公开(公告)号：CN1046635A

公开(公告)日：1990-10-31

申请号：CN90103957.8

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01G4/12 ,  H01G1/005

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。

公开(公告)号：CN1763943A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510107055.3

申请日：2005-09-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 及川泰伸

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/05 ,  H05K3/44

CPC classification number: H05K3/44 ,  H05K3/064 ,  H05K3/445 ,  H05K2203/0323 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/135 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1572

Abstract: 以提供以金属材料形成构成布线基板的基底基板、同时电连接基底基板的两面的导电性通路电极的结构是同轴结构的布线基板，且通孔的直径小、相对于通孔的直径的金属板厚度的比大的布线基板为目的。为了解决上述课题，本申请发明是一种布线基板，具有：具有通过各向同性蚀刻以贯穿两面的方式形成的通孔的金属板，覆盖该金属板的两面以及该通孔的内面的绝缘层，形成在至少一个面的绝缘层的上面上的布线层，以及，形成在该通孔内部的导电性通路电极；其特征在于，该通孔的直径小于等于100μm，且该金属板的厚度对于该通孔的直径的比大于等于1.0，优选大于等于1.2。

公开(公告)号：CN1014661B

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN90103957.8

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01G4/12 ,  H01G1/005

Abstract: 本发明公开了一种以钛酸锶为基料的半导体陶瓷电容器的制造方法，该方法包括：往半导体陶瓷表面涂上第一导电浆料，并烘焙之，以在所述半导体陶瓷体上形成第一导电层。所述第一导电浆料主要选自锌粉和铝粉组成的料组金属粉。此后，在所述第一导电层表面涂上第二导电浆料，并烘焙之，以在所述第一导电层上形成第二导电层。所述第二导电浆料的主要成分为铜。这种电容器电极高度可靠，价格不贵，可钎焊性的抗拉强度优异，且无金属迁移现象。

公开(公告)号：CN1011838B

公开(公告)日：1991-02-27

申请号：CN87105776

申请日：1987-07-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的钛酸锶系半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该组合物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为组合成物的0.1至0.4克分子%。该电容器有一个由该组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。