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公开(公告)号：CN113130833A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911398448.2
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管的制备方法，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置；在所述电子传输层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明在不引入其他异质材料层的情况下，利用界面势垒可以调控电子注入，实现其与空穴注入的平衡。ZnMgO可调节电子传输层的禁带宽度，调节电子的注入势垒，降低电子的注入效率，可平衡电子‑空穴的注入，达到促进电子‑空穴在量子点发光层内有效的辐射复合的目的，进而提高器件的效率。
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公开(公告)号：CN113130789A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911420671.2
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层，其中，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层和设置在所述量子点发层与所述电子传输层之间的脂肪胺修饰层，所述量子点发光层设置在靠近所述阳极一侧，所述电子传输层设置在靠近所述阴极一侧，所述电子传输层的材料包括ZnO纳米线。本发明通过将脂肪胺修饰层设置在电子传输层(含有ZnO纳米线的电子传输薄膜)与量子点发光层之间，增强了电子传输层的电子传输，减少能耗；改善了电子传输层与量子点发光层的界面接触质量，降低功函数，减小电子注入势垒；两者协同提高了电子传输层的传输效率及稳定性，进而改善了QLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN113046077A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911379084.3
申请日：2019-12-27
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，所述复合材料的制备方法包括：提供含有锌盐、硫源的混合溶液；向所述混合溶液中加入黑磷量子点材料，进行第一反应处理，获得所述复合材料。本发明通过合成含有硫化锌的复合材料的方法，在硫化锌合成过程中，原位引入黑磷量子点材料。该方法简单，适合大面积、大规模制备。
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公开(公告)号：CN113130790A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911421636.2
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、结合在所述ZnO纳米颗粒表面的InOOH量子点。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面引入InOOH量子点，所述InOOH量子点与ZnO纳米颗粒结合，在ZnO纳米颗粒表面形成ZnO‑InOOH异质结构。所述纳米材料用作电子传输层材料时，该异质结构可优化ZnO成膜质量，同时减少ZnO表面缺陷，减少表面缺陷对电子的俘获，改善电子‑空穴的复合效率，从而提高器件光电性能及稳定性。同时，通过在所述InOOH量子点上连接疏水性有机分子，可以提高器件疏水性，降低环境中水氧对器件性能的影响，从而进一步提高器件光电性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN113130787A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911415729.4
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，所述复合材料的制备方法包括：提供黑磷量子点；将所述黑磷量子点与含有ZnO纳米颗粒的溶液混合，使所述黑磷量子点与ZnO纳米颗粒结合，得到复合材料。本发明采用黑磷量子点与氧化锌组装形成异质界面，由于形成新的共价键，可以调节材料本征电子结构，降低氧化锌禁带宽度，使电子更易于跃迁至导带，促进电子从传输层进入量子点发光区域，提高电子和空穴在QDs中的复合效率，从而提升器件的发光效率。另外，采用黑磷量子点与氧化锌组装形成异质界面，能够减少氧化锌表面缺陷，改善氧化锌晶体质量，从而提高电子传输层的传输效率，进而器件的发光效率及稳定性。
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公开(公告)号：CN113054143A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911382062.2
申请日：2019-12-27
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。本发明提供了一种施主(In)和受主(S)共掺杂ZnO纳米颗粒的纳米材料作为器件的电子传输层材料，通过引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化学键。通过形成新的化学键，来调节材料本征电子结构，降低氧化锌的电阻率及禁带宽度，提高其导电能力，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子‑空穴在器件中的复合效率，从而提升显示器件的效率。
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公开(公告)号：CN113130781A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911409085.8
申请日：2019-12-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，所述复合材料的制备方法包括步骤：提供ZnO纳米颗粒、Au源；所述Au源选自块体Au和Au粒子中的至少一种；将ZnO纳米颗粒、Au源、S源与第一有机溶剂混合，进行水热反应，制得所述复合材料。本发明采用ZnO纳米颗粒、块体Au和/或Au粒子、S源于有机溶剂中进行水热反应，S源可对ZnO纳米颗粒进行表面硫化实现在ZnO纳米颗粒表面形成ZnS层的同时，Au源可进行热溶解、扩散成呈孤立分布的原子级Au实现对ZnS层表面的负载，获得以ZnO纳米颗粒为核材料，以ZnS和Au为壳材料的复合材料。复合材料中的ZnS和Au可协同提高其所在LED的电子传输效率。
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公开(公告)号：CN113130631A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911394057.3
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/225 , H01L51/50 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管，其中，所述异质结纳米材料的制备方法包括步骤：提供一种ZnMgO纳米颗粒；将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料。本发明异质结纳米材料中，所述ZnS层可钝化ZnMgO纳米颗粒的表面缺陷，改善以所述异质结纳米材料作为电子传输层时与量子点发光层的接触面质量，同时所述ZnMgO纳米颗粒的表面Zn原子与表面S原子紧密结合后，创建了新的电子传递途径，可加速电子传递，从而协同提高量子点发光二极管的发光效率及稳定性。
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公开(公告)号：CN113120952A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911400746.0
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种硫化锌纳米材料及其制备方法、硫化锌薄膜、量子点发光二极管，其中，所述硫化锌纳米材料的制备方法包括步骤：将锌盐以及硫源分散在有机溶剂中，反应得到硫化锌前驱体溶液；向所述硫化锌前驱体溶液中加入芳环双齿配体溶液，制得所述硫化锌纳米材料。本发明通过采用芳环双齿配体与硫化锌纳米颗粒组装形成接枝结构，以改善硫化锌纳米颗粒的质量，从而提高硫化锌纳米材料的导电能力、并改善以所述硫化锌材料作为电子传输层时与活性层的接触界面，提升其电子传输性能以及稳定性。
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公开(公告)号：CN113120951A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911398455.2
申请日：2019-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种双金属共掺杂硫化锌薄膜及其制备方法与量子点发光二极管，其中，所述制备方法包括步骤：将锌盐、铟盐以及银盐分散在有机溶剂中，得到金属盐溶液；将所述金属盐溶液与硫源混合，反应得到铟、银掺杂的硫化锌纳米颗粒溶液；将所述铟、银掺杂的硫化锌纳米颗粒溶液制备成膜，制得双金属共掺杂硫化锌薄膜。本发明通过引入少量In、Ag元素在ZnS纳米颗粒上，替代部分Zn原子，形成新的化学键，通过形成新的化学键来调节ZnS纳米颗粒的本征电子结构，降低ZnS纳米颗粒的电阻率及收窄禁带宽度，使电子更易于跃迁至导带，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子‑空穴在量子点发光层中的复合效率。
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