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公开(公告)号：CN1250483C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03101594.8
申请日：2003-01-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G31/006 , C01G45/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/79
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含一种包含钛酸钡的主成分，包含R1的氧化物的第四副成分(注意：R1是选自由配位数为9时的有效离子半径小于108皮米的稀土元素组成的第一元素组的至少一种)，和包含R2的氧化物的第五副成分(注意：R2是选自由配位数为9时的有效离子半径为108皮米-113皮米的稀土元素组成的第二元素组的至少一种)。根据该组合物，可以提供在烧成时具有优异抗还原性、在烧成后具有优异容量-温度特性和改善的绝缘电阻的加速寿命的介电陶瓷组合物。
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公开(公告)号：CN100460884C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410085118.5
申请日：2004-09-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R31/028 , H01G4/30 , H01G13/00
Abstract: 本发明提供不会发生电致伸缩裂纹等、不会损害端子电极且可保证高度可靠性的层叠陶瓷电容的筛选方法。层叠陶瓷电容C在电介质基体1的内部层状埋设多个内部电极21、22，内部电极21与电介质基体1的外面安装的成对的端子电极3、4导通，端子电极3、4具有以Sn为主成分的最外层33、43。包含将层叠陶瓷电容C置于125℃以上180℃以下的温度环境，在端子电极3-4间施加直流电压来测定直流绝缘电阻的步骤。施加直流电压的步骤包含第1步骤和第2步骤，第1步骤中，施加20～40(V/μm)范围内的直流电压V1(V/μm)，第2步骤中，在第1步骤结束后施加考虑了额定电压的直流电压V2(V)。
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公开(公告)号：CN1601290A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410085118.5
申请日：2004-09-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R31/028 , H01G4/30 , H01G13/00
Abstract: 本发明提供不会发生电致伸缩裂纹等、不会损害端子电极且可保证高度可靠性的层叠陶瓷电容的筛选方法。层叠陶瓷电容C在电介质基体1的内部层状埋设多个内部电极21、22，内部电极21与电介质基体1的外面安装的成对的端子电极3、4导通，端子电极3、4具有以Sn为主成分的最外层33、43。包含将层叠陶瓷电容C置于125℃以上180℃以下的温度环境，在端子电极3－4间施加直流电压来测定直流绝缘电阻的步骤。施加直流电压的步骤包含第1步骤和第2步骤，第1步骤中，施加20～40(V/μm)范围内的直流电压V1(V/μm)，第2步骤中，在第1步骤结束后施加考虑了额定电压的直流电压V2(V)。
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公开(公告)号：CN1432548A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101594.8
申请日：2003-01-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G31/006 , C01G45/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/79
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含一种包含钛酸钡的主成分，包含R1的氧化物的第四副成分(注意：R1是选自由配位数为9时的有效离子半径小于108皮米的稀土元素组成的第一元素组的至少一种)，和包含R2的氧化物的第五副成分(注意：R2是选自由配位数为9时的有效离子半径为108皮米－113皮米的稀土元素组成的第二元素组的至少一种)。根据该组合物，可以提供在烧成时具有优异抗还原性、在烧成后具有优异容量－温度特性和改善的绝缘电阻的加速寿命的介电陶瓷组合物。
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