-
公开(公告)号：CN105051267A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380074978.6
申请日：2013-12-19
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B35/002 , C30B15/16 , C30B17/00 , C30B29/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: 公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。
-
公开(公告)号：CN105980614A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480066269.8
申请日：2014-11-19
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B17/00 , C30B11/006 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/20 , C30B35/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 实施例包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳熔融液体，该熔融液体是用于单晶生长的原料；坩锅屏，布置在该坩埚的上端；以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元，其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。
-
公开(公告)号：CN105980614B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201480066269.8
申请日：2014-11-19
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B17/00 , C30B11/006 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/20 , C30B35/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 实施例包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳熔融液体，该熔融液体是用于单晶生长的原料；坩锅屏，布置在该坩埚的上端；以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元，其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。
-
公开(公告)号：CN105051267B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201380074978.6
申请日：2013-12-19
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B35/002 , C30B15/16 , C30B17/00 , C30B29/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: 公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.023 seconds)
