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公开(公告)号:CN107102032A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201611120897.7
申请日:2016-12-08
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: G01N27/125 , G01N27/128 , G01N33/005 , G01N27/16
摘要: 本发明提供省电性优异、并且能够判定氢浓度的气体传感器。气体传感器具备被绝缘层覆盖的多个检测单元。多个检测单元各自具备第1电极、具有从绝缘层露出的露出面的第2电极、和配置在第1电极及第2电极之间的金属氧化物层。金属氧化物层的电阻值在含有氢原子的气体与第2电极接触时,在规定的响应时间内降低。规定的响应时间在多个检测单元中各自不同。
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公开(公告)号:CN106796191A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580053130.4
申请日:2015-08-31
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: G01N27/12
CPC分类号: G01N27/12 , G01N21/783 , G01N27/048 , G01N27/16 , G01N33/0031 , G01N33/004 , G01N33/0047 , G01N33/4972
摘要: 提供长寿命的传感系统。包括检测被包含在第一概念中的检测对象,相互共通的,被包含在上述第一概念的下位概念的至少一种类的检测对象的第一检测器(1)与第二检测器(2)、对应上述第一检测器(1)或上述第二检测器的任意一个的检测器的检测值,控制另一个检测器的检测工作的开始、停止或检测条件。
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公开(公告)号:CN104316575B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201410607031.3
申请日:2014-10-31
申请人: 中国矿业大学
CPC分类号: G01N27/16
摘要: 一种全硅MEMS甲烷传感器及瓦斯检测应用和制备方法,适用于工矿环境下使用,属于甲烷传感器及其制备方法与检测方法,特别属于采用微电子机械系统加工技术的甲烷传感器及其甲烷检测方法。该全硅MEMS传感器采用单晶硅作为加热元件的加热材料,加热元件同时作为甲烷敏感元件,且不需催化剂载体及催化剂材料即可实现低浓度甲烷的检测。该全硅MEMS甲烷传感器以SOI硅片为基片采用MEMS工艺加工,加工工艺与CMOS工艺兼容。该全硅MEMS传感器具有功耗低、灵敏度高、不受缺氧的影响、不受积碳、中毒等因催化剂所带来影响的特点。
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公开(公告)号:CN103718031B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201280036721.7
申请日:2012-06-08
IPC分类号: G01N27/12
CPC分类号: G01N27/16 , G01N27/125 , G01N27/128
摘要: 本发明的多单元层气体传感器如下构建:通过层叠化敏电阻器型气体传感元件(CH1,CH2),并贯穿各传感元件提供孔洞以使气体可以从一个传感元件通过传感层(52)传递至下一传感元件。通过对不同的传感层选择适当的材料组合,并通过以下方式改变不同气体传感元件的操作条件,可以获得丰富的数据组,所述方式为:在传感层的不同组合物激活时、在给定传感层加热至不同温度或根据不同的加热曲线进行加热时、和/或在选定传感层暴露至UV光时获取测量结果。通过施加时长受控的UV脉冲可以增加传感器的灵敏性和选择性,并且可以基于开始UV照射时传感层的瞬时响应检测目标气体物质。各传感元件(CH1,CH2)可以具有微热板构造。
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公开(公告)号:CN105424749A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510582429.0
申请日:2015-09-14
申请人: 雅马哈精密科技株式会社
发明人: 服部敦夫
IPC分类号: G01N25/48
CPC分类号: G01N27/16 , G01N33/0027
摘要: 本发明提供接触燃烧式气体传感器,该接触燃烧式气体传感器检测可燃性气体,其具备:绝热部;加热器,其形成在绝热部上;气体反应膜,其在绝热部上形成在加热器上,并包括承载可燃性气体的燃烧催化剂的载体;测温元件,其在绝热部上形成在气体反应膜附近;均热部,其形成在绝热部上,并且配置在绝热部和气体反应膜之间。该均热部构成为使传递至均热部的热向均热部整体分散。
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公开(公告)号:CN101784889B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN200880025076.2
申请日:2008-05-16
申请人: 生命安全销售股份公司
发明人: F·E·普拉特基思
IPC分类号: G01N27/16
CPC分类号: G01N27/16
摘要: 一种气体传感器,包括具有低热导率的基板。可以利用由基板携带的蛇管加热器进行局部加热。基板的低热导率充分地限制了加热器的局部区域内产生的热量,由此降低了用于操作传感器所需的功率。多个检测元件可以被设置在邻近各自加热器的基板上并且可以因为由基板提供的绝热而相对地彼此靠近。在一个实施例中,传感器可以包括陶瓷基板、加热器、覆盖加热器的催化材料以及至少部分地覆盖催化材料的不透气层。
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公开(公告)号:CN101427352A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200680016778.5
申请日:2006-03-15
申请人: 高级技术材料公司
IPC分类号: H01L21/302
CPC分类号: B81C1/00587 , B81C99/0065 , B81C2201/0138 , C23C16/4405 , G01N27/16 , H01J37/32935
摘要: 一种气体传感器和气体感测的方法,例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化,并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。
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公开(公告)号:CN1942751A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200580010956.9
申请日:2005-02-23
申请人: 高级技术材料公司
IPC分类号: G01N9/00
CPC分类号: G01N27/16 , G01N27/128 , H01J37/3244 , H01J37/32935 , H01J37/32981
摘要: 本发明涉及一种基于MEMS的气体传感器组件,用于检测在含有含氟物质的气体中的含氟物质,例如,经过用HF、NF3等浸蚀清洗的半导体加工工具的流出物。在优选的具体实施方式中,这样的气体传感器组件包括自立式碳化硅支撑结构,该结构上涂布有气敏材料层,优选为镍或镍合金层。这样的气体传感器组件优选由微成型技术制造,其采用后续可以除掉以用于形成结构层的牺牲模。
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公开(公告)号:CN1615433A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN02827169.6
申请日:2002-11-14
申请人: 理研计器株式会社
IPC分类号: G01N27/16
CPC分类号: G01N27/16 , G01N33/005 , H01M8/0662 , H01M8/10 , H01M2300/0082 , Y10T436/22
摘要: 一种氢传感器(25)具有其中形成气体检测腔室(34)的安装底板(29)、形成在所述安装底板(29)上并通向排放通道(24)以及将氢气引入气体检测腔室(34)的被检测气体入口(35)、保持在气体检测腔室(34)内并适用于检测氢气的气体检测元件(39)以及覆盖被检测气体入口(35)的防水过滤器(44)。
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