公开(公告)号：CN1091436C

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN98120933.5

申请日：1998-10-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01C7/04

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

摘要： 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量，可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时，室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高，因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。

公开(公告)号：CN1215036A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98120933.5

申请日：1998-10-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01C7/04

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

摘要： 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物,该组合物包括氧化钴镧作为主组分,以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量,可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时,室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高,因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。

公开(公告)号：CN1172324C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02106671.X

申请日：1998-10-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

摘要： 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

公开(公告)号：CN1397958A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02106671.X

申请日：1998-10-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

摘要： 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。