公开(公告)号：CN101443721B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200580041712.7

申请日：2005-12-01

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 王振华

IPC: G05F3/24

CPC classification number: G05F3/245 ,  Y10S323/907

Abstract: 本发明涉及一种提供参考电压(Vref_new)的参考电压发生器(40)。电压发生器(30)在小于硅带隙电压的电源电压(Vdd)操作。它包括用作跨导器(Gptat)的MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)。提供了用于把漏极电流(Iptat)馈入所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极的输入节点，而且输出节点与所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极和栅极相连。电流发生器(42)允许MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)在特定模式下操作，其中漏极电流(Iptat)具有正温度系数(αptat)且跨导器(Gptat)具有负温度系数(αGM)。选择MOSFET晶体管的尺寸(W，L)，以使所述负温度系数(αGM)接近所述正温度系数(αptat)，以使所述输出节点处提供的所述参考电压(Vref_new)得到温度补偿。

公开(公告)号：CN101488711A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002445.2

申请日：2009-01-16

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 铃木照夫

IPC: H02M3/137 ,  H02H5/04

CPC classification number: G05F1/569 ,  Y10S323/907 ,  Y10S323/908

Abstract: 本发明提供来自输出级的晶体管的冲击电流的稳压器。在本发明中，具备检测电流值低的输出电流限制电路和检测电流值高的输出电流限制电路，到过热保护电路检测出过热后，从输出电流停止的状态开始，过热保护被解除后规定时间的期间，使检测电流值低的输出电流限制电路可以工作。从而，可限制过热保护解除后的过大的冲击电流。

公开(公告)号：CN100430856C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200610003732.1

申请日：2006-02-07

Applicant: 威盛电子股份有限公司

Inventor： 林志峰 ,  黄珮修

IPC: G05F1/567 ,  G05F3/00

CPC classification number: G05F3/30 ,  Y10S323/907

Abstract: 一种参考电压产生器，包括一第一电路、一第二电路、和一外部组件。第一电路产生正温度系数(positive temperature coefficient)电压。第二电路耦接到上述第一电路，由一大致固定电流偏压，产生负温度系数(negativetemperature coefficient)电压，以及结合上述负温度系数电压和上述正温度系数电压作为一参考电压。外部组件耦接到上述第二电路，并且产生上述大致固定电流。

公开(公告)号：CN101178330A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710185087.4

申请日：2007-11-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 清水隆行

IPC: G01J1/44 ,  G06G7/12 ,  H03F3/45

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J1/18 ,  Y10S323/907

Abstract: 提供了一种光电流感测电路、一种光电传感器和一种电子设备，该光电流感测电路包括：对数压缩电路(1)；消除电路(2)，其用对数压缩具有基本等于光电流的温度系数的电流，以便将其转换为电压，并且对转换后的电压和通过对数压缩而从光电流转换的电压执行加法或减法；对数运算电路(4)，其用对数压缩从消除电路(2)接收的电压以产生第一电压，用对数压缩与光电流的热电压成比例的电压以产生第二电压，用对数压缩具有几乎为0的热相关性的电流以产生第三电压，并且相对于第一电压而执行第二电压和第三电压中的每一个的加法或减法以产生第四电压；以及反对数变换电路(5)，其对第四电压执行反对数变换以输出电流。

公开(公告)号：CN101052933A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200480044181.2

申请日：2004-10-08

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 伊凡·科奇涅 ,  亚历山大·马卡罗夫

IPC: G05F3/26

CPC classification number: G05F3/267 ,  G05F3/30 ,  Y10S323/907

Abstract: 一种基准电路(200，300)包括：第一电流发生器，其包括可操作地连接到第二晶体管(Q2，222)的第一晶体管(Q1，220)，并具有与该基准电路的正温度相关性对应的各基极电流(IbQ1，IbQ2)。电阻(r3 228)可操作地连接于该第一电流发生器并被布置来提供与该基准电路的负温度相关性对应的第二电流(Ir3)。第二电流发生器(m4224)可操作地连接于该电阻和该第一电流发生器，其产生作为该第二电流(Ir3)和基极电流(IbQ1，IbQ2)的总和的组合电流(I2)。以这种方式，曲率补偿的电压和/或电流基准电路的输出电压基本是线性的，并基本与该电路的工作温度无关。

公开(公告)号：CN1722043A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510083349.7

申请日：2005-07-12

Applicant: 瑞昱半导体股份有限公司

Inventor： 邱永明

IPC: G05F3/20

CPC classification number: G05F3/30 ,  G05F3/262 ,  Y10S323/907

Abstract: 一种参考电压产生器包含有多个信号产生器，用来产生N+1个分别对应N+1个不同的温度相依特性值的信号；耦接于该多个信号产生器的合成模块，用来合成该N+1个信号以产生合成信号；以及耦接于该合成模块的信号至电压转换器，用来根据该合成信号产生补偿参考电压。每一信号产生器包含有N+1个具有p－n结的元件，每个元件都具有对应于p－n结的跨压的特定温度相依特性值(例如晶体管的基极－发射极电压)。藉由调整该N+1个信号，可以产生具有N阶温度补偿且对应预定值的参考电压。

公开(公告)号：CN1213394C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01115733.X

申请日：2001-05-31

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 神原实 ,  佐佐木和广 ,  两泽克彦

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/26 ,  G11C19/28

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2310/0281 ,  G11C19/00 ,  G11C19/28 ,  Y10S323/907

Abstract: 移位寄存器的每一级RS(1)、RS(2)、…是由六个TFT构成，这些TFT1-6中每一个的沟道宽度/沟道长度比(W/L)以这样一种方式按照每个TFT的晶体管特性进行设置，即该移位寄存器即使在高温下也可以正常地工作很长时间。

公开(公告)号：CN1325166A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN01119775.7

申请日：2001-05-22

Applicant: 司考柔技术公司

Inventor： 约翰·R·威廉斯 ,  卡洛斯·萨穆迪奥 ,  孙自立 ,  贾森·休奇罗思 ,  格雷格·哈恩 ,  托马斯·巴里特 ,  詹姆斯·W·布什 ,  乔·T·希尔

IPC: H02H7/08

CPC classification number: F04C28/28 ,  F04C18/0215 ,  F04C2270/19 ,  H02H5/048 ,  H02H7/0852 ,  Y10S323/907

Abstract: 一种改进的电动机保护开关包括与一电动机保护电路里的加热器并联安装的一并联反馈零件。并联反馈零件检测压缩机零件的温度。如果该温度升高,通过加热器的电流增加。由此使电动机保护器开关打开。这样,反馈零件以比现有技术更快的速度提供来自压缩机泵装置的反馈给电动机保护电路。

公开(公告)号：CN102141818B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110040925.5

申请日：2011-02-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 甄少伟 ,  罗萍 ,  杨汝辉 ,  杨康 ,  张波

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F3/16 ,  G05F3/30 ,  Y10S323/907

Abstract: 本发明涉及集成电路中的带隙基准产生电路。本发明针对现有技术的带隙基准电压源，温度偏差大，高阶补偿困难的缺点，公开了一种利用低阶(一阶)温度系数进行补偿的温度自适应带隙基准电路。本发明利用分段补偿电路实现低温度系数的自适应分段补偿带隙基准，其技术方案由基本的带隙基准电压源和一个自适应反馈补偿电路构成，包括采样保持电路、电压比较器和控制模块。本发明通过系统观点来控制基准电压，工艺兼容性高；可以自适应寻求最佳温度曲线，输出电压具有低的温度系数，能够满足现有工艺条件的要求，实现方式简单，不需要占用太多芯片面积。本发明主要由于集成电路领域。

公开(公告)号：CN101485088B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200780025006.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 新思科技有限公司

Inventor： 安迪·尼古瓦 ,  米歇尔·泽克里

IPC: H03K19/003

CPC classification number: H03K19/00384 ,  Y10S323/907

Abstract: 本发明涉及一种补偿电路，用于对集成电路中的PVT变化提供补偿。通过使用低电压参考电流源，所述补偿电路从片上参考低电压源(VDD)直接生成在PVT变化中恒定的参考电流(Iref)，基于电流传送器的感测电路从跨过单个二极管接法的晶体管(M10)而施加的低电压源(VDDE-VDD)生成随PVT变化可变的检测电流(Iz)，低电压源(VDDE-VDD)与两个参考低电压源之间的电压差相对应。因此，在输出多个数字比特的电流模式模数转换器内对两路电流(Iref、Iz)进行比较。随后，这些数字比特可以用于补偿I/O缓冲电路中的PVT变化。