压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN100442400C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN01137696.1

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    压敏非线性电阻器陶瓷
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100497250C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200510079161.5

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    电涌吸收元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1941621A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610159357.X

    申请日:2006-09-27

    Abstract: 本发明提供一种电涌吸收元件,它具备:第1端子电极、第2端子电极、第3端子电极、电感器部、电涌吸收部和电阻部。电感器部具有相互极性反相耦合的第1内部导体和第2内部导体。第1内部导体的一端与第1端子电极连接。第2内部导体的一端与上述第2端子电极连接。第1内部导体的另一端与第2内部导体的另一端连接。电涌吸收部具有第1内部电极和第2内部电极。第1内部电极连接在第1内部导体的另一端和第2内部导体的另一端上。第2内部电极连接在第3端子电极上。电阻部具有连接在第1端子电极和第2端子电极之间的直流电阻成分。

    变阻器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101465186B

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200810186168.0

    申请日:2008-12-19

    CPC classification number: H01C7/112 H01C7/102 H01C7/105

    Abstract: 本发明涉及一种变阻器。变阻器(1)具备变阻器素体(10)、位于变阻器素体(10)的一个主面上的一对外部电极(30a、30b)、位于该主面上的阻抗体(60),阻抗体(60)以连接一对外部电极(30a、30b)的方式设置。变阻器素体(10)含有作为主要成分的氧化锌,含有作为次要成分的Ca氧化物、Si氧化物、稀土类金属的氧化物,相对于100摩尔的主要成分的Ca氧化物的Ca原子换算的比例X为2~80原子%,相对于100摩尔的主要成分的Si氧化物的Si原子换算的比例Y为1~40原子%,X/Y满足下述式(1),外部电极和阻抗体含有与氧化铋和氧化铜不同的氧化物。1≤X/Y<3 (1)

    电涌吸收元件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100557964C

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200610159357.X

    申请日:2006-09-27

    Abstract: 本发明提供一种电涌吸收元件,它具备:第1端子电极、第2端子电极、第3端子电极、电感器部、电涌吸收部和电阻部。电感器部具有相互极性反相耦合的第1内部导体和第2内部导体。第1内部导体的一端与第1端子电极连接。第2内部导体的一端与上述第2端子电极连接。第1内部导体的另一端与第2内部导体的另一端连接。电涌吸收部具有第1内部电极和第2内部电极。第1内部电极连接在第1内部导体的另一端和第2内部导体的另一端上。第2内部电极连接在第3端子电极上。电阻部具有连接在第1端子电极和第2端子电极之间的直流电阻成分。

    压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN1706773A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510079161.5

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    电涌吸收元件和电涌吸收电路

    公开(公告)号:CN100576730C

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200610108904.1

    申请日:2006-07-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供相对高速信号阻抗匹配优异,且小型的电涌吸收元件和电涌吸收电路。电涌吸收元件(SA1)具有第一和第二电感线圈部(10)、(20)、第一和第二电涌吸收部(30)、(40)。第一电感线圈部(10)具有第一和第二线圈(13)、(15),第二电感线圈部(20)具有第三和第四线圈(21)、(23)。通过适当设定各线圈之间的耦合系数和第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数,在宽频带可以实现频率特性的平坦的镜像阻抗。此外,由于第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)相互具有正的磁耦合状态,与没有正的磁耦合状态时相比,可以使第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数减小。

    变阻器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101465186A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200810186168.0

    申请日:2008-12-19

    CPC classification number: H01C7/112 H01C7/102 H01C7/105

    Abstract: 本发明涉及一种变阻器。变阻器(1)具备变阻器素体(10)、位于变阻器素体(10)的一个主面上的一对外部电极(30a、30b)、位于该主面上的阻抗体(60),阻抗体(60)以连接一对外部电极(30a、30b)的方式设置。变阻器素体(10)含有作为主要成分的氧化锌,含有作为次要成分的Ca氧化物、Si氧化物、稀土类金属的氧化物,相对于100摩尔的主要成分的Ca氧化物的Ca原子换算的比例X为2~80原子%,相对于100摩尔的主要成分的Si氧化物的Si原子换算的比例Y为1~40原子%,X/Y满足下述式(1),外部电极和阻抗体含有与氧化铋和氧化铜不同的氧化物。1≤X/Y<3 (1)。

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