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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105826A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128645.0
申请日：2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN102667555A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058035.0
申请日：2010-12-15
Applicant: NTT电子股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12016 , G02B6/12023
Abstract: 与本发明有关的平面光波电路具备：包含多个光波导的至少两个干涉仪；以及配置在所述干涉仪中、具有比最大的光波导密度小的光波导密度的所述干涉仪的所述光波导的两侧的虚拟图案。干涉仪（A1）的光波导密度比干涉仪（A2）的光波导密度大。因此，平面光波电路（101）在干涉仪（A1）的光波导（13）的两侧具备虚拟图案（17）。
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公开(公告)号：CN103941335A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410194208.1
申请日：2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN103941335B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410194208.1
申请日：2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及平面光波导电路。本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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公开(公告)号：CN102105826B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980128645.0
申请日：2009-07-29
Applicant: NTT电子股份有限公司
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明以防止从MZI泄漏的泄漏光进入抽头用耦合器中来降低抽头率的变动为目的。与本发明有关的平面光波导电路的特征在于，具备：包覆层；光波导，具有嵌入在包覆层中的芯；以及沟(15)，形成在包覆层中且具有反射界面(31)，所述反射界面(31)对从光波导向包覆层泄漏的泄漏光向包覆层进行全反射。通过在包覆层中形成对泄漏光进行全反射的反射界面(31)，来防止泄漏光进入抽头用耦合器中，能够防止抽头率的变动。
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