公开(公告)号：CN106941779A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201580042874.6

申请日：2015-06-09

申请人： STC.UNM 公司

发明人： S.R.J.布吕克 ,  A.诺伊曼 ,  P.扎克什-哈

IPC分类号： G01J1/06 ,  G01J3/02

CPC分类号： G01J1/06 ,  G01J1/44 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/18 ,  G01J3/1895 ,  G01J3/2803 ,  G01J2001/448 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12138 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/103

摘要： 一种2D传感器阵列包括半导体衬底和布置在半导体衬底上的多个像素。每一个像素包括耦合区和结区，以及平板波导结构，所述平板波导结构布置在半导体衬底上并且从耦合区延伸到区。平板波导包括布置在第一包覆层与第二包覆层之间的限制层。第一包覆和第二包覆每一个具有比限制层的折射率低的折射率。每一个像素还包括布置在耦合区中和平板波导内的耦合结构。耦合结构包括具有不同折射率的至少两种材料，其布置为由光栅周期限定的光栅。结区包括与电接触件连通的p‑n结以用于偏置和收集由入射辐射的吸收引起的载流子。