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公开(公告)号：CN110291424B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201880008982.5
申请日：2018-01-25
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
Inventor： 阿尔西·斯唐
IPC: G01T1/24 , H01L27/146
Abstract: 根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。
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公开(公告)号：CN110268524B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880008955.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
Inventor： 维力·拉姆萨
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据实施例，一种设备(100)包括被构造为将高能辐射光子转换成电流的直接转换化合物半导体层(101)，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，包括位于最外周边处的像素，其中像素包括信号焊盘(106)；环绕像素阵列的防护环(105)，其中位于最外周边处的像素最接近防护环；防护环接触焊盘(107)，其中防护环接触焊盘被布置在取代所述最外周边处的像素信号焊盘中的一些像素信号焊盘的位置处，并连接到防护环；其中防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴不对称。其他实施例涉及包括根据设备的切片阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。
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公开(公告)号：CN116325162A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067335.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
IPC: H01L27/14
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于检测x射线和/或伽马射线的设备和方法。检测器，该检测器包括多个像素，该多个像素中的每个像素能在浮动模式和检测模式之间切换，其中，该多个像素中的每个像素被配置为当处于检测模式时检测入射的x射线和/或伽马射线辐射；控制单元，该控制单元被耦接到检测器并被配置为：在第一时间帧期间，将多个像素中的第一像素子集配置为浮动模式，并且将多个像素中的第二像素子集配置为检测模式；以及在第二时间帧期间，将多个像素中的第三像素子集配置为浮动模式，并且将多个像素中的第四像素子集配置为检测模式。提供了一种设备和方法。
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公开(公告)号：CN113498551A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080017388.X
申请日：2020-02-26
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种辐射传感器元件(100)。辐射传感器元件(100)包括具有互连面(111)的读出集成电路(110)、与互连面(111)相对的化合物半导体层(120)以及从互连面(111)朝着化合物半导体层(120)延伸的铜柱互连元件(130)。铜柱互连元件(130)包括铜部分(131)和氧化阻挡层(132)，氧化阻挡层(132)包括贵金属并且被布置在铜部分(131)和化合物半导体层(120)之间。
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公开(公告)号：CN110291424A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201880008982.5
申请日：2018-01-25
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
Inventor： 阿尔西·斯唐
IPC: G01T1/24 , H01L27/146
Abstract: 根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110226221A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008432.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L27/146
Abstract: 在实施例中，一种方法包括：在包括两个表面的读出集成电路IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上均包括焊料材料；使用红外激光照射焊料材料，以使读出IC上的焊料材料熔化并在读出IC与直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；在读出IC的包含焊料材料的第二表面上配置基板；并且用红外激光照射第二表面的焊料材料以使读出IC上的焊料材料熔化并且将读出IC与基板电连接。在其他实施例中，讨论了高频辐射探测器和成像装置。
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公开(公告)号：CN110546532B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880008710.5
申请日：2018-01-25
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
Abstract: 根据实施例的一种方法，包括：配置面板作为用于高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的入射窗；在面板上附接偏置板，其中，偏置板被配置成导电的并使得辐射通过偏置板；以及将贴片阵列附接到偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器配置在偏置板上，其中，每个贴片包括直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；其中，直接转换化合物半导体传感器被配置成将高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的光子转换成电流；以及其中，读出IC层位于直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收电流并处理电流。其他实施例涉及包括组件阵列的探测器，以及包括X射线源和探测器的成像系统。
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公开(公告)号：CN116261678A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202180066742.2
申请日：2021-09-28
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
Inventor： 米科·马蒂卡拉
IPC: G01T1/36
Abstract: 目的是提供一种用于x‑射线和/或γ射线检测的设备和方法。根据实施例，设备包括：检测器，该检测器包括多个像素，其中该多个像素包括被配置为检测第一能量范围内的入射x‑射线或γ射线辐射的第一像素子集和被配置为检测第二能量范围内的入射x‑射线或γ射线辐射的第二像素子集；处理单元，该处理单元被配置为：从多个像素中的每个像素获得信号；基于每个像素的信号获得多个像素中的每个像素的辐射强度值；计算第二像素子集中的至少一个像素在第一能量范围内的辐射强度估算值。提供了一种设备和方法。
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公开(公告)号：CN113661573A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027070.X
申请日：2020-03-30
Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种辐射传感器元件(100)包括支撑板(160)，该支撑板具有前面(161)，该前面基本上沿着基平面(120)延伸，该基平面限定辐射传感器元件(100)的横向延伸；衬底(110)，该衬底具有基底面(111)、与基底面(111)相对的互连面(112)以及连接基底面(111)和互连面(112)的边缘面(113)；传感器区块(130)，该传感器区块具有面向互连面(112)的背面(136)；互连面(112)和背面(136)之间的铜柱互连元件(140)；以及在互连面(112)和背面(136)之间延伸的非导电膜(150)。前面(161)包括横向超出边缘面(113)的凹部(162)，该凹部在垂直于基平面(120)的厚度方向上延伸，并且非导电膜(150)包括在凹部(162)中延伸的边缘突出部分(151)。
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公开(公告)号：CN110720036A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880038249.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 探测技术股份有限公司
Inventor： E·嘉伯雷奥博里森科 , D·佩瑞安
IPC: G01N23/087
Abstract: 本发明涉及通过电离辐射、特别是通过x辐射或伽马辐射来进行材料分析的领域。本发明提出了一种使用具有至少三个通道的光谱检测器(20)来确定测试样本(14)的物理性质的方法，该方法包括：·在每个通道中对测试样本执行测量，·计算变量，每个变量是由不同通道的测量结果的组合而形成的，·将加权且偏置矩阵应用于变量，以使得能够确定测试样本的所研究的物理性质。
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