公开(公告)号：CN104409517B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410720654.1

申请日：2010-07-29

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 是成贵弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。

公开(公告)号：CN104409517A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410720654.1

申请日：2010-07-29

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 是成贵弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。

公开(公告)号：CN101989619B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010241990.X

申请日：2010-07-29

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 是成贵弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。

公开(公告)号：CN101806982B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201010114798.4

申请日：2010-02-20

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 斋藤总一 ,  新冈真也 ,  十文字正之 ,  田边浩 ,  下田雅通

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明涉及液晶显示器件和使用该器件的电子装置及其制造方法。提供了一种IPS模式的液晶显示器件，其包括像素阵列，通过使多条视频信号线与多条扫描信号线彼此交叉，像素这列在第一基板上排列成矩阵图案。这些像素中的每一个都至少设置有切换元件。在两种信号线上设置透明绝缘膜，并且在该透明绝缘膜上设置多个像素电极、公共电极和公共线。这些公共线被形成为栅格状图案，从而这些公共线中的在一个方向上延伸的第一组由与金属相比对可见光具有更低反射率的第一导体制成，而这些公共线中的第二组由包括金属层的第二导体制成，使得所述第一组与所述第二组沿着所述视频信号线和所述扫描信号线彼此交叉。

公开(公告)号：CN103208528A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310133195.2

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101981676B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980111418.7

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101398564B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810161071.4

申请日：2008-09-26

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森健一 ,  坂本道昭 ,  住吉研 ,  永井博 ,  中谦一郎 ,  十文字正之 ,  田边浩

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133555

Abstract: 为了抑制暗态时的光泄漏，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置的反射区中的电极可以高精度形成。该液晶显示装置具有在像素内的至少对应于反射板形成部分的反射区，反射区以横向电场模式来驱动并为常白。驱动电极用于向反射区的液晶层形成电场，并利用不透明导电体通过绝缘膜形成在反射板上。

公开(公告)号：CN102401912A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110273387.4

申请日：2011-09-15

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 奥村展 ,  松岛仁 ,  田边浩

IPC: G02B3/06 ,  G02F1/1335 ,  G02B27/22

CPC classification number: G02B3/06 ,  G02B3/0056

Abstract: 本发明公开一种透镜片、显示面板和电子设备。为了抑制由于在例如通过使用紫外线固化树脂形成的透镜片中的相邻柱面透镜的熔合而产生的低劣成形，提供一种透镜片，该透镜片包括：由透明材料形成的基板；多个突出线，所述多个突出线以特定间距平行设置在基板上；和多个柱面透镜，所述多个柱面透镜中的每一个都在基板上设置在多个突出线之间。用于形成透镜的突出线被设计成由一组两个线，即，左突出线和右突出线构成以抑制相邻透镜的熔合。

公开(公告)号：CN103208528B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310133195.2

申请日：2009-03-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102043281B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201010510294.4

申请日：2010-10-13

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 盐田国弘 ,  三村广二 ,  田边浩 ,  重村幸治

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133524 ,  G02F1/13476 ,  G02F1/135

Abstract: 本发明的图像形成设备包括：功能元件基板，在所述功能元件基板中以预定周期布置像素；形成在所述功能元件基板上的相对基板；和光学装置，所述光学装置布置在所述相对基板上，所述光学装置包括以布置所述像素的所述周期的1/n(n为整数)的周期布置的透明层和光学吸收层，并且所述光学装置限制透射光的扩散。