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公开(公告)号:CN101416109A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200780011862.2
申请日:2007-03-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及纳米图案的形成方法,并且,更具体而言,涉及在大面积上连续形成纳米图案的方法和在辊形基板上形成纳米图案的方法以及具有使用该方法形成的图案的基板。使用相对移动大面积样品和干涉光光源的方法以及通过干涉光光源和辊形基板的相对轴向运动同时旋转辊形基板来进行曝光的方法来避免在相关领域中发生的问题,例如在形成纳米图案过程中装置所需的大空间、激光的有限输出和图案中有限的自由度。