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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN107564829B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN108091561B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107564829A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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