直接转换化合物半导体切片结构
Abstract:
根据实施例,设备包括直接转换化合物半导体层,被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流;集成电路(IC)层,紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方),被构造为接收电流并处理电流;以及基板层,紧邻IC层(例如位于其正下方),被构造为传导从IC层发射出的热量;其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部;以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触,其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器,以及包括x射线源和检测器的成像系统。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0