公开(公告)号：CN1466006A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02140183.7

申请日：2002-07-03

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 前田明寿 ,  田中宏明 ,  木村茂 ,  木村聪

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  G03F7/00 ,  G03F7/26

Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al－Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al－Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。

公开(公告)号：CN100407034C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510009452.7

申请日：2005-02-08

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 大石三真 ,  木村聪

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

Abstract: 位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。

公开(公告)号：CN100405188C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410030110.9

申请日：2004-03-19

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 北川善朗 ,  木村聪 ,  佐藤刚 ,  草彅英则 ,  船木重浩 ,  高桥聪之助 ,  今野隆之 ,  西田真一

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2201/122

Abstract: 一种液晶显示器，包括：第一衬底(100A)，该第一衬底包括一薄膜晶体管、一数据线(12)、一像素电极(13)、以及公共电极(27)；第二衬底(200A)；以及夹在第一和第二衬底之间的液晶(220)，其中通过数据线将一图像信号提供给薄膜晶体管以在用于接收图像信号的像素电极与公共电极之间产生电场以便通过其与第一衬底相平行的一平面内的电场来使该液晶旋转。第一衬底包括：一电绝缘无机薄膜(15)，该电绝缘无机薄膜遮蔽于此的数据线(12)；第一岛形电绝缘有机薄膜(21)，该第一岛形电绝缘有机薄膜形成于位于数据线(12)之上的电绝缘无机薄膜(15)上；以及一屏蔽公共电极(26)，该屏蔽公共电极遮蔽于此的第一岛形电绝缘有机薄膜(21)，并且当从纵向来看时屏蔽公共电极覆盖了数据线(12)。

公开(公告)号：CN1282024C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02140183.7

申请日：2002-07-03

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 前田明寿 ,  田中宏明 ,  木村茂 ,  木村聪

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al-Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al-Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。

公开(公告)号：CN1655039A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009452.7

申请日：2005-02-08

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 大石三真 ,  木村聪

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G02F1/133 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

Abstract: 位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。

公开(公告)号：CN1532617A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410030110.9

申请日：2004-03-19

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 北川善朗 ,  木村聪 ,  佐藤刚 ,  草彅英则 ,  船木重浩 ,  高桥聪之助 ,  今野隆之 ,  西田真一

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2201/122

Abstract: 一种液晶显示器，包括：第一衬底(100A)，该第一衬底包括一薄膜晶体管、一数据线(12)、一像素电极(13)、以及公共电极(27)；第二衬底(200A)；以及夹在第一和第二衬底之间的液晶(220)，其中通过数据线将一图像信号提供给薄膜晶体管以在用于接收图像信号的像素电极与公共电极之间产生电场以便通过其与第一衬底相平行的一平面内的电场来使该液晶旋转。第一衬底包括：一电绝缘无机薄膜(15)，该电绝缘无机薄膜遮蔽于此的数据线(12)；第一岛形电绝缘有机薄膜(21)，该第一岛形电绝缘有机薄膜形成于位于数据线(12)之上的电绝缘无机薄膜(15)上；以及一屏蔽公共电极(26)，该屏蔽公共电极遮蔽于此的第一岛形电绝缘有机薄膜(21)，并且当从纵向来看时屏蔽公共电极覆盖了数据线(12)。