公开(公告)号：CN1472736A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03146244.8

申请日：2003-07-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上弘康 ,  柿内宏憲 ,  青島正貴 ,  三島康児

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/258 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/243 ,  G11B7/259

Abstract: 一种光记录介质，包括衬底、光透射层，以及衬底和光透射层之间的多个记录层，能够通过将激光束经由光透射层投射到该多个记录层上在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据，在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括包含Si作为主要成份的第一记录薄膜，位于该第一记录薄膜附近并包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜。在如此构成的光记录介质中，可以以所希望的方式在距离光透射层最远的记录层记录数据并从该最远的记录层再现数据。

公开(公告)号：CN1296923C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03146244.8

申请日：2003-07-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上弘康 ,  柿内宏憲 ,  青島正貴 ,  三島康児

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/258 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/243 ,  G11B7/259

Abstract: 一种光记录介质，包括衬底、光透射层，以及衬底和光透射层之间的多个记录层，能够通过将激光束经由光透射层投射到该多个记录层上在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据，在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括包含Si作为主要成份的第一记录薄膜，位于该第一记录薄膜附近并包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜。在如此构成的光记录介质中，可以以所希望的方式在距离光透射层最远的记录层记录数据并从该最远的记录层再现数据。