公开(公告)号：CN113130812A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911421038.5

申请日：2019-12-31

申请人： TCL集团股份有限公司

发明人： 马兴远 ,  徐威 ,  范嘉城

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层，所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间，所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置；所述顶电极为金属电极，所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。本发明以具有良好导电性的金属电极为顶电极，并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED，其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的电极结构保证了电极的导电性的同时，提高了电极的透光率；另外，含磷钼酸的顶电极增透层的存在，还起到隔离的作用，则提高了QLED器件的整体稳定性。

公开(公告)号：CN113130811A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911409552.7

申请日：2019-12-31

申请人： TCL集团股份有限公司

发明人： 徐威 ,  范嘉城 ,  马兴远

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。另外，所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层，电子可隧穿注入到电子传输层，有利于阴极中的电子注入到电子传输层，从而提高电子注入效率，进而提高器件的发光效率。