公开(公告)号：CN118765430A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202380023861.9

申请日：2023-01-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 长谷川光勇 ,  石井大基

IPC: H01G9/048 ,  H01G4/33 ,  H01G9/00 ,  H01G9/012 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明提供电容大的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备主面(11、12)被粗面化的金属箔(10)、覆盖主面(11、12)的电介质膜(13)、经由设置于电介质膜(13)的开口部与金属箔(10)相接且表面由金属端子(41)构成的电极层(E1)、与电介质膜(13)相接而不与金属箔(10)相接且表面由金属端子(42)构成的电极层(E2)、以及与电介质膜(13)相接而不与金属箔(10)相接的电极层(E3)。电极层(E2、E3)包含与电介质膜(13)相接的导电性高分子层(30)。

公开(公告)号：CN118696385A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202280091824.7

申请日：2022-12-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井大基 ,  富川满广 ,  吉田健一 ,  苅谷隆 ,  原田祥典 ,  早水良明 ,  长谷川光勇

IPC: H01G4/33 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明提供能够将一对端子电极配置于同一面的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备表面被粗面化的金属箔(10)、覆盖金属箔(10)的表面且具有使金属箔(10)局部露出的开口部的电介质膜(D)、经由开口部与金属箔(10)相接的电极层(31)、以及与电介质膜(D)相接而不与金属箔(10)相接的电极层(32)。电极层(32)的上表面位置与电极层(31)的上表面位置相同或为其以下。

公开(公告)号：CN112640137B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H10N30/853 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30 ,  H10N30/079 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。

公开(公告)号：CN112640137A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/319 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。