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公开(公告)号:CN101952752B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200980105842.0
申请日:2009-02-19
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12026 , G02B6/12011 , G02B6/12014 , G02B6/12023
Abstract: 本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器具备输入通道波导、输入平板波导、阵列波导、偏振波依赖性消除单元、输出平板波导、温度补偿单元、输出通道波导,其特征在于,所述温度补偿单元对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度的温度依赖性进行补偿,所述偏振波依赖性消除单元同时消除所述阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的温度依存性和偏振波依赖性以及所述温度补偿单元的光路长度的偏振波依赖性。
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公开(公告)号:CN101952752A
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN200980105842.0
申请日:2009-02-19
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12026 , G02B6/12011 , G02B6/12014 , G02B6/12023
Abstract: 本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器具备输入通道波导、输入平板波导、阵列波导、偏振波依赖性消除单元、输出平板波导、温度补偿单元、输出通道波导,其特征在于,所述温度补偿单元对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度的温度依赖性进行补偿,所述偏振波依赖性消除单元消除由于所述阵列波导的双折射而引起的光路长度的偏振波依赖性以及所述温度补偿单元的光路长度的偏振波依赖性。
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公开(公告)号:CN111448498B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN201880078012.2
申请日:2018-11-21
Applicant: NTT 电子股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种不扩大Ch间隔就能满足高速的调制方式所要求的透射频带的宽频带的光波长合波/分波器。在该光波长合波/分波器中,以当使两个抛物线波导中的一方的抛物线波导与第一平板波导的连接位置以信道频率间隔Δf接近另一方的抛物线波导时的两个抛物线波导的中心位置与第一平板波导的连接端面的中心位置一致的方式配置所述两个抛物线波导,并且,以输出波导的两个波导组之间的中心位置与第二平板波导的中心位置一致的方式配置所述两个波导组,另一方的抛物线波导与所述第一平板波导的连接位置与该第一平板波导的连接端面的中心位置的间隔被设定为跟所述波导组与第二平板波导的连接位置与该第二平板波导的连接端面的中心位置的间隔相等,在所述两个波导组中的每一组中,邻接的波导之间的间隔被设定为信道频率间隔的2倍。
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公开(公告)号:CN103941335B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201410194208.1
申请日:2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于,具备:包覆层;光波导,具有嵌入在包覆层中的芯;以及沟(15),形成在包覆层中且具有反射界面(31),所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31),来防止泄漏光进入抽头用耦合器中,能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号:CN102105826B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN200980128645.0
申请日:2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于,具备:包覆层;光波导,具有嵌入在包覆层中的芯;以及沟(15),形成在包覆层中且具有反射界面(31),所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31),来防止泄漏光进入抽头用耦合器中,能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号:CN103941335A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410194208.1
申请日:2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于,具备:包覆层;光波导,具有嵌入在包覆层中的芯;以及沟(15),形成在包覆层中且具有反射界面(31),所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31),来防止泄漏光进入抽头用耦合器中,能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号:CN102105826A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200980128645.0
申请日:2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于,具备:包覆层;光波导,具有嵌入在包覆层中的芯;以及沟(15),形成在包覆层中且具有反射界面(31),所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31),来防止泄漏光进入抽头用耦合器中,能够防止抽头率的变动。
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