：反应釜(D101)、搅拌釜(D102)、过滤器(L101)、洗涤器(L102)、干燥器(L103)、储罐(F101)、泵(J101)，其中，泵(J101)分别与储罐(F101)、反应釜(D101)相连接，搅拌釜(D102)分别与反应釜(D101)、过滤器(L101)相连接，其中，搅拌釜(D102)公称容积800-900L。

公开(公告)号：CN1176852C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01114802.0

申请日：2001-06-15

Applicant: 暨南大学

Inventor： 蔡继业 ,  陈勇 ,  徐庆彩

IPC: C01G37/027

Abstract: 本发明公开了一种用微波激发铬酰氯制备氧化铬超细粉的方法及其装置。铬酰氯气体经提纯后，与缓冲气体混合，然后用微波光子激发混合气体而生成氧化铬超细粉。制备装置包括样品气储存器、缓冲气体储存器、混合气储存器、液氮储存器、冷凝器、控制阀、活动窗，混合气储存器出口与石英管相连接，该石英管外套有微波激发头，该微波激发头与微波发生器相连。采用上述方法及装置生成氧化铬超细粉，成本可大大降低。

公开(公告)号：CN1065257A

公开(公告)日：1992-10-14

申请号：CN91101750.X

申请日：1991-03-18

Applicant: 中国科学院安徽光学精密机械研究所

Inventor： 蔡继业 ,  丁佩贤 ,  汤永桂 ,  张伟 ,  钟丽云 ,  张飞华

IPC: C01G37/027 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明是采用激光多光子离解法制备氧化铬(CrO2)超细粉及其装置。本发明是将铬酰氯气体提纯后，进入混合器与缓冲气体混合，最后进入有激光束射入的反应池，生成如烟雾一样的棕色氧化铬(CrO2)粉末。本发明方法的装置，是由缓冲气体1；控制阀2、3、6、16、20；混合气储存器4；压力表5；研磨接口7、19；冷凝器8、18；液氮储存器9、17；共反射镜10、15；活动窗11；CO2激光器12；能量计13；反射镜14；样品器储存器21等组成的。

公开(公告)号：CN112194182A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011074563.7

申请日：2020-10-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 左朋建 ,  马少博 ,  郭瑞 ,  解晶莹 ,  尹鸽平

IPC: C01G37/02 ,  C01G37/027 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种含锂化硫化聚丙烯腈的铬氧化物锂离子电池正极材料的制备方法，属于锂离子电池技术领域。本发明针对传统铬氧化物正极的电极反应动力学缓慢、首次库伦效率和比容量低等问题，所述方法为：铬氧化物制备；硫化聚丙烯腈制备；锂化硫化聚丙烯腈制备；将制备的锂化硫化聚丙烯腈和铬氧化物混合，200rpm球磨1小时，得到含锂化硫化聚丙烯腈的铬氧化物正极。本发明制备的含锂化硫化聚丙烯腈的铬氧化物锂离子电池正极材料，颗粒均匀，具有显著提升首次库伦效率、可逆电比容量和导电性的优点；该含锂化硫化聚丙烯腈，可用于其它电极材料改性，有机碳骨架具有较高的导电性、补锂容量和电化学反应电压平台，可推广到其它电极材料体系。

公开(公告)号：CN105540668A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610040224.4

申请日：2016-01-21

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 卢志红 ,  郭芳 ,  刘硕 ,  袁成

IPC: C01G37/027

CPC classification number: C01G37/027 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明涉及一种以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料及其制备方法。其技术方案是：将装有SnI4的石英舟放入双温区管式炉的低温区，将TiO2单晶基片放入高温区，在O2气氛下升温至350~450℃，保温时对低温区加热，100~200℃保温0.15~2h，制得以TiO2为基体的SnO2种子层材料。将装有CrO3的石英舟放入双温区管式炉的低温区，将以TiO2为基体的SnO2种子层材料放入高温区，在O2气氛下升温至350~450℃，保温时对低温区加热，200~300℃保温0.2~5h，制得以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料。本发明具有操作简单和能较快地实现产业化生产的特点，所制备的以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料在磁性基本不变的情况下纯度高和表面光滑。

公开(公告)号：CN102320660A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110139117.4

申请日：2011-05-27

Applicant: 吉林大学

Inventor： 温戈辉 ,  范印波 ,  马红安 ,  贾晓鹏

IPC: C01G37/027 ,  C01G23/047

Abstract: 本发明的二氧化铬和二氧化钛复合氧化物的高温高压制备方法，属于材料制备的技术领域。主要内容就是将三氧化铬和偏钛酸混合均匀后模压成型，并将其装入高压合成组装块中，然后将组装块置于高温高压装置的腔体内，将腔体内压强升高到1～5GPa，温度升高到400～600℃，再保温保压20～40分钟，最后保压自然冷却至室温，再卸压，即制成二氧化铬/二氧化钛复合氧化物。本发明的方法使用一般的高压设备，操作过程简单；可以一步合成二氧化铬/二氧化钛复合氧化物，效率高，成本低；制备的二氧化铬/二氧化钛复合氧化物在低温低磁场具有大磁电阻变化的特点。

公开(公告)号：CN101684002A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810222721.1

申请日：2008-09-23

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 徐红彬 ,  裴振昭 ,  郑诗礼 ,  张懿

IPC: C01G37/027

Abstract: 一种制备纳米二氧化铬的方法，属于无机材料制备领域，特别涉及到一种氧化法制备纳米二氧化铬的方法。本发明的特征在于以氢氧化铬水合物为原料，经过球磨法或其它方式粉碎后，按照水/氢氧化铬水合物(w/w)为0.001～5的比例和水混合，在初始氧气压力为0.001～7MPa的氧气气氛下，保持恒定的反应温度，一般为350～390℃，反应一段时间，一般反应时间小于60min，就可以得到纯净的纳米CrO 2 。本方法工艺简单、反应条件比现有工艺更温和，具有推广价值。

公开(公告)号：CN119219146A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411341943.0

申请日：2024-09-25

Applicant: 中化学南方建设投资有限公司

Inventor： 陈明刚 ,  王成华 ,  房中 ,  张安弘

IPC: C02F1/52 ,  C02F1/56 ,  C02F1/00 ,  C02F1/62 ,  C01G37/027 ,  C02F103/16 ,  C02F101/22 ,  C02F101/20

Abstract: 本发明涉及电镀废水处理技术领域，具体的说是一种电镀废水回收处理设备，包括反应池，所述反应池排出端设置有进行絮凝沉淀的沉淀池，所述沉淀池内部中间位置焊接有固定板且絮凝池底部焊接有储装絮凝沉淀物的料斗；采用可以调节高度并进行内部开口调节的压板结构，能够在沉淀池进行沉淀物排出过程中实现对沉淀物的预脱水处理，减少后续脱水工序耗时，降低沉淀物内部的含水量，同时利用两端絮凝剂对含铬电镀废水进行处理，可将高浓度的铬经絮凝沉淀转化为Cr(OH)3，经高温分解可使其转化为Cr2O3,将Cr2O3复配为抛光膏并用于机件的抛光，其抛光效果较好，充分对电镀废水中的铬进行回收利用，减少环境污染。

公开(公告)号：CN118851262A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410941207.2

申请日：2024-07-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 温戈辉 ,  范九明 ,  陈可 ,  徐丹

IPC: C01G37/027 ,  C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的一种二氧化铬纳米线阵列的制备方法属于无机非金属材料的制备技术领域，步骤包括：利用真空浸渍方法将三氧化铬水溶液充填入多孔氧化铝模板的纳米孔中；利用真空干燥方法将模板纳米孔中三氧化铬水溶液干燥；将干燥后的模板放入高压釜中，充入10～15Mpa的高压纯氧气后密封；将高压釜升温至390℃～400℃反应30分钟，即获得二氧化铬纳米线阵列。本发明制备过程工艺简单，易于操作，可在各种不同孔洞直径的多孔氧化铝模板中制备较长的二氧化铬纳米线阵列。