根据实施例，一种设备(100)包括被构造为将高能辐射光子转换成电流的直接转换化合物半导体层(101)，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，包括位于最外周边处的像素，其中像素包括信号焊盘(106)；环绕像素阵列的防护环(105)，其中位于最外周边处的像素最接近防护环；防护环接触焊盘(107)，其中防护环接触焊盘被布置在取代所述最外周边处的像素信号焊盘中的一些像素信号焊盘的位置处，并连接到防护环；其中防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴不对称。其他实施例涉及包括根据设备的切片阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。