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公开(公告)号：CN109962130B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910299134.0
申请日：2019-04-15
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种六面粗化的红外LED芯片及制作方法，其采用ITO指状电极而不是金属指状电极进行电流扩展，可以有效避免金属指状电极的遮光吸收问题，且同样可获得良好的电流扩展。并且，该ITO指状电极相比较正面的ITO电流扩展层，可以在ITO指状电极以外区域进行表面粗化处理，进而提高光取出效率。在ITO指状电极下方设置肖特基势垒区，可以使电流优先沿ITO指状电极扩展到芯片四周，减少了直接向电极下方注入的电流，进而提高了电流的有效注入。采用网格型N电极结构，可以避免点阵型背电极电流分布不均匀问题，也可以避免整面型背电极的吸光问题。
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公开(公告)号：CN118367044A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410626358.9
申请日：2024-05-20
申请人： 江西乾照半导体科技有限公司 , 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池板及其制作方法、可穿戴智能设备，所述太阳能电池包括设置于基板上方的若干个发电区域和连接部，所述连接部用于其使所述多个发电区域彼此电连接；所述发电区域包括太阳能电池外延结构以及设置于所述太阳能电池外延结构表面的栅线结构，所述栅线结构与所述连接部形成接触；进一步地，所述太阳能电池板具有若干个所述发电区域，且所有发电区域通过对应所述连接部的连接形成环状。基于此，通过拼接的方式即可获得环状太阳能电池板，无需掏空内部，可以减少原材料的浪费、提高材料的利用率，从而降低成本。同时，通过设置所述栅线结构与所述连接部形成接触，所述连接部可依据应用环境对电压和/或电流的要求，实现输出电压/电流的多样化。
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公开(公告)号：CN118281694A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410497609.8
申请日：2024-04-24
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供的一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括：衬底，以及位于衬底一侧的谐振腔层；谐振腔层包括在第一方向上依次设置的第一限制层、量子阱层、第二限制层和氧化层，其中量子阱层中的Alx1GaInyP垒层中掺杂Sb元素的掺杂浓度的取值范围为1E17cm‑3‑5E19cm‑3；通过在所述量子阱层中的Alx1GaInyP垒层掺杂Sb元素，Sb元素会改变Alx1GaInyP材料的表面自由能和原子架构，增加Alx1GaInyP材料的无序度，提高带隙，从而改善量子阱层内载流子的限制效果，优化垂直腔面发射激光器的性能和温度效应。
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公开(公告)号：CN117832295A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014704.8
申请日：2024-01-04
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种外延结构及激光电池的制备方法，所述外延结构中在变质缓冲层背离第一衬底的一侧设置有第一膜层，第一膜层可以为腐蚀截止层或牺牲层，当第一膜层为腐蚀截止层时，由于第一腐蚀溶液无法对腐蚀截止层进行腐蚀，所以有效实现了变质缓冲层的去除，进而有效阻挡了第一腐蚀溶液对剩余外延结构的腐蚀；当第一膜层为牺牲层时，由于第二腐蚀溶液对牺牲层与变质缓冲层的腐蚀具有选择差异，会优先腐蚀掉牺牲层，从而有效实现了对第一衬底、缓冲层以及变质缓冲层的去除；由于腐蚀截止层或牺牲层可以让变质缓冲层的去除更易于实现，使得后续制备高性能与高可靠性的器件的变得更加容易，解决了变质缓冲层对器件性能和可靠性影响的问题。
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公开(公告)号：CN117543336A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311493486.2
申请日：2023-11-09
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及制备方法，该垂直腔面发射激光器包括在第一方向上，依次层叠设置在衬底一侧的N型DBR反射层、谐振腔层以及P型DBR反射层，P型DBR反射层包括在第一方向上依次设置的n组P型掺杂层组，n＞2，且n为正整数；P型掺杂层组包括在第一方向上依次层叠设置的第一P型掺杂层与第二P型掺杂层；由于第一P型掺杂层的Al组分比第二P型掺杂层的Al组分低，所以在掺杂时更容易激活形成空穴，空穴浓度的增加可以降低势垒实现较小的串联电阻，而第一P型掺杂层的掺杂浓度小于第二P型掺杂层的掺杂浓度，所以以低掺杂浓度实现较好的空穴浓度，就可以在实现较小的串联电阻的同时获得低的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN117410362A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311501887.8
申请日：2023-11-10
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0687
摘要： 本申请公开了一种多结太阳电池结构，该结构包括InGaAs子电池，InGaAs子电池中的多量子阱结构包括交替层叠的InxGaAs势阱层和InkGaAsPy势垒层以及位于势阱层和势垒层之间的InwGaAsPz阶梯势垒层，通过设置InwGaAsPz阶梯势垒层的带隙介于势阱层的带隙和势垒层的带隙之间，改善光生载流子输运，提高太阳电池光电转换效率、开路电压和填充因子；还设置InwGaAsPz阶梯势垒层的晶格常数介于势阱层的晶格常数和势垒层的晶格常数之间，使InkGaAsPy势垒层的厚度可以减小，降低其产生位错的风险；且InwGaAsPz阶梯势垒层与势阱层的AsP界面更平整，多量子阱结构吸光效果更好。
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公开(公告)号：CN116387979A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310493960.5
申请日：2023-05-05
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供了一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，通过在相邻两组多量子阱层之间的氧化层和隧穿结；其中，至少一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以同时限制光场和电场。其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，以限制电流；进一步地，氧化层顶层设置于所述驻波的波腹位置。从而，通过将一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以增加此氧化层内部的光场强度，使得VCSEL发光孔内外的有效折射率差异降低，进而抑制高阶模式的产生，降低了发散角。此外，通过将其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，在保证对发光区限定效果的同时，还可以保证其余氧化层所在位置的光场强度较小，可以进一步的减小氧化层的光限制因子，从而实现电流限制的效果。
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公开(公告)号：CN116247146A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310320151.4
申请日：2023-03-27
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底第一侧的外延结构，所述外延结构包括发光层以及位于所述发光层远离所述衬底一侧的窗口层；位于所述窗口层远离所述发光层一侧的电流扩展层，所述电流扩展层具有多个通孔，所述多个通孔裸露所述窗口层部分区域；位于所述电流扩展层远离所述窗口层一侧的正面电极，所述正面电极还填充所述多个通孔；位于所述衬底第二侧的背面电极，所述第二侧与所述第一侧相对；其中，所述正面电极为金属电极，所述窗口层为半导体层，所述正面电极与所述窗口层的接触面为金属‑半导体肖特基接触。该LED芯片的发光亮度高，且生产良率高。
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公开(公告)号：CN113594313B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110845303.3
申请日：2021-07-26
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括叠层结构，该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中，多量子阱有源层包括沿背离第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层，势阱层为AlaGa1‑aAs层，势垒层为AlbGa1‑bAs层，且0＜a＜b＜1。本申请实施例所提供的LED芯片，由于其多量子阱有源层中势阱层和势垒层的长晶材料相同，因此，在多量子阱有源层的生长过程中，势阱层和势垒层的生长界面可以清晰地切换，从而提高多量子阱有源层的长晶质量，减少由于多量子阱有源层的长晶缺陷而造成的非辐射复合，进而提高该LED芯片的亮度和工作寿命。
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