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辐射传感器元件和方法
Abstract:
提供了一种辐射传感器元件(100)。辐射传感器元件(100)包括具有互连面(111)的读出集成电路(110)、与互连面(111)相对的化合物半导体层(120)以及从互连面(111)朝着化合物半导体层(120)延伸的铜柱互连元件(130)。铜柱互连元件(130)包括铜部分(131)和氧化阻挡层(132),氧化阻挡层(132)包括贵金属并且被布置在铜部分(131)和化合物半导体层(120)之间。
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