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公开(公告)号:CN108525616A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810219658.X
申请日:2018-03-16
Applicant: 天津大学
CPC classification number: B01J13/0056 , B01J13/0065 , C09K11/7701 , C09K11/7729 , C09K11/7744 , C09K11/776 , G01N21/64 , G01N21/6486
Abstract: 本发明公开了稀土核苷荧光水凝胶及制备方法和在荧光编码中的应用,其制备方法为:(1)配制可溶性稀土硝酸盐水溶液和核苷水溶液;(2)将可溶性稀土硝酸盐水溶液和核苷水溶液混合均匀,调节pH值为7-9,升温至55-95℃,静置反应10-20min,降温至室温,静置1-4h,得到具有不同荧光颜色的稀土核苷荧光水凝胶。本发明原料环保,安全,操作简便,成本低,可重复性良好,本发明的稀土核苷荧光水凝胶既保持了稀土离子的特征发射荧光,同时兼具了生物小分子核苷良好的生物兼容性,生物降解性和无毒性等特点。得到的荧光水凝胶通过调控可得到多种荧光颜色,可被用作荧光编码材料,可被用于荧光生物检测,细胞培养,组织工程。
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公开(公告)号:CN106675562A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201611262656.6
申请日:2016-12-30
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C09K11/74
CPC classification number: C09K11/776
Abstract: 本发明公开了一种白光LED用橙色荧光粉及其制备方法,包括以下步骤:以Sm2O3和Bi2O3为原料,按照化学式BiOCl:xSm3+的化学计量比进行原料称取,其中0.01≤x≤0.07;将前驱体配成水溶液,并将水溶液的pH调节为5~7,然后转移至聚四氟乙烯水热釜内衬中,控制水热釜的填充比为50%~70%,水热温度为120℃~180℃,水热时间为6h~10h;水热后的产物用蒸馏水反复洗涤,直至洗涤清液呈中性,随后在烘箱中于60℃~80℃的空气气氛下烘干,并用研钵研细,得到本发明的荧光粉,本发明采用水热法,相对于固相法,水热法主要具有合成温度低、条件温和、含氧量小、缺陷不明显、体系稳定等优点,是一种高效的发光材料合成方法。
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公开(公告)号:CN103153897A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048362.2
申请日:2011-11-10
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C4/12 , C03C3/16 , C03C3/253 , C09K11/08 , C09K11/662 , C09K11/7702 , C09K11/7717 , C09K11/773 , C09K11/7745 , C09K11/7756 , C09K11/776 , H01L33/502 , H01L2224/16225 , H05B33/12 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供其自身发光为白色的玻璃、以及被覆有这样的玻璃的发光元件及发光装置。发白光玻璃是通过波长240~405nm的光的激发而发出波长380~750nm范围的荧光的、不含结晶的玻璃,含有SnOx(其中,x=1~2、典型的是x=1或2)、P2O5和MnOy(其中,y=1~2、典型的是y=1或2)。发光元件及发光装置用这样的玻璃被覆半导体发光元件的主表面而成。
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公开(公告)号:CN107828415A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201711173984.3
申请日:2017-11-22
Applicant: 山东大学
CPC classification number: C09K11/776 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及二氧化锆基钐掺杂余辉荧光材料的制备方法,本发明在以二氧化锆为基体,以Sm3+为掺杂离子的基础上,采用高分子网络凝胶法制备余辉荧光材料,不仅制备工艺简单、操作方便,制备成本低、能耗低、易于进行大规模生产,还可以制备出无毒且生物相容性良好的长余辉荧光材料,相比现有的高温固相反应法和溶胶-凝胶法等方法,克服了工艺反应复杂、耗时长、耗能大、原料昂贵等缺点,易于进行大规模生产。
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公开(公告)号:CN106753366A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710028499.0
申请日:2017-01-16
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: C09K11/7701 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/7732 , C09K11/776 , C09K11/777
Abstract: 本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料,该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率,其化学式为Bi1‑xRexOMy,其中x=0.0025~0.1,y=1.2~4,Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种,M=Cl、Br、I中的一种;该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为,提高了其二维原子层的层间内电场,增强稀土离子的发光效率;本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低,不需要复杂设备,具有工业和市场应用推广前景。
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