一种提高太阳能电池转化效率的方法

    公开(公告)号:CN104241454A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410499180.2

    申请日:2014-09-25

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/022425

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种提高太阳能电池转化效率的方法,具体包括:将硅片基底清洗、扩散、蚀刻、减反射膜沉积;在经过减反射膜沉积后的硅片基底的背面印刷银电极,同时将印刷了银背电极的硅片基底在氮气氛围中烘干;在烘干后印刷了银背电极的硅片基底上印刷铝背电场,同时将印刷了铝被电场的硅片基底在氮气氛围中烘干;在烘干后的印刷了铝被电场的硅片基底上印刷正面银栅电极,同时将印刷了正面银栅电极的硅片基底在氮气氛围中烘干;将烘干后的印刷了正面银栅电极的硅片基底在氮气氛围中高温烧结,形成太阳能电池。本发明中在烘干和烧结工艺中分别将硅片基底置于氮气氛围中进行保护,提高了电极的金属化质量,实现提高太阳能电池的转换效率的目的。

    一种经离子注入处理的染料敏化太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102136372B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201110024266.6

    申请日:2011-01-22

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开了一种经离子注入处理的染料敏化太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:清洗光阳极基底;制备光吸收层;对光阳极进行第一次热处理;将金属离子注入光阳极;对经离子注入改性后的光阳极进行第二次热处理;制备对电极;将对电极与光阳极对接,封装制得染料敏化太阳能电池。本发明还公开了一种染料敏化太阳能电池,包括光阳极、染料敏化剂、对电极,电解液,其中,光阳极经过离子注入改性处理,离子注入改性为Cu/TiO2改性或Zn/TiO2改性或Fe/TiO2改性。本发明利用MEVVA源离子注入机对光阳极光吸收层表面进行金属离子改性,产生光生电子-空穴浅势俘获势阱,在TiO2导带与价带之间形成了新能级,提高了TiO2导带与染料最低未占有轨道能级的匹配度。

    一种经离子注入处理的染料敏化太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102136372A

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN201110024266.6

    申请日:2011-01-22

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开了一种经离子注入处理的染料敏化太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:清洗光阳极基底;制备光吸收层;对光阳极进行第一次热处理;将金属离子注入光阳极;对经离子注入改性后的光阳极进行第二次热处理;制备对电极;将对电极与光阳极对接,封装制得染料敏化太阳能电池。本发明还公开了一种染料敏化太阳能电池,包括光阳极、染料敏化剂、对电极,电解液,其中,光阳极经过离子注入改性处理,离子注入改性为Cu/TiO2改性或Zn/TiO2改性或Fe/TiO2改性。本发明利用MEVVA源离子注入机对光阳极光吸收层表面进行金属离子改性,产生光生电子-空穴浅势俘获势阱,在TiO2导带与价带之间形成了新能级,提高了TiO2导带与染料最低未占有轨道能级的匹配度。

    柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN104319298B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410667823.X

    申请日:2014-11-20

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开一种柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法,其由以下7个部分组合而成:1)、透明的柔性衬底薄膜材料层;2)、在所述柔性衬底薄膜材料层上低温沉积有ZnxCd1-xO形成的透明导电薄膜层;3)、在所述透明导电薄膜层的部分位置上形成负极;4)、设置在所述透明导电薄膜层上的CdS薄膜窗口层,5)、设置在所述CdS薄膜窗口层上的CdTe薄膜吸收层;6)、设置在所述CdTe薄膜吸收层上的背电极金属接触层;7)、设置在所述背电极金属接触层上的柔性薄膜材料封装层。本发明具有成本低,效率高和满足不同领域需求的优点,且可以应用于低温工艺的柔性衬底薄膜CdTe薄膜太阳能电池的大批量制备。

    一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105390552A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510769430.4

    申请日:2015-11-12

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/02167 H01L31/1836

    Abstract: 本发明公开了一种CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法。所述CdTe薄膜太阳能电池的组成为:金刚石薄膜窗口层;在所述金刚石薄膜窗口层上表面的栅电极;在所述金刚石薄膜窗口层下表面的CdTe薄膜吸收层;与所述CdTe薄膜吸收层连接的背电极。所述金刚石薄膜窗口层的厚度为3~5μm,所述栅电极为Cr/Au复合电极,所述背电极为Ag电极或者In电极。本发明的CdTe薄膜太阳能电池,具有成本低、耐高温、抗腐蚀的优点。该CdTe薄膜太阳能电池的制备方法,有效降低了工艺的复杂度和制造成本,具有成膜质量好、工艺简单、价格低廉的优点。

    磁场下CdTe太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN101673786B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200910201612.6

    申请日:2009-10-12

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种磁场下CdTe太阳电池的制备方法,该方法具有以下工艺步骤:透明玻璃衬底预处理;在透明玻璃衬底上制备In2O3:F透明导电薄膜;把玻璃衬底放入近空间升华炉内,在玻璃衬底上生长CdS缓冲层;在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe吸收薄膜,通过超导磁铁线圈对衬底施加1~15T的磁场,生长CdTe吸收层;在CdTe表面溅射金属背电极形成欧姆接触;获得CdTe薄膜太阳电池。在强磁场下使用近空间升华法制备CdTe太阳电池,CdTe吸收薄膜的表面平整度及致密性都有了非常明显改善,提高了CdTe薄膜太阳电池的转化效率。

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