公开(公告)号：CN110246693B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201910171089.0

申请日：2019-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 熊谷道广 ,  吉川和弘 ,  吉田健一 ,  中本淳己 ,  松坂则彦

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/08

Abstract: 本发明提供一种薄膜电容器的制造方法，该薄膜电容器具备将至少一个电介质层夹持于多个电极层中包含的一对电极层的电容部，该制造方法包括：层叠工序，将多个电极层和成为电介质层的电介质膜交替层叠而形成成为电容部的层叠体；第一蚀刻工序，形成层叠体中沿层叠方向延伸的开口，在开口的底面，使层叠于多个电极层中的一个电极层的正上方的电介质膜露出；第二蚀刻工序，在开口的底面使一个电极层露出。在第二蚀刻工序中，一个电极层的蚀刻速率比电介质膜的蚀刻速率低。

公开(公告)号：CN110246693A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171089.0

申请日：2019-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 熊谷道广 ,  吉川和弘 ,  吉田健一 ,  中本淳己 ,  松坂则彦

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/08

Abstract: 本发明提供一种薄膜电容器的制造方法，该薄膜电容器具备将至少一个电介质层夹持于多个电极层中包含的一对电极层的电容部，该制造方法包括：层叠工序，将多个电极层和成为电介质层的电介质膜交替层叠而形成成为电容部的层叠体；第一蚀刻工序，形成层叠体中沿层叠方向延伸的开口，在开口的底面，使层叠于多个电极层中的一个电极层的正上方的电介质膜露出；第二蚀刻工序，在开口的底面使一个电极层露出。在第二蚀刻工序中，一个电极层的蚀刻速率比电介质膜的蚀刻速率低。