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公开(公告)号：CN104733146A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410799883.7
申请日：2014-12-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以至少包含在R：20～40原子％、T：60～75原子％、M：1～10原子％的范围内至少含有R-T-M元素的第一晶界相、以及在R：50～70原子％、T：10～30原子％、M：1～20原子％的范围内至少含有R-T-M元素的第二晶界相的方式控制烧结体的微结构。
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公开(公告)号：CN1578134A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071150.8
申请日：2004-07-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02992 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H03H3/08 , H03H9/02929 , H03H9/02984 , H03H9/0576 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/72 , H03H9/725 , Y10T29/42 , H01L2924/00014
Abstract: 在依据本发明的一个具体实施方案的声表面波元件中，在薄膜电极18上形成的凸起电极20带有通孔31。另外，当部分凸缘进入凸起电极20的通孔31后，由于穿过薄膜电极28的氧化膜18a，在凸起电极20上的凸缘26到达薄膜电极18。由此，实现压电单晶衬底28上形成的薄膜电极18和凸缘26之间的传导。由此，在由单晶体铝制成的薄膜电极18的表面上形成氧化膜18a，但是进入凸起电极20的通孔31的部分凸缘26穿过该氧化膜18a，这样实现薄膜电极18和凸缘26之间更高精确度的传导。
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公开(公告)号：CN1159843C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN00803200.9
申请日：2000-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: B82Y30/00 , H03H3/08 , H03H9/02622 , H03H9/02937
Abstract: 在本发明的表面声波器件中，在有含有铝或铝合金的电极的压电基底表面上形成一个金属氧化物层，金属氧化物层形成的方式是至少覆盖所述电极。金属氧化物通过氧化一个薄得足以提供不连续的膜的金属层形成。至少在电极上的其中金属层以不连续的膜的形式存在的一个区域内的金属层通过氧化改变成连续的膜，所述连续的膜可以达到更加改进的防止腐蚀的效果。另外，设置金属氧化层对于表面声波器件的电气特性没有实质的影响。
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公开(公告)号：CN1303538A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN99806810.1
申请日：1999-10-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/02559 , H03H9/145
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置,该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造,每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜,并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
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公开(公告)号：CN104733146B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410799883.7
申请日：2014-12-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以至少包含在R：20～40原子％、T：60～75原子％、M：1～10原子％的范围内至少含有R‑T‑M元素的第一晶界相、以及在R：50～70原子％、T：10～30原子％、M：1～20原子％的范围内至少含有R‑T‑M元素的第二晶界相的方式控制烧结体的微结构。
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公开(公告)号：CN104078177A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410119483.7
申请日：2014-03-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供一种即使在高温环境下也能够使用的抑制了高温退磁率的稀土类磁体。本发明的技术手段为将稀土类磁体做成在R2T14B主相结晶颗粒的截面中，结晶颗粒内部（内侧）的微细生成物的数密度比结晶颗粒外周部（外侧）的微细生成物的数密度多的微细结构。即，该稀土类磁体包含R2T14B主相结晶颗粒和形成于R2T14B主相结晶颗粒间的晶界相，该R2T14B主相结晶颗粒包含在结晶粒内形成有微细生成物的物质，在主相结晶颗粒的截面中以规定的椭圆将结晶颗粒划分为结晶颗粒内部和结晶颗粒的外周部时，该微细生成物以结晶颗粒内部的数密度比结晶颗粒外周部的数密度大的方式构成。
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公开(公告)号：CN1109402C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN99806810.1
申请日：1999-10-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/02559 , H03H9/145
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置，该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造，每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜，并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
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公开(公告)号：CN1359194A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01145485.7
申请日：2001-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/02543
Abstract: 公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体1和成型于压电基体1上的交叉指型电极2,2组成。压电基体1具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构,可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示。发现用欧拉角(Φ,θ,φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为－2.5°≤Φ≤2.5°,30°≤θ≤90°,和－65°≤φ≤65°的区内。
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公开(公告)号：CN1237288A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801265.0
申请日：1998-06-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/0259
Abstract: 本发明的目的在于提供一种选择性即温度特性优良的小型宽通带表面声波装置。本发明的表面声波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极,该基片由化学式La3Ga5SiO14代表的、且属于点群32的langasite单晶组成。当从langasite单晶切出基片的切削角和在基片上表面声波的传播方向按照欧拉角(Φ、θ、Ψ)表示时,发现Φ、θ、和Ψ在分别由Φ=－5至5°、θ=136至146°、及Ψ=21至30°代表的区域内。在归一化厚度h/λ(%)与指示表面声波传播方向的所述Ψ(°)之间的关系由下式给出,其中叉指型电极的厚度h用表面声波的波长λ归一化,当Ψ≤25.5°时－3.79(h/λ)+23.86≤Ψ≤-5.08(h/λ)+26.96并且当Ψ>25.5°时,以上关系由下式给出4.39(h/λ)+24.30≤Ψ≤3.54(h/λ)+27.17。
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公开(公告)号：CN1185871A
公开(公告)日：1998-06-24
申请号：CN97190007.8
申请日：1997-03-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/0259
Abstract: 在一种衬底表面上有叉指电极的表面声波器件中,其中所述的衬底是一种属于点群32的砷镍钴矿单晶,对切自单晶的衬底的切割角与表面声波传播方向的组合进行了优化。这使得有可能获得含有一个SAW速度的温度系数TCV的绝对值小、电机械耦合因子K2大、且SAW速度低的衬底的表面声波器件。于是有可能获得温度稳定性业已改善、具有宽的通带且尺寸减小了的滤波器,特别是具有特性改善了的最适于移动通信终端设备的中频表面声波滤波器。
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