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公开(公告)号：CN103786131B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410055953.8
申请日：2014-02-19
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： B25B27/10
摘要： 本发明公开了一种光缆光纤连接头尾套安装压力机，包括：固定座；可转动地支撑于所述固定座上的偏心轴；设置于所述固定座一侧的压配模具，所述压配模具上开设有放置光纤连接头和光纤尾套的下放置槽；可滑动地设置于所述压配模具上的模柄，所述模柄的一端与所述偏心轴的偏心部相抵，所述模柄的另一端设置有顶配模具，所述顶配模具与所述下放置槽相对应。本发明以机械传动的方式将力传递到装配零件上，具有连接可靠，使用简单，大大降低人工疲劳强度等优点。
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公开(公告)号：CN103760692B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410064320.3
申请日：2014-02-25
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种平面光波导可调光衰减器及其调节方法，包括第一平面光波导MZI型可调光衰减器和第二平面光波导MZI型可调光衰减器，第一平面光波导MZI型可调光衰减器的输出端与第二平面光波导MZI型可调光衰减器的输入端相连，从而可以利用通过调节第一平面光波导MZI型可调光衰减器的相位差和第二平面光波导MZI型可调光衰减器的相位差，使得所述第一平面光波导MZI型可调光衰减器的偏振相关损耗值和第二平面光波导MZI型可调光衰减器的偏振相关损耗值相互抵消，进而降低平面光波导可调光衰减器的总偏振相关损耗，提高平面光波导可调光衰减器的性能。
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公开(公告)号：CN104820262A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510279923.X
申请日：2015-05-27
申请人： 四川飞阳科技有限公司
CPC分类号： G02B6/12021 , G02B6/12007 , G02B6/122
摘要： 本发明公开了一种平面光波导的设计和制作方法及平面光波导，包括：建立平面光波导的理论模型，并根据平面光波导的性能目标计算出理论模型中第i级MZI结构的第一耦合器的相位因子、第二耦合器的相位因子和相位延迟结构的相位差；根据第i级MZI结构的第一耦合器的相位因子、第二耦合器的相位因子和相位延迟结构的相位差，模拟第i级MZI结构的第一耦合器与第二耦合器的结构参数和相位延迟结构的结构参数。本发明提供的技术方案，建立平面光波导的理论模型，计算出MZI结构中两个耦合器的相位因子和相位延迟结构的相位差，模拟满足上述参数的MZI结构中两个耦合器和相位延迟结构的结构参数，缩短了设计和制作时间，提高了效率。
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公开(公告)号：CN104614854A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510093828.0
申请日：2015-03-03
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： G02B26/08
摘要： 本发明提供了一种可调光衰减器，包括：管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座；位于所述基座表面的芯片；贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座以及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述芯片的负极相连；位于所述芯片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述芯片的正极相连。由于驱动正极不再位于芯片的一侧，而是位于芯片下方的基座内部，因此，可以减小管座和基座的尺寸，进而可以减小可调光衰减器的尺寸，提高可调光衰减器的集成度。
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公开(公告)号：CN104317017A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410648561.2
申请日：2014-11-14
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4206
摘要： 本发明提供了一种分光探测器，包括输入光纤阵列，光波导阵列，分光滤波结构，输出光纤阵列，光探测结构；所述输入光纤阵列包括多条并排设置的输入光纤，所述输出光纤阵列包括多条并排设置输出光纤，所述光波导阵列包括多条光波导，所述输入光纤与所述输出光纤与所述光波导一一对应耦合连接；所述输入光纤阵列对光信号进行接收并输出给所述光波导阵列，由将所述光波导阵列分割为二的所述分光滤波结构分光后，第一光束经由所述光波导阵列内传输，输出给所述输出光纤阵列，由所述输出光纤阵列输出，第二光束由在其传输方向上的所述光探测结构接收和检测。本发明所提供的分光探测器封装体积小，工艺简单、制造成本低，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103794492A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410051081.8
申请日：2014-02-14
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请湿法去除多晶硅的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。
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公开(公告)号：CN103760638A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410057208.7
申请日：2014-02-20
申请人： 四川飞阳科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种平面光波导器件制作方法，包括：在二氧化硅芯层上形成光刻胶掩膜，对所述光刻胶掩膜进行热板坚膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅芯层，形成波导芯层。直接采用光刻胶作为二氧化硅芯层的掩膜，无需制作多晶硅层或金属层，简化了制作流程，工艺简单，降低了制作过程中出现错误的几率，提供了产品的良率。并且，采用热板坚膜工艺对光刻胶掩膜进行坚膜，提高了光刻胶掩膜的强度，降低了在刻蚀二氧化硅芯层时对光刻胶掩膜形貌的破坏，最大程度降低了光刻胶掩膜形貌差而对二氧化硅芯层的刻蚀产生不良影响。
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公开(公告)号：CN102654608B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110050517.8
申请日：2011-03-02
申请人： 四川飞阳科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于平面光波导的单纤双向阵列组件和器件及其制作方法，组件包括密封的金属盒，第一排模块组和第二排模块组，所述第一排模块组和第二排模块组设置在所述金属盒内；所述第一排模块组包括第一单纤双向模块和第二单纤双向模块；所述第二排模块组包括第三单纤双向模块和第四单纤双向模块；所述第一单纤双向模块和第二单纤双向模块相对于所述第一对称轴对称分布；所述第三单纤双向模块和第四单纤双向模块相对于所述第二对称轴对称分布；所述金属盒包括出纤口，所述单纤双向模块的光纤从所述出纤口导出。本发明具有性能指标优异、尺寸小、易于使用、集成度高和光接口密度大的优点，极大地提高了单位空间中的端口信息传输能力。
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公开(公告)号：CN103885118B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201210554615.X
申请日：2012-12-19
申请人： 四川飞阳科技有限公司
IPC分类号： G02B6/08
摘要： 本发明公开了一种二维无V型槽光纤阵列装置及其制作方法，所述光纤阵列装置，包括基板、盖板和M×N根光纤，其中：N为光纤层数，M为每层光纤阵列中的光纤数量，相邻两层光纤阵列中的光纤数量相等，所述基板与所述盖板均为平板;第0层光纤阵列作为底层固定在所述基板上,第S层光纤阵列中的光纤固定在第S-1层光纤阵列中的相邻光纤之间形成的凹槽内，与所述S-1层光纤阵列中的光纤错位相切；其中，S=1,2…N。本发明公开的二维无V型槽光纤阵列装置，避免了使用昂贵的带有V型槽的基板，大大降低了光纤阵列的批量生产成本，有效利用了基板和盖板之间的空间体积，提高了光纤阵列的密度，在光束整形技术和平面光波导技术中有着非常重要的应用。
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公开(公告)号：CN103545353B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310491824.9
申请日：2013-10-18
申请人： 四川飞阳科技有限公司
CPC分类号： H01L21/3213
摘要： 一种电极加热极及其加工工艺，包括基材、加热极层、隔离层和电极层，加热极层通过淀积方式覆在基材上，加热极层上还淀积有二氧化硅隔离层，金属电极层通过淀积方式包覆在加热极层和隔离层上，隔离层上部的电极层通过刻蚀去除。本发明利用二氧化硅的刻蚀速率与金属刻蚀速率差异较大的原理在电极层与加热极层之间增加一层二氧化硅隔离层，在进行电极层的刻蚀时起到了良好的保护作用，有效避免加热极层遭到刻蚀，保证了加热极层的完整性，极大的降低了控制刻蚀时间精度的难度，提高了产品的加热极性能。
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