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公开(公告)号:CN118919452A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411138834.9
申请日:2024-08-19
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种晶圆清洗装置及晶圆封装设备,晶圆清洗装置包括清洗槽、盖板组件和喷淋组件,清洗槽中放置有装载晶圆的料篮,盖板组件安装并可开合地覆盖在清洗槽的上方开口,喷淋组件安装在盖板组件上且喷口朝向清洗槽内,通过盖板组件改变喷淋组件的喷口向清洗槽内喷洒清洗液的喷淋角度。本发明的技术方案能够在晶圆的清洗工艺中改变喷口的喷淋角度,喷嘴的移动能让喷淋面均匀性提高,使得晶圆的清洗效果更好,能更全面地对晶圆进行无死角、无盲区地清洗,能更彻底地清除晶圆上顽固附着的杂质或污渍。
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公开(公告)号:CN118841352A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202411138723.8
申请日:2024-08-19
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/673 , H01L21/67
摘要: 本发明公开了一种晶圆提篮及晶圆封装设备,包括支柱和托架,托架上远离支柱的远端设置第一限位机构,用于将具有第一规格的料篮限位固定;第一限位机构具有第一转动臂、第一转轴和第一限位臂,第一转动臂通过第一转轴可转动地连接在托架上,第一转动臂具有分别位于第一转轴两侧的承载端和摆动端,承载端靠近托架内部,第一限位臂自摆动端向上延伸地设置,当承载端被料篮压下时,第一限位臂将料篮限位固定在托架上。本发明的技术方案使用一种晶圆提篮就能兼容运送装载多种规格晶圆的料篮,提高了晶圆封装设备的生产效率,降低了运输过程中晶圆从料篮中掉落导致晶圆损坏的风险,节约了为适应多种规格晶圆而设计专门料篮的成本。
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公开(公告)号:CN118726005A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202310341405.0
申请日:2023-03-31
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种含氟硅烷晶圆表面处理液。本发明的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分:0.005%‑1%含氟硅烷、0.1%‑20%硅烷偶联剂和有机溶剂;各组分质量分数之和为100%;所述的有机溶剂补足余量。本发明的晶圆表面处理液处理晶圆之后,IPA接触角明显增大,在干燥过程中栅极间不会发生黏连,从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号:CN113430070B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202010209656.X
申请日:2020-03-23
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用。本发明的半水基清洗液由下述原料制得,所述的原料包括以下质量分数的组分:5%‑70%的溶剂、0.5%‑20%的醇胺、0.1%‑20%的季铵碱、0.1%‑15%的缓蚀剂、0.1%‑10%的钝化剂、0.01%‑20%的螯合剂、0.1%‑10%的两性表面活性剂、0.1%‑10%的非离子型表面活性剂和余量的水,所述的质量分数为各组分质量占原料的总质量的百分比。本发明的半水基清洗液能适应CoWP等金属环境,对多种金属及电介质的缓蚀性强,清洗效果佳。
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公开(公告)号:CN117625315A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202210951419.X
申请日:2022-08-09
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号: C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/39 , C11D3/60 , H01L21/02
摘要: 本发明公开了一种含氟清洗液组合物及其应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分:10‑30%氧化剂、0.001‑0.01%氧化型谷胱甘肽、0.001‑0.25%半胱氨酸、氟化物、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1%EO‑PO聚合物L31、0.01‑2%1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)和水,水补足余量。本发明的含氟清洗液组合物可以高度选择性地移除TiN、TaN、TiNxOy、Ti硬遮罩和包含上述物质的合金的硬遮罩,且对具有等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳。本发明的选择性移除硬遮罩的清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强,清洗效果佳。
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公开(公告)号:CN108033248B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN201711496479.2
申请日:2017-12-31
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种针式元件处理用输送装置,包括:导轨和夹具,其中,导轨包括水平设置的第一轨道和第二轨道,第一轨道和第二轨道之间于竖直方向上存在位置差;夹具包括:支撑机构和抵压机构,其中,支撑机构和抵压机构沿导轨滑动地设置,支撑机构和抵压机构于水平方向上沿导轨同步地运动,第一轨道和第二轨道其中之一使支撑机构与抵压机构于竖直方向上相对远离地运动,另一轨道使支撑机构与抵压机构于竖直方向上相对靠近地运动。本发明能够方便地夹持针式元件使其进行各种处理。本发明结构简单,易于实施。
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公开(公告)号:CN109234786B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN201710562469.8
申请日:2017-07-11
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种在线电镀碳处理系统和碳处理方法。该碳处理系统包括依次连接的电镀槽、碳处理系统和循环过滤系统,碳处理系统包括碳处理箱和顶部的自动加碳装置,碳处理箱顶部还设有LED光照系统,内部设有催化网;循环过滤系统包括由碳处理箱与碳粉过滤机连接形成的将碳粉回收循环至碳处理箱的第一循环回路,以及由碳粉过滤机与电镀槽连接形成的将电镀药水回收循环至所述电镀槽的第二循环回路;碳处理系统还包括自动排碳渣系统,其包括由碳处理箱和自动排碳渣装置连接形成的将滤液循环至碳处理箱形成的第三循环回路,自动排碳渣装置上还设有一碳渣排出口。本发明提供的碳处理系统处理效果好,操作方便快捷,可连续在线循环净化药水。
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公开(公告)号:CN117143285A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202210574010.0
申请日:2022-05-24
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号: C08F230/04 , G03F7/004
摘要: 本发明公开了一种基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用。本发明所提供的光刻胶组合物包含以下组分:聚合物、光产酸剂、有机溶剂和有机碱,所述聚合物由如下所示单体A和单体B通过聚合反应得到。所述光刻胶可用于EUV光刻技术,具备高分辨率、高灵敏度和高光敏度的特点,有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN113774392B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202110926058.9
申请日:2021-08-12
申请人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。清洗液的原料包括下列质量分数的组分:0.01%‑25%的强碱、0.01%‑30%的醇胺、0.001%‑1%的抗氧化物、0.01%‑0.1%的表面活性剂、0.01%‑0.1%的氨基酸、0.01%‑10%的缓蚀剂、0.01%‑10%的螯合剂和水,水补足余量,各组分质量分数之和为100%;其中,所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
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