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公开(公告)号：CN113130833A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911398448.2
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管的制备方法，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置；在所述电子传输层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明在不引入其他异质材料层的情况下，利用界面势垒可以调控电子注入，实现其与空穴注入的平衡。ZnMgO可调节电子传输层的禁带宽度，调节电子的注入势垒，降低电子的注入效率，可平衡电子‑空穴的注入，达到促进电子‑空穴在量子点发光层内有效的辐射复合的目的，进而提高器件的效率。
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公开(公告)号：CN113130812A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911421038.5
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层，所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间，所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置；所述顶电极为金属电极，所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。本发明以具有良好导电性的金属电极为顶电极，并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED，其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的电极结构保证了电极的导电性的同时，提高了电极的透光率；另外，含磷钼酸的顶电极增透层的存在，还起到隔离的作用，则提高了QLED器件的整体稳定性。
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公开(公告)号：CN113130811A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911409552.7
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。另外，所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层，电子可隧穿注入到电子传输层，有利于阴极中的电子注入到电子传输层，从而提高电子注入效率，进而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN113130789A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911420671.2
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层，其中，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层和设置在所述量子点发层与所述电子传输层之间的脂肪胺修饰层，所述量子点发光层设置在靠近所述阳极一侧，所述电子传输层设置在靠近所述阴极一侧，所述电子传输层的材料包括ZnO纳米线。本发明通过将脂肪胺修饰层设置在电子传输层(含有ZnO纳米线的电子传输薄膜)与量子点发光层之间，增强了电子传输层的电子传输，减少能耗；改善了电子传输层与量子点发光层的界面接触质量，降低功函数，减小电子注入势垒；两者协同提高了电子传输层的传输效率及稳定性，进而改善了QLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN113130777A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911400969.7
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和发光二极管。所述复合材料包括碱金属氟化物纳米颗粒和包覆在所述碱金属氟化物纳米颗粒表面的凝胶层。该复合材料可以作为很好的电子注入材料，用于量发光二极管的电子注入层可以提高器件的效率；同时该复合材料具有很好的柔韧性，可以减少因像素Bank变形造成的像素区域畸形，因此既可以提高提器件的效率，又提高其稳定性及寿命。
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公开(公告)号：CN113130348A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911419571.8
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L27/15
摘要： 一种LED芯片转移方法，通过设置对光线透明的供体基板，通过在光罩上的阵列排布的透光孔入射光线，供体基板吸收光线后使得与透光孔一一对应的LED芯片脱落转移到目标基板上，这种转移方式不受LED芯片大小的影响，也能高效、简单的实现批量的小型化LED芯片转移，能够不够限制地适应显示设备的量产需求。
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公开(公告)号：CN113129809A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911423813.0
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本申请适用于LED驱动技术领域，提供了一种LED阵列驱动方法显示阵列驱动装置及终端设备，其中，LED阵列驱动方法包括：分别向LED阵列输入行扫描信号及列数据信号以进行寻址；若当前连续寻址的次数达到阈值时，停止寻址，向所述LED阵列输入工作电压以点亮所述LED阵列；当向所述LED阵列输入工作电压的持续时长达到连续寻址对应的点亮时长之和时，停止向所述LED阵列输入工作电压。本申请实施例对至少一个子场进行寻址操作，在各子场的寻址时间内不点亮背光，只有在各子场的非寻址时间才点亮背光，有足够的时间对整个阵列进行寻址，使得点亮背光能够正常进行，提升调制效率。
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公开(公告)号：CN113128277A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911409081.X
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种基于神经网络的人脸关键点检测方法及相关设备，在对人脸图片进行关键点位置信息检测时，通过将含有人脸关键点信息的特征图与热度图相融合进行人脸图片中关键点位置信息检测，由于热度图表征有关键点与其周边关键点之间相似的强度，因此将特征图与热度图相融合，提高人脸关键点位置信息周边比例，减少人脸关键点检测任务上与人脸关键点无关信息的干扰，且在多种尺度下将特征图与融合后特征融合图信息合并，避免了重要信息的丢失，从而实现人脸关键点检测的速度和精度上的提高。
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