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公开(公告)号:CN112837880A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202011319586.X
申请日:2020-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种噪声抑制片,其包括金属磁性体层,该金属磁性体层由含有78~84wt%的Ni的FeNi合金构成,且添加了2~8wt%的Si,能够实现高的磁屏蔽特性。在噪声抑制片中,特别是以金属磁性体层实现70~115μΩ·cm的高的电阻率,即使在1MHz~10MHz左右的高频段也维持高的导磁率,介电常数的频率依赖性变低。
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