公开(公告)号：CN111739731A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010194812.X

申请日：2020-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大槻史朗 ,  高桥和子 ,  原田祥典 ,  铃木翔太 ,  加贺谷康永 ,  加藤友彦 ,  石田未来

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明涉及一种电介质膜。所述电介质膜包含：(1)Bi及Ti；(2)选自Na及K中的至少一种元素E1；和(3)选自Ba、Sr及Ca中的至少一种元素E2。电介质膜具备：主相，其包含氧化物，该氧化物包含Bi、Ti、元素E1及元素E2且具有钙钛矿结构；和副相，其包含Bi且具有比主相低的氧浓度。在电介质膜的截面上，副相的面积相对于主相的面积及副相的面积的合计的比RS为0.03以上0.3以下。

公开(公告)号：CN110282972B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910206876.4

申请日：2019-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和 ,  石田未来

IPC: H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000

公开(公告)号：CN110282972A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910206876.4

申请日：2019-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和 ,  石田未来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000

公开(公告)号：CN112640137B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H10N30/853 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30 ,  H10N30/079 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。

公开(公告)号：CN112640137A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980040362.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐藤祐介 ,  石田未来 ,  佐藤和希子 ,  舟窪浩 ,  清水庄雄 ,  长谷川光勇 ,  石滨圭佑

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  G11B5/58 ,  G11B21/10 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/319 ,  H02N2/02

Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。