公开(公告)号：CN105281689A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510276259.3

申请日：2015-05-26

申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司

发明人： 权杨 ,  D·博克尔曼 ,  M·梅普尔 ,  郑朱民

IPC分类号： H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F3/211 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H03F1/0272 ,  H03F1/52 ,  H03F1/565 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/4508 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/537 ,  H03F2200/541 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/45394 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45591 ,  H03F2203/45594 ,  H03F2203/45596 ,  H01L2924/00014 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45046 ,  H03F2203/45172 ,  H03F2203/45228 ,  H03F2203/45576

摘要： 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。