Invention Publication
- Patent Title: 直接转换化合物半导体切片结构
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Application No.: CN201880008982.5Application Date: 2018-01-25
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Publication No.: CN110291424APublication Date: 2019-09-27
- Inventor: 阿尔西·斯唐
- Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司
- Applicant Address: 芬兰奥卢
- Assignee: 芬兰探测技术股份有限公司
- Current Assignee: 芬兰探测技术股份有限公司
- Current Assignee Address: 芬兰奥卢
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 宋融冰
- Priority: 17153478.7 2017.01.27 EP
- International Application: PCT/EP2018/051768 2018.01.25
- International Announcement: WO2018/138177 EN 2018.08.02
- Date entered country: 2019-07-29
- Main IPC: G01T1/24
- IPC: G01T1/24 ; H01L27/146

Abstract:
根据实施例,设备包括直接转换化合物半导体层,被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流;集成电路(IC)层,紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方),被构造为接收电流并处理电流;以及基板层,紧邻IC层(例如位于其正下方),被构造为传导从IC层发射出的热量;其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部;以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触,其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器,以及包括x射线源和检测器的成像系统。
Public/Granted literature
- CN110291424B 直接转换化合物半导体切片结构 Public/Granted day:2023-06-30
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