电光元件和光学调制元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119882284A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411449789.9

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明提供电光元件和光学调制元件。一种电光元件,其具有:单晶基板、由在前述单晶基板的主面上接触而形成的电介质薄膜形成的光波导(10)、以及对光波导(10)施加电压的电极,电介质薄膜由铌酸锂膜形成,所述铌酸锂膜为c轴取向的外延膜,铌酸锂膜的c轴长为#imgabs0#以上。

    光调制器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109073920A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780024856.4

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供一种高频特性良好并且调制光的波长啁啾减少的单驱动型的光调制器。光调制器(100)具备:包括第1和第2光波导(10a,10b)的马赫-曾德尔光波导(10)、覆盖第1和第2光波导(10a,10b)的缓冲层(4)、以及电极层(6),该电极层(6)具有:第1和第2接地电极(8,9)、以及在俯视时位于第1和第2接地电极(8,9)之间的信号电极(7);信号电极(7)具有:经由缓冲层(4)而覆盖第1光波导(10a)的第1下表面(S11);第1接地电极(8)具有:经由缓冲层(4)而覆盖第2光波导(10b)的第1下表面(S21)和位于第1下表面(S21)的上方的第2下表面(S22);信号电极(7)和第2接地电极(9)之间的间隔(G3)大于信号电极(7)和第1接地电极(8)之间的间隔(G2)。

    光调制器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109073920B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201780024856.4

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供一种高频特性良好并且调制光的波长啁啾减少的单驱动型的光调制器。光调制器(100)具备:包括第1和第2光波导(10a,10b)的马赫‑曾德尔光波导(10)、覆盖第1和第2光波导(10a,10b)的缓冲层(4)、以及电极层(6),该电极层(6)具有:第1和第2接地电极(8,9)、以及在俯视时位于第1和第2接地电极(8,9)之间的信号电极(7);信号电极(7)具有:经由缓冲层(4)而覆盖第1光波导(10a)的第1下表面(S11);第1接地电极(8)具有:经由缓冲层(4)而覆盖第2光波导(10b)的第1下表面(S21)和位于第1下表面(S21)的上方的第2下表面(S22);信号电极(7)和第2接地电极(9)之间的间隔(G3)大于信号电极(7)和第1接地电极(8)之间的间隔(G2)。

    带介电薄膜的基板及使用其的光调制元件

    公开(公告)号:CN109477985A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201780044606.7

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 本发明提供一种带介电薄膜的基板,即使在将铌酸锂膜的膜厚增厚至例如1μm以上的情况下,也难以产生裂纹。本发明的带介电薄膜的基板具备:单晶基板(2);介电薄膜(3),其由外延形成于单晶基板(2)的主面(2a)的c轴取向的铌酸锂构成。介电薄膜(3)具有包含第一结晶和以c轴为中心使第一结晶进行了180°旋转得到的第二结晶的双晶结构,X射线衍射法进行的极点测定中,对应于第一结晶的第一衍射强度与对应于第二结晶的第二衍射强度之比为0.5以上且2.0以下。由此,容易缓和蓄积于铌酸锂膜内部的应变,因此可抑制伴随膜厚增加的裂纹的产生。

    电光元件和光学调制元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119882285A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411449835.5

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明提供电光元件和光学调制元件。一种电光元件,其具有:单晶基板、由在前述单晶基板的主面上接触而形成的电介质薄膜形成的光波导(10)、以及对光波导(10)施加电压的电极,电介质薄膜由铌酸锂膜形成,所述铌酸锂膜为c轴取向的外延膜,所述电介质薄膜的LiNb3O8与LiNbO3的X射线强度比(LiNb3O8(60‑2)/LiNbO3(006))为0.02以上。

    带电介质薄膜的基板、光波导元件和光调制元件

    公开(公告)号:CN119335767A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202410949818.1

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明的技术问题在于,提供一种能够形成不易在铌酸锂膜产生裂纹、能够应用于从可见光到红外光的广泛的光、光损耗少的光波导元件和光调制元件的带电介质薄膜的基板。本发明的带电介质薄膜的基板(1)具有:单晶基板(2)、应力缓和层(31)、和电介质薄膜(3),应力缓和层(31)由c轴取向的外延膜构成,并且包括:LiNbO3的双晶结构,其包含第一晶体(3a)、以c轴为中心地所述第一晶体3a旋转180°而得到的第二晶体(3b);以及LiNb3O8相,电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜构成,并且具有LiNbO3的双晶结构,膜厚为0.5μm~2μm,最大域宽度大于应力缓和层(31)的最大域宽度,应力缓和层(31)的膜厚相对于电介质薄膜(3)的膜厚的比例为5%~25%。

    带电介质薄膜的基板、光波导元件和光学调制元件

    公开(公告)号:CN119882280A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411449788.4

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明涉及带电介质薄膜的基板、光波导元件和光学调制元件。一种带电介质薄膜的基板(1),其具有:单晶基板(2)、以及在单晶基板(2)的主面(2a)上接触而形成的电介质薄膜(3),电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜形成,包含LiNbO3的双晶结构,所述LiNbO3的双晶结构包含第1晶体(3a)和以c轴为中心使第1晶体(3a)旋转了180°的第2晶体(3b),电介质薄膜(3)中,将从单晶基板(2)起至厚度方向一半处的下部区域(31)除外的上部区域(32)中所含的第1晶体(3a)和第2晶体(3b)的最大畴宽为80nm~300nm。

    光调制器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111051970B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN201880054814.X

    申请日:2018-07-31

    Abstract: 本发明提供电极损耗低且高频特性良好并且能够通过向光波导施加的电场效率的提高来进行低电压驱动的光调制器。光调制器(100)具备:互相相邻的第一和第二光波导(10a、10b),其由在基板(1)上脊状地形成的电光材料膜构成;缓冲层(4),其至少覆盖第一和第二光波导(10a、10b)的上表面;以及第一和第二信号电极(7a、7b),其设置于缓冲层(4)的上方。第一和第二信号电极(7a、7b)分别具有:经由缓冲层(4)而分别与第一和第二光波导(10a、10b)相对的第一和第二下层部(7aL、7bL)、以及分别设置于第一和第二下层部(7aL、7bL)的上方的第一和第二上层部(7aH、7bH),下层部(7aL、7bL)的下表面的宽度(WaL、WbL)比上层部(7aH、7bH)的宽度(W7a、W7b)窄。

    光调制器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111164496B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201880064586.4

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本发明提供具有能够减小DC漂移的装置结构的光调制器。光调制器(100)具备:基板(1);波导层(2),其由在基板(1)上脊状地形成的电光材料膜构成,且包含互相相邻的第一和第二光波导(10a、10b);RF部(SRF),其对光波导(10a、10b)施加调制信号;以及DC部(SDC),其对光波导(10a、10b)施加DC偏置。DC部(SDC)包含:缓冲层(4),其至少覆盖光波导(10a、10b)的上表面;偏置电极(9a),其经由缓冲层(4)而与第一光波导(10a)相对;以及偏置电极(9c),其邻接于偏置电极(9a)而设置,对偏置电极(9a、9c)之间施加DC偏压,至少在偏置电极(9a、9c)之间的下方,设置有波导层(2)的至少一部分被去除了的波导层去除区域(D)。

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