半导体冷冻治疗仪
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106264706A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610684792.8

    申请日:2016-08-18

    Inventor: 卓凡

    Abstract: 本发明提供一种半导体冷冻治疗仪,所述半导体冷冻治疗仪包括治疗仪本体、半导体制冷器和多个有效面积不同的冷疗探头。所述多个冷疗探头活动连接于所述治疗仪本体的一端,所述半导体制冷器设置于所述治疗仪本体内,所述半导体制冷器的冷端紧贴所述治疗仪本体与所述多个冷疗探头活动连接的一端。本发明通过半导体制冷避免了液氮制冷带来的运输不便,通过设置多个具有不同有效面积的冷疗探头满足了具有不同面积的病灶的冷冻需求。

    用于使用激光的皮肤非侵入性处理的装置和方法

    公开(公告)号:CN106413617B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201580005236.7

    申请日:2015-01-04

    Abstract: 本发明大体涉及使用激光的皮肤的处理,且更特别涉及用于这样的处理的非侵入性装置和方法。在皮肤处理期间,表皮的加热是不期望的因为它可能引起正被处理的人的不适、不良的皮肤反应和在皮肤色素上的不希望的改变。本发明提供了激光处理射束,其具有被布置在射束的横截面的外周处的非零光强度的第一射束区22a和第二射束区22b及布置在第一射束区22a与第二射束区22b之间的、光强度比所述非零光强度低的第三射束区22c。处理射束22沿着其光学处理轴13离开装置10。当处理射束22沿着光学处理轴(13)穿过皮肤的外层至焦斑25时,第三射束区22c的范围被预定和/或被控制成提供在外皮层16中的被布置在第一皮肤区23a与第二皮肤区23b之间的第三皮肤区23c,并且第三射束区的较低光强度被预定和/或被控制成提供比第一皮肤区23a和第二皮肤区23b内的在激光处理射束的所述脉冲期间的最大温度低的在第三皮肤区23c内的在激光处理射束的脉冲期间的最大温度。光源20被配置并布置成在使用中提供比第一皮肤区23a和第二皮肤区23b的热弛豫时间长的激光处理射束的脉冲的脉冲持续时间。通过预定和/或控制第三皮肤区23c的尺寸,合适尺寸的散热器在位于由激光处理射束加热的区域的中央被创建,并用于避免在皮肤的外层中的温度热点。

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