公开(公告)号：CN103208528A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310133195.2

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101981676B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980111418.7

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN104369543B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410393734.0

申请日：2014-08-12

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  金子节夫 ,  浅田秀树

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0455 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B41J2002/14387 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00817 ,  B81C2201/0194 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明提供喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备。制造方法包括：在基板上形成分离辅助层；在分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴；将分离辅助层从基板分离；在分离辅助层的与喷嘴相反的表面上形成第一热传导层；和形成墨供给口以将墨从喷墨打印头的第一热传导层侧供给到喷嘴。

公开(公告)号：CN103208528B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310133195.2

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN104369543A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410393734.0

申请日：2014-08-12

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  金子节夫 ,  浅田秀树

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0455 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B41J2002/14387 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00817 ,  B81C2201/0194 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明提供喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备。制造方法包括：在基板上形成分离辅助层；在分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴；将分离辅助层从基板分离；在分离辅助层的与喷嘴相反的表面上形成第一热传导层；和形成墨供给口以将墨从喷墨打印头的第一热传导层侧供给到喷嘴。